研磨スラリーの調製方法
【課題】コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、酸性となるようにｐＨ調整する際に、コロイダルシリカが凝集することが抑制された研磨スラリーの調製方法の提供。
【解決手段】コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、ｐＨ調整時において、コロイダルシリカを含むスラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することを特徴とする研磨スラリーの調製方法。
【解決手段】コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、ｐＨ調整時において、コロイダルシリカを含むスラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することを特徴とする研磨スラリーの調製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨スラリーの調製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械的研磨）や、フォトマスク用ガラス基板、あるいは、ハードディスク用ガラス基板の研磨のような高度に平滑な面が求められる研磨では、コロイダルシリカを含む研磨スラリーと、研磨パッドとを用いた機械研磨が用いられることが一般的である（特許文献１〜３参照）。フォトマスク用ガラス基板、特にＥＵＶリソグラフィに使用される反射型マスク用のガラス基板の研磨では、研磨後の基板の表面に半導体製造プロセスの露光においてウェハに転写される欠点が一つでもあるとデバイスの性能に問題を引き起こすため、研磨後の基板表面の欠点には厳しい要求が求められている（特許文献３参照）。そのためフォトマスク用ガラス基板の研磨では、コロイダルシリカを含む研磨スラリーと、特に軟質な発泡ポリウレタン製の研磨パッドとを用いた機械研磨が行われる。この点に関して、特許文献４，５には、「研磨パッドのナップ層は、圧縮率が１０％以上であることが好ましく、１５〜６０％であればより好ましく、３０〜６０％であれば更に好ましい。また、その圧縮弾性率は８５％以上が好ましく、より好ましくは９０〜１００％、更に好ましくは９５〜１００％である。」と記載されている（特許文献４段落［００４３］、特許文献５段落［００４３］参照）。また、特許文献６の段落［００１０］には、「ガラス基板表面の精密研磨に用いる研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）を６５以下とすることにより、精密研磨終了直前の基板に対する研磨速度を遅くでき、また精密研磨における加工圧力を小さくできるので、ガラス基板表面の微小な凸状、凹状の表面欠陥の発生を抑えることができる。」と記載されている。
特許文献１〜５では、酸性となるようにｐＨ調整した研磨スラリーを用いて機械研磨を行うことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０７−２４００２５号公報
【特許文献２】特開２００３−２１１３５１号公報
【特許文献３】特開２００６−３５４１３号公報
【特許文献４】特開２００７−２１３０２０号公報
【特許文献５】特開２００８−３０７６３１号公報
【特許文献６】特開２００５−６６７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１〜５には記載されていないが、酸性となるようにｐＨ調整した研磨スラリーを用いる理由には以下の理由がある。
【０００５】
上述するような特に軟質な発泡ポリウレタン製の研磨パッドを製造する際には、整泡剤としてアニオン系のポリマーが使用される。整泡剤としてアニオン系ポリマーが使用される理由は、カチオン系ポリマーを使用した場合、機械研磨実施時に発泡ポリウレタン製の研磨パッドに残留するカチオン系ポリマーが、研磨スラリー中のコロイダルシリカの周りに吸着されることにより、コロイダルシリカの表面電位がプラスになり、表面電位がマイナスであるガラス基板表面に吸着されてしまうためである。整泡剤としてノニオン系ポリマーを使用した場合、コロイダルシリカの表面電位はゼロであるが、電位的な反発がないため、コロイダルシリカがガラス基板表面に吸着されてしまう。
これに対して、整泡剤としてアニオン系ポリマーを使用すると、発泡ポリウレタン製の研磨パッドに残留するアニオン系ポリマーが研磨スラリー中のコロイダルシリカの周りに吸着した場合に、コロイダルシリカの表面電位がマイナスとなり、表面電位がマイナスであるガラス基板表面とは、表面電位が反発の関係にあるため、ガラス基板表面にコロイダルシリカが吸着しないことになる。
【０００６】
但し、整泡剤としてアニオン系ポリマーを使用した場合であっても、研磨スラリーのｐＨがアルカリ性だと、加水分解によってコロイダルシリカの表面が活性化されるため、機械研磨実施時に局所的に大きな研磨荷重がかかると、表面電位が反発の関係であっても、ガラス基板表面にコロイダルシリカが強固に吸着されてしまう。こうなった場合は、機械研磨実施中にガラス基板表面からコロイダルシリカが脱離されることがない。機械研磨実施後の洗浄によりコロイダルシリカは除去することができるが、コロイダルシリカが吸着していた部分は機械研磨されないので、ガラス基板表面に凸状欠陥を生じさせる。
これに対し、研磨スラリーが酸性の場合、加水分解が起こらず、コロイダルシリカの表面が活性化されることがないため、機械研磨実施時に局所的に大きな研磨荷重がかかった場合であっても、ガラス基板表面にコロイダルシリカが強固に吸着されることがない。
このような理由から、フォトマスク用ガラス基板の研磨では、酸性となるようにｐＨ調整した研磨スラリーが用いられる。
【０００７】
一般的に使用される水ガラス法によって製造されるコロイダルシリカは、製造した時点ではアルカリ性であるため、コロイダルシリカを含むスラリー原液に酸を投入してｐＨ調整する必要がある。
ところが、ｐＨ調整をするためにスラリー原液に酸を投入した際に、コロイダルシリカが凝集する問題があることが明らかとなった。
【０００８】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、酸性となるようにｐＨ調整する際に、コロイダルシリカが凝集することが抑制された研磨スラリーの調製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記した目的を達成するため、本発明は、コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、ｐＨ調整時において、コロイダルシリカを含むスラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することを特徴とする研磨スラリーの調製方法。
【００１０】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、酸に対してスラリー原液を投入することにより、スラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することが好ましい。
【００１１】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、酸に対するスラリー原液の投入速度を５００ｍｌ／ｓｅｃ以下に保持することが好ましい。
【００１２】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、前記酸が、０．００００３〜０．３規定の硝酸水溶液または塩酸水溶液であることが好ましい。
【００１３】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、前記スラリー原液に含まれるコロイダルシリカが、水ガラス法またはゾルゲル法によって製造されることが好ましい。
【００１４】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、ｐＨの調製時、スラリー原液と、酸と、の混合液を撹拌することが好ましい。
【００１５】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、ｐＨの調製時、スラリー原液と、酸と、の混合液の温度を５０℃以下に保持することが好ましい。
【００１６】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカが、平均粒径が５〜１００ｎｍであり、かつ、Ｄ９０が５〜２００ｎｍであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、コロイダルシリカを含むスラリー原液を、ｐＨが１〜５となるようにｐＨ調整する際に、コロイダルシリカが凝集することを抑制することができる。
本発明によれば、調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカが、平均粒径が５〜１００ｎｍであり、かつ、Ｄ９０が５〜２００ｎｍと、粒径が小さく、かつ、粒度分布が少ないため、フォトマスク用ガラス基板、特にＥＵＶリソグラフィに使用される反射型マスク用のガラス基板の機械研磨に使用するのに好適である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の研磨スラリーの調製方法について説明する。
研磨スラリーとは、研磨粒子と、該研磨粒子の分散媒体と、を含む流体である。
本発明では、粒径が数ｎｍ〜数十ｎｍと小さく、かつ、粒径が揃った粒子が得られること、および、不純物が少ないことから、研磨粒子としてコロイダルシリカを用いる。
【００１９】
研磨スラリーに用いるコロイダルシリカの製造法は特に限定されないが、水ガラス法またはゾルゲル法によって製造されるものが、特に粒径が揃った粒子が得られることから好ましい。
【００２０】
研磨スラリーに用いるコロイダルシリカは、粒径が大きすぎると研磨スラリーを用いて研磨されるガラス基板表面の表面粗さが大きくなる。研磨後のガラス基板の用途が、ＥＵＶリソグラフィに使用される反射型マスク用のガラス基板の場合、ガラス基板表面の表面粗さが大きいと、該ガラス基板を用いて作製した反射型マスクをＥＵＶリソグラフィに使用した際に、ＥＵＶ光の反射率が低下するので問題となる。一方、粒径が小さすぎると、研磨速度が低下し、十分な研磨速度が得られない。これらの理由から、研磨スラリーに用いるコロイダルシリカは、平均一次粒子径が５〜１００ｎｍであることが好ましく、５〜５０ｎｍであることがより好ましい。
【００２１】
研磨粒子がコロイダルシリカの場合、分散媒も粗大粒子が除去されている必要がある。分散媒としては、フィルターで粗大粒子を除去することが容易であることから、水が好ましい。
【００２２】
スラリー原液は、コロイダルシリカを含む流体であり、水ガラス法によって製造されたコロイダルシリカを用いる場合は、コロイダルシリカを製造する過程で生じたナトリウム、カリウム、リチウムなどを含むため、そのｐＨが９以上と、アルカリ性である。
ゾルゲル法によって製造されたコロイダルシリカを用いる場合は、製造した時点では中性であるが、より安定した状態で保管するためにアルカリ性に調整される場合がある。
【００２３】
上述した理由により、コロイダルシリカを含む研磨スラリーをフォトマスク用ガラス基板の機械研磨に使用する場合、研磨スラリーが酸性となるようにｐＨ調整する必要がある。
本発明では、研磨スラリーのｐＨを１〜５に調整する。研磨スラリーのｐＨを１〜５に調整する理由については詳しくは後述するが、研磨スラリー中でコロイダルシリカ表面が活性化されることがないため、研磨スラリーが安定性であり、かつ、機械研磨実施時に局所的に大きな研磨荷重がかかった場合であっても、ガラス基板表面にコロイダルシリカが強固に吸着されることがないからである。
【００２４】
アルカリ性（ｐＨが９以上）のスラリー原液を、ｐＨが１〜５の酸性となるように調整する場合、ｐＨを調整しやすいことから、通常は、スラリー原液に対して、酸（例えば、希釈硝酸水溶液または希釈塩酸水溶液）を投入する。
【００２５】
しかしながら、酸性となるようにｐＨ調整する目的で、アルカリ性のスラリー原液に対して、酸を投入するとコロイダルシリカが凝集する。
この現象について、本願発明者は、鋭意検討した結果、スラリー原液と、酸と、の混合液（すなわち、スラリー）におけるｐＨの変化が影響していること、具体的には、混合液（スラリー）のｐＨが弱酸性〜弱アルカリ性の領域（ｐＨが５．０超９．０以下の領域）を通過する時間が長いことが、コロイダルシリカが凝集する原因であることを見出した。この点について、コロイダルシリカ粒子の表面電位（ゼータ電位）、および、コロイダルシリカ粒子の表面活性の観点から説明する。
【００２６】
下記表１は、スラリー（スラリー原液と酸との混合液に相当）のｐＨと、コロイダルシリカ粒子の表面電位（ゼータ電位）と、の関係を示している。
【表１】
コロイダルシリカ粒子の表面電位（ゼータ電位）の絶対値が大きいほど、コロイダルシリカ粒子同士の電位反発力が大きくなる。電位反発力が大きいほどコロイダルシリカ粒子同士が接近しにくくなる。
表１から明らかなように、スラリーのｐＨが９．０よりも大きい領域だと、コロイダルシリカ粒子同士の電位反発力が大きく、コロイダルシリカ粒子同士が接近しにくいのに対して、ｐＨが小さくなるにつれて、コロイダルシリカ粒子同士の電位反発力が大きく、コロイダルシリカ粒子同士が接近しやすくなる。
【００２７】
下記表２は、スラリー（スラリー原液と酸との混合液に相当）のｐＨと、コロイダルシリカ粒子の表面活性と、の関係を示している。
【表２】
コロイダルシリカ粒子表面が活性であるほど、コロイダルシリカ粒子同士が接近した時に粒子同士の凝集が起こりやすい。
表２から明らかなように、スラリーのｐＨが１．０から５．０の酸性領域だと、コロイダルシリカ粒子表面が不活性であり、コロイダルシリカ粒子同士が接近した際に凝集が起こりにくいのに対して、ｐＨがそれ以外の領域（ｐＨが１よりも小さい領域、ｐＨが５．０よりも大きい領域では電位反発力が大きく、コロイダルシリカ粒子同士が接近しやすくなる。
【００２８】
スラリー（スラリー原液と酸との混合液に相当）の安定性は、コロイダルシリカ粒子の表面電位（ゼータ電位）に起因する電位反発力による『コロイダルシリカ粒子同士の接近しにくさ（Ａ）』と、コロイダルシリカ粒子の表面活性による『コロイダルシリカ粒子同士が接近した際の凝集の起こりやすさ（Ｂ）』によって決まる。
この関係を下記表３に示す。
【表３】
表３において、製造後、ｐＨを調整する前のスラリー原液は、アルカリ性であり、ｐＨが９．０よりも大きいため、該スラリー中のコロイダルシリカ粒子同士が接近しにくく、また、コロイダルシリカ粒子同士が接近した際は凝集が起こりやすい状態であるが、この状態では、研磨時のように大きな圧力がかかりコロイダルシリカ粒子同士が接近することはないため安定である。
ｐＨを調整する目的で、スラリー原液に酸を投入した場合、スラリー（スラリー原液と酸との混合液に相当）のｐＨが５．０超９．０以下の領域を通過する時間が長くなる。該領域を通過する時間が長くなることにより、この間にスラリーの安定性が低下し、コロイダルシリカが凝集すると考えられる。
【００２９】
これに対し、表３に示すように、ｐＨ調整時におけるスラリーのｐＨが１〜５に保持されていれば、スラリーの安定性が高いため、コロイダルシリカの凝集を抑制することができる。
但し、上述したように、スラリー原液に酸を投入すると、（スラリー原液と酸との混合液に相当）のｐＨが５．０超９．０以下の領域を通過する時間が長くなるので、本発明では、ｐＨ調整時において、酸に対してスラリー原液を投入することで、ｐＨ調整時におけるスラリー（スラリー原液と酸との混合液に相当）のｐＨを１〜５に保持することが好ましい。酸に対してスラリー原液を投入した場合でも、ｐＨが５．０超９．０以下の領域を通過する部分が局所的に生じうるが、その通過時間が瞬間的であるのでその影響は無視できると考えられる。
酸に対してスラリー原液を投入した場合、スラリー原液を投入し始めるところでは、ｐＨが０．５〜１の値になる場合がある。表３には、スラリー（スラリー原液と酸との混合液に相当）のｐＨが１よりも低い領域もスラリーの安定性が低いことが示されている。
しかしながら、スラリー原液を投入し始めたところでは、コロイダルシリカの密度が非常に低いため、ｐＨが０．５〜１の値になっても凝集が起こらない。
このような理由から、本発明では、ｐＨ調整時において、スラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することで、スラリー中のコロイダルシリカが凝集するのを防止することができる。
【００３０】
ｐＨ調整時において、酸に対するスラリー原液の投入量が大きすぎると、ｐＨが５．０超９．０以下の領域を通過する部分が局所的に生じ、かつ、該領域を通過する時間が長くなるおそれがある。該領域を通過する時間が長くなることにより、その部分ではスラリーの安定性が低下し、コロイダルシリカが凝集するおそれがある。
このため、酸に対するスラリー原液の投入量は、５００ｍｌ／ｓｅｃ以下であることが好ましく、３００ｍｌ／ｓｅｃ以下であることがより好ましく、１００ｍｌ／ｓｅｃ以下であることがさらに好ましい。
【００３１】
また、ｐＨ調整時において、スラリー原液と、酸と、の混合液中にｐＨが５．０超９．０以下の領域を通過する部分が局所的に生じるのを防止するため、または、局所的に生じる場合でもその通過時間が瞬間的になるようにするため、該混合液を撹拌することが好ましい。すなわち、スラリー原液を投入する際、該混合液を撹拌することが好ましい。混合液の攪拌には、棒状やプロペラ形状の攪拌器を用いて行ってもよいし、混合液を循環させることで攪拌を行ってもよい。
また、混合液中にｐＨが５．０超９．０以下の領域を通過する部分が局所的に生じるのを防止するため、または、局所的に生じる場合でもその通過時間が瞬間的になるようにするため、スラリー原液を一定量投入した後、混合液をしばらく撹拌した後、スラリー原液をさらに投入することが好ましい。
【００３２】
ｐＨ調整時には、アルカリ性のスラリー原液と、酸との中和反応が起こるため、該混合液の温度が上昇する。混合液の温度が上昇し過ぎると、混合液中の低沸点成分、たとえば、水の蒸発により、該混合液中のコロイダルシリカ濃度が上昇して、該混合液中のコロイダルシリカが凝集するおそれがある。
このため、ｐＨ調整時において、混合液の温度を５０℃以下に保持することが好ましい。
ｐＨ調整時において、混合液の温度上昇を防止する方法としては、該混合液を冷却しながら、スラリー原液を投入する方法がある。
また、スラリー原液を一定量投入した後、混合液をしばらく撹拌した後、スラリー原液をさらに投入することも、混合液の温度上昇を防止するうえでも好ましい。
混合液が好ましい。
【００３３】
本発明では、研磨スラリーのｐＨ調整に使用する酸は特に限定されず、無機酸、及び有機酸のいずれも用いることができる。例えば、無機酸としては、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸などが挙げられる。有機酸としては、シュウ酸、クエン酸などが挙げられる。これらの中でも、硝酸、塩酸がｐＨを調整しやすいこと、および、ｐＨ１〜５でのゼータ電位がマイナスで絶対値が十分に大きいことから好ましく、特に、０．００００３〜０．３規定の硝酸水溶液または塩酸水溶液が、スラリー原液を投入し始めるところで、混合液のｐＨが０．５よりも小さくなることがないことから好ましい。
０．００００３〜０．３規定の硝酸水溶液または塩酸水溶液を調製する場合、濃硝酸または濃塩酸に対して水を投入してもよいし、水に対して濃硝酸または濃塩酸を投入してもよい。但し、調製に用いる容器（例えば、スラリー調合タンク）の強酸による劣化を防ぐ理由から、水に対して濃硝酸または濃塩酸を投入することが好ましい。
【００３４】
本発明では、ｐＨ調整時におけるコロイダルシリカの凝集が抑制されることにより、調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカが、粒径が小さく、かつ、粒度分布が少ない。
具体的には、研磨スラリー中のコロイダルシリカの平均粒径が５〜１００ｎｍであり、好ましくは、５〜５０ｎｍ、より好ましくは５〜３０ｎｍである。また、研磨スラリー中のコロイダルシリカのＤ９０が５〜２００ｎｍであり、好ましくは、５〜１００ｎｍ、より好ましくは５〜５０ｎｍである。
【実施例】
【００３５】
以下に、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。
[実施例１]
スラリー調合タンクに純水を２６リットル入れた。次に、スラリー調合タンクに１６Ｎ規定の硝酸を２００ｃｃ入れて、０．１Ｎ規定の硝酸の希釈水溶液を調製した。
コロイダルシリカを含有するスラリー原液を準備した。スラリー原液は、水ガラス法によって製造された平均一次粒子径が２０ｎｍのコロイダルシリカを含有し、そのｐＨは９である。
スラリー調合タンク内の硝酸希釈水溶液に対して下記手順でスラリー原液を投入した。
スラリー調合タンク内の硝酸希釈水溶液を撹拌しながら、投入速度４．５Ｌ／４０ｓｅｃ≒１１０ｍｌ／ｓｅｃで４０秒間スラリー原液を投入し、その後、４０秒間混合液を攪拌する手順を繰り返して、トータルで２８リットルのスラリー原液を硝酸希釈水溶液に投入して、ｐＨが２の研磨スラリーを調製した。
なお、ｐＨ調整時（スラリー原液の投入時、および、その後の混合液の撹拌時）において、混合液のｐＨは０．５〜５に保持した。
調製後の研磨スラリーを目視で確認したところ若干白濁していた。また、マイクロトラック（日機装製ＵＰＡ−ＥＸ１５０）を用いて、調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカの粒度分布を測定したところ、コロイダルシリカ粒子の平均粒径は２４ｎｍであり、Ｄ９０の粒径は３４ｎｍであった。
【００３６】
[実施例２]
スラリー原液の投入速度を５００ｍｌ／ｓｅｃとした以外は実施例１と同じ手順でｐＨが２の研磨スラリーを調製した。
調製後の研磨スラリーを目視で確認したところほぼ透明であった。また、マイクロトラック（日機装製ＵＰＡ−ＥＸ１５０）を用いて、調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカの粒度分布を測定したところ、コロイダルシリカ粒子の平均粒径は２１ｎｍであり、Ｄ９０の粒径は２９ｎｍであった。
【００３７】
［実施例３］
使用する酸を塩酸とした以外は実施例２と同じ手順でｐＨ２の研磨スラリーを調整した。なお、スラリー調合タンクに純水を２６リットル入れた。次に、スラリー調合タンクに１６Ｎ規定の塩酸を２００ｃｃ入れて、０．１Ｎ規定の塩酸の希釈水溶液を調製した。
調整後の研磨スラリーを目視で確認したところほぼ透明であった。また、マイクロトラック（日機装製ＵＰＡ−ＥＸ１５０）を用いて、調整後の研磨スラリー中のコロイダルシリカの粒度分布を測定したところ、コロイダルシリカ粒子の平均粒径は２０ｎｍであり、Ｄ９０の粒径は３０ｎｍであった。
【００３８】
[比較例１]
調合タンクに実施例１と同じスラリー原液２８リットルを入れた。
１６Ｎ規定の硝酸２００ｃｃを純水２６リットルで希釈して、０．１Ｎ規定の硝酸希釈水溶液を調合タンク内のスラリー原液に投入して研磨スラリーを調製した。
調製したスラリーを目視で確認したところ白濁していた。また、マイクロトラック（日機装製ＵＰＡ−ＥＸ１５０）を用いて、調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカの粒度分布を測定することを試みたが、コロイダルシリカの粒度分布は測定できなかった。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨スラリーの調製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械的研磨）や、フォトマスク用ガラス基板、あるいは、ハードディスク用ガラス基板の研磨のような高度に平滑な面が求められる研磨では、コロイダルシリカを含む研磨スラリーと、研磨パッドとを用いた機械研磨が用いられることが一般的である（特許文献１〜３参照）。フォトマスク用ガラス基板、特にＥＵＶリソグラフィに使用される反射型マスク用のガラス基板の研磨では、研磨後の基板の表面に半導体製造プロセスの露光においてウェハに転写される欠点が一つでもあるとデバイスの性能に問題を引き起こすため、研磨後の基板表面の欠点には厳しい要求が求められている（特許文献３参照）。そのためフォトマスク用ガラス基板の研磨では、コロイダルシリカを含む研磨スラリーと、特に軟質な発泡ポリウレタン製の研磨パッドとを用いた機械研磨が行われる。この点に関して、特許文献４，５には、「研磨パッドのナップ層は、圧縮率が１０％以上であることが好ましく、１５〜６０％であればより好ましく、３０〜６０％であれば更に好ましい。また、その圧縮弾性率は８５％以上が好ましく、より好ましくは９０〜１００％、更に好ましくは９５〜１００％である。」と記載されている（特許文献４段落［００４３］、特許文献５段落［００４３］参照）。また、特許文献６の段落［００１０］には、「ガラス基板表面の精密研磨に用いる研磨パッドの硬度（Ａｓｋｅｒ−Ｃ）を６５以下とすることにより、精密研磨終了直前の基板に対する研磨速度を遅くでき、また精密研磨における加工圧力を小さくできるので、ガラス基板表面の微小な凸状、凹状の表面欠陥の発生を抑えることができる。」と記載されている。
特許文献１〜５では、酸性となるようにｐＨ調整した研磨スラリーを用いて機械研磨を行うことが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平０７−２４００２５号公報
【特許文献２】特開２００３−２１１３５１号公報
【特許文献３】特開２００６−３５４１３号公報
【特許文献４】特開２００７−２１３０２０号公報
【特許文献５】特開２００８−３０７６３１号公報
【特許文献６】特開２００５−６６７８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１〜５には記載されていないが、酸性となるようにｐＨ調整した研磨スラリーを用いる理由には以下の理由がある。
【０００５】
上述するような特に軟質な発泡ポリウレタン製の研磨パッドを製造する際には、整泡剤としてアニオン系のポリマーが使用される。整泡剤としてアニオン系ポリマーが使用される理由は、カチオン系ポリマーを使用した場合、機械研磨実施時に発泡ポリウレタン製の研磨パッドに残留するカチオン系ポリマーが、研磨スラリー中のコロイダルシリカの周りに吸着されることにより、コロイダルシリカの表面電位がプラスになり、表面電位がマイナスであるガラス基板表面に吸着されてしまうためである。整泡剤としてノニオン系ポリマーを使用した場合、コロイダルシリカの表面電位はゼロであるが、電位的な反発がないため、コロイダルシリカがガラス基板表面に吸着されてしまう。
これに対して、整泡剤としてアニオン系ポリマーを使用すると、発泡ポリウレタン製の研磨パッドに残留するアニオン系ポリマーが研磨スラリー中のコロイダルシリカの周りに吸着した場合に、コロイダルシリカの表面電位がマイナスとなり、表面電位がマイナスであるガラス基板表面とは、表面電位が反発の関係にあるため、ガラス基板表面にコロイダルシリカが吸着しないことになる。
【０００６】
但し、整泡剤としてアニオン系ポリマーを使用した場合であっても、研磨スラリーのｐＨがアルカリ性だと、加水分解によってコロイダルシリカの表面が活性化されるため、機械研磨実施時に局所的に大きな研磨荷重がかかると、表面電位が反発の関係であっても、ガラス基板表面にコロイダルシリカが強固に吸着されてしまう。こうなった場合は、機械研磨実施中にガラス基板表面からコロイダルシリカが脱離されることがない。機械研磨実施後の洗浄によりコロイダルシリカは除去することができるが、コロイダルシリカが吸着していた部分は機械研磨されないので、ガラス基板表面に凸状欠陥を生じさせる。
これに対し、研磨スラリーが酸性の場合、加水分解が起こらず、コロイダルシリカの表面が活性化されることがないため、機械研磨実施時に局所的に大きな研磨荷重がかかった場合であっても、ガラス基板表面にコロイダルシリカが強固に吸着されることがない。
このような理由から、フォトマスク用ガラス基板の研磨では、酸性となるようにｐＨ調整した研磨スラリーが用いられる。
【０００７】
一般的に使用される水ガラス法によって製造されるコロイダルシリカは、製造した時点ではアルカリ性であるため、コロイダルシリカを含むスラリー原液に酸を投入してｐＨ調整する必要がある。
ところが、ｐＨ調整をするためにスラリー原液に酸を投入した際に、コロイダルシリカが凝集する問題があることが明らかとなった。
【０００８】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、酸性となるようにｐＨ調整する際に、コロイダルシリカが凝集することが抑制された研磨スラリーの調製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記した目的を達成するため、本発明は、コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、ｐＨ調整時において、コロイダルシリカを含むスラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することを特徴とする研磨スラリーの調製方法。
【００１０】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、酸に対してスラリー原液を投入することにより、スラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することが好ましい。
【００１１】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、酸に対するスラリー原液の投入速度を５００ｍｌ／ｓｅｃ以下に保持することが好ましい。
【００１２】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、前記酸が、０．００００３〜０．３規定の硝酸水溶液または塩酸水溶液であることが好ましい。
【００１３】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、前記スラリー原液に含まれるコロイダルシリカが、水ガラス法またはゾルゲル法によって製造されることが好ましい。
【００１４】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、ｐＨの調製時、スラリー原液と、酸と、の混合液を撹拌することが好ましい。
【００１５】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、ｐＨの調製時、スラリー原液と、酸と、の混合液の温度を５０℃以下に保持することが好ましい。
【００１６】
本発明の研磨スラリーの調製方法において、調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカが、平均粒径が５〜１００ｎｍであり、かつ、Ｄ９０が５〜２００ｎｍであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、コロイダルシリカを含むスラリー原液を、ｐＨが１〜５となるようにｐＨ調整する際に、コロイダルシリカが凝集することを抑制することができる。
本発明によれば、調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカが、平均粒径が５〜１００ｎｍであり、かつ、Ｄ９０が５〜２００ｎｍと、粒径が小さく、かつ、粒度分布が少ないため、フォトマスク用ガラス基板、特にＥＵＶリソグラフィに使用される反射型マスク用のガラス基板の機械研磨に使用するのに好適である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の研磨スラリーの調製方法について説明する。
研磨スラリーとは、研磨粒子と、該研磨粒子の分散媒体と、を含む流体である。
本発明では、粒径が数ｎｍ〜数十ｎｍと小さく、かつ、粒径が揃った粒子が得られること、および、不純物が少ないことから、研磨粒子としてコロイダルシリカを用いる。
【００１９】
研磨スラリーに用いるコロイダルシリカの製造法は特に限定されないが、水ガラス法またはゾルゲル法によって製造されるものが、特に粒径が揃った粒子が得られることから好ましい。
【００２０】
研磨スラリーに用いるコロイダルシリカは、粒径が大きすぎると研磨スラリーを用いて研磨されるガラス基板表面の表面粗さが大きくなる。研磨後のガラス基板の用途が、ＥＵＶリソグラフィに使用される反射型マスク用のガラス基板の場合、ガラス基板表面の表面粗さが大きいと、該ガラス基板を用いて作製した反射型マスクをＥＵＶリソグラフィに使用した際に、ＥＵＶ光の反射率が低下するので問題となる。一方、粒径が小さすぎると、研磨速度が低下し、十分な研磨速度が得られない。これらの理由から、研磨スラリーに用いるコロイダルシリカは、平均一次粒子径が５〜１００ｎｍであることが好ましく、５〜５０ｎｍであることがより好ましい。
【００２１】
研磨粒子がコロイダルシリカの場合、分散媒も粗大粒子が除去されている必要がある。分散媒としては、フィルターで粗大粒子を除去することが容易であることから、水が好ましい。
【００２２】
スラリー原液は、コロイダルシリカを含む流体であり、水ガラス法によって製造されたコロイダルシリカを用いる場合は、コロイダルシリカを製造する過程で生じたナトリウム、カリウム、リチウムなどを含むため、そのｐＨが９以上と、アルカリ性である。
ゾルゲル法によって製造されたコロイダルシリカを用いる場合は、製造した時点では中性であるが、より安定した状態で保管するためにアルカリ性に調整される場合がある。
【００２３】
上述した理由により、コロイダルシリカを含む研磨スラリーをフォトマスク用ガラス基板の機械研磨に使用する場合、研磨スラリーが酸性となるようにｐＨ調整する必要がある。
本発明では、研磨スラリーのｐＨを１〜５に調整する。研磨スラリーのｐＨを１〜５に調整する理由については詳しくは後述するが、研磨スラリー中でコロイダルシリカ表面が活性化されることがないため、研磨スラリーが安定性であり、かつ、機械研磨実施時に局所的に大きな研磨荷重がかかった場合であっても、ガラス基板表面にコロイダルシリカが強固に吸着されることがないからである。
【００２４】
アルカリ性（ｐＨが９以上）のスラリー原液を、ｐＨが１〜５の酸性となるように調整する場合、ｐＨを調整しやすいことから、通常は、スラリー原液に対して、酸（例えば、希釈硝酸水溶液または希釈塩酸水溶液）を投入する。
【００２５】
しかしながら、酸性となるようにｐＨ調整する目的で、アルカリ性のスラリー原液に対して、酸を投入するとコロイダルシリカが凝集する。
この現象について、本願発明者は、鋭意検討した結果、スラリー原液と、酸と、の混合液（すなわち、スラリー）におけるｐＨの変化が影響していること、具体的には、混合液（スラリー）のｐＨが弱酸性〜弱アルカリ性の領域（ｐＨが５．０超９．０以下の領域）を通過する時間が長いことが、コロイダルシリカが凝集する原因であることを見出した。この点について、コロイダルシリカ粒子の表面電位（ゼータ電位）、および、コロイダルシリカ粒子の表面活性の観点から説明する。
【００２６】
下記表１は、スラリー（スラリー原液と酸との混合液に相当）のｐＨと、コロイダルシリカ粒子の表面電位（ゼータ電位）と、の関係を示している。
【表１】
コロイダルシリカ粒子の表面電位（ゼータ電位）の絶対値が大きいほど、コロイダルシリカ粒子同士の電位反発力が大きくなる。電位反発力が大きいほどコロイダルシリカ粒子同士が接近しにくくなる。
表１から明らかなように、スラリーのｐＨが９．０よりも大きい領域だと、コロイダルシリカ粒子同士の電位反発力が大きく、コロイダルシリカ粒子同士が接近しにくいのに対して、ｐＨが小さくなるにつれて、コロイダルシリカ粒子同士の電位反発力が大きく、コロイダルシリカ粒子同士が接近しやすくなる。
【００２７】
下記表２は、スラリー（スラリー原液と酸との混合液に相当）のｐＨと、コロイダルシリカ粒子の表面活性と、の関係を示している。
【表２】
コロイダルシリカ粒子表面が活性であるほど、コロイダルシリカ粒子同士が接近した時に粒子同士の凝集が起こりやすい。
表２から明らかなように、スラリーのｐＨが１．０から５．０の酸性領域だと、コロイダルシリカ粒子表面が不活性であり、コロイダルシリカ粒子同士が接近した際に凝集が起こりにくいのに対して、ｐＨがそれ以外の領域（ｐＨが１よりも小さい領域、ｐＨが５．０よりも大きい領域では電位反発力が大きく、コロイダルシリカ粒子同士が接近しやすくなる。
【００２８】
スラリー（スラリー原液と酸との混合液に相当）の安定性は、コロイダルシリカ粒子の表面電位（ゼータ電位）に起因する電位反発力による『コロイダルシリカ粒子同士の接近しにくさ（Ａ）』と、コロイダルシリカ粒子の表面活性による『コロイダルシリカ粒子同士が接近した際の凝集の起こりやすさ（Ｂ）』によって決まる。
この関係を下記表３に示す。
【表３】
表３において、製造後、ｐＨを調整する前のスラリー原液は、アルカリ性であり、ｐＨが９．０よりも大きいため、該スラリー中のコロイダルシリカ粒子同士が接近しにくく、また、コロイダルシリカ粒子同士が接近した際は凝集が起こりやすい状態であるが、この状態では、研磨時のように大きな圧力がかかりコロイダルシリカ粒子同士が接近することはないため安定である。
ｐＨを調整する目的で、スラリー原液に酸を投入した場合、スラリー（スラリー原液と酸との混合液に相当）のｐＨが５．０超９．０以下の領域を通過する時間が長くなる。該領域を通過する時間が長くなることにより、この間にスラリーの安定性が低下し、コロイダルシリカが凝集すると考えられる。
【００２９】
これに対し、表３に示すように、ｐＨ調整時におけるスラリーのｐＨが１〜５に保持されていれば、スラリーの安定性が高いため、コロイダルシリカの凝集を抑制することができる。
但し、上述したように、スラリー原液に酸を投入すると、（スラリー原液と酸との混合液に相当）のｐＨが５．０超９．０以下の領域を通過する時間が長くなるので、本発明では、ｐＨ調整時において、酸に対してスラリー原液を投入することで、ｐＨ調整時におけるスラリー（スラリー原液と酸との混合液に相当）のｐＨを１〜５に保持することが好ましい。酸に対してスラリー原液を投入した場合でも、ｐＨが５．０超９．０以下の領域を通過する部分が局所的に生じうるが、その通過時間が瞬間的であるのでその影響は無視できると考えられる。
酸に対してスラリー原液を投入した場合、スラリー原液を投入し始めるところでは、ｐＨが０．５〜１の値になる場合がある。表３には、スラリー（スラリー原液と酸との混合液に相当）のｐＨが１よりも低い領域もスラリーの安定性が低いことが示されている。
しかしながら、スラリー原液を投入し始めたところでは、コロイダルシリカの密度が非常に低いため、ｐＨが０．５〜１の値になっても凝集が起こらない。
このような理由から、本発明では、ｐＨ調整時において、スラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することで、スラリー中のコロイダルシリカが凝集するのを防止することができる。
【００３０】
ｐＨ調整時において、酸に対するスラリー原液の投入量が大きすぎると、ｐＨが５．０超９．０以下の領域を通過する部分が局所的に生じ、かつ、該領域を通過する時間が長くなるおそれがある。該領域を通過する時間が長くなることにより、その部分ではスラリーの安定性が低下し、コロイダルシリカが凝集するおそれがある。
このため、酸に対するスラリー原液の投入量は、５００ｍｌ／ｓｅｃ以下であることが好ましく、３００ｍｌ／ｓｅｃ以下であることがより好ましく、１００ｍｌ／ｓｅｃ以下であることがさらに好ましい。
【００３１】
また、ｐＨ調整時において、スラリー原液と、酸と、の混合液中にｐＨが５．０超９．０以下の領域を通過する部分が局所的に生じるのを防止するため、または、局所的に生じる場合でもその通過時間が瞬間的になるようにするため、該混合液を撹拌することが好ましい。すなわち、スラリー原液を投入する際、該混合液を撹拌することが好ましい。混合液の攪拌には、棒状やプロペラ形状の攪拌器を用いて行ってもよいし、混合液を循環させることで攪拌を行ってもよい。
また、混合液中にｐＨが５．０超９．０以下の領域を通過する部分が局所的に生じるのを防止するため、または、局所的に生じる場合でもその通過時間が瞬間的になるようにするため、スラリー原液を一定量投入した後、混合液をしばらく撹拌した後、スラリー原液をさらに投入することが好ましい。
【００３２】
ｐＨ調整時には、アルカリ性のスラリー原液と、酸との中和反応が起こるため、該混合液の温度が上昇する。混合液の温度が上昇し過ぎると、混合液中の低沸点成分、たとえば、水の蒸発により、該混合液中のコロイダルシリカ濃度が上昇して、該混合液中のコロイダルシリカが凝集するおそれがある。
このため、ｐＨ調整時において、混合液の温度を５０℃以下に保持することが好ましい。
ｐＨ調整時において、混合液の温度上昇を防止する方法としては、該混合液を冷却しながら、スラリー原液を投入する方法がある。
また、スラリー原液を一定量投入した後、混合液をしばらく撹拌した後、スラリー原液をさらに投入することも、混合液の温度上昇を防止するうえでも好ましい。
混合液が好ましい。
【００３３】
本発明では、研磨スラリーのｐＨ調整に使用する酸は特に限定されず、無機酸、及び有機酸のいずれも用いることができる。例えば、無機酸としては、硝酸、硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸などが挙げられる。有機酸としては、シュウ酸、クエン酸などが挙げられる。これらの中でも、硝酸、塩酸がｐＨを調整しやすいこと、および、ｐＨ１〜５でのゼータ電位がマイナスで絶対値が十分に大きいことから好ましく、特に、０．００００３〜０．３規定の硝酸水溶液または塩酸水溶液が、スラリー原液を投入し始めるところで、混合液のｐＨが０．５よりも小さくなることがないことから好ましい。
０．００００３〜０．３規定の硝酸水溶液または塩酸水溶液を調製する場合、濃硝酸または濃塩酸に対して水を投入してもよいし、水に対して濃硝酸または濃塩酸を投入してもよい。但し、調製に用いる容器（例えば、スラリー調合タンク）の強酸による劣化を防ぐ理由から、水に対して濃硝酸または濃塩酸を投入することが好ましい。
【００３４】
本発明では、ｐＨ調整時におけるコロイダルシリカの凝集が抑制されることにより、調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカが、粒径が小さく、かつ、粒度分布が少ない。
具体的には、研磨スラリー中のコロイダルシリカの平均粒径が５〜１００ｎｍであり、好ましくは、５〜５０ｎｍ、より好ましくは５〜３０ｎｍである。また、研磨スラリー中のコロイダルシリカのＤ９０が５〜２００ｎｍであり、好ましくは、５〜１００ｎｍ、より好ましくは５〜５０ｎｍである。
【実施例】
【００３５】
以下に、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。
[実施例１]
スラリー調合タンクに純水を２６リットル入れた。次に、スラリー調合タンクに１６Ｎ規定の硝酸を２００ｃｃ入れて、０．１Ｎ規定の硝酸の希釈水溶液を調製した。
コロイダルシリカを含有するスラリー原液を準備した。スラリー原液は、水ガラス法によって製造された平均一次粒子径が２０ｎｍのコロイダルシリカを含有し、そのｐＨは９である。
スラリー調合タンク内の硝酸希釈水溶液に対して下記手順でスラリー原液を投入した。
スラリー調合タンク内の硝酸希釈水溶液を撹拌しながら、投入速度４．５Ｌ／４０ｓｅｃ≒１１０ｍｌ／ｓｅｃで４０秒間スラリー原液を投入し、その後、４０秒間混合液を攪拌する手順を繰り返して、トータルで２８リットルのスラリー原液を硝酸希釈水溶液に投入して、ｐＨが２の研磨スラリーを調製した。
なお、ｐＨ調整時（スラリー原液の投入時、および、その後の混合液の撹拌時）において、混合液のｐＨは０．５〜５に保持した。
調製後の研磨スラリーを目視で確認したところ若干白濁していた。また、マイクロトラック（日機装製ＵＰＡ−ＥＸ１５０）を用いて、調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカの粒度分布を測定したところ、コロイダルシリカ粒子の平均粒径は２４ｎｍであり、Ｄ９０の粒径は３４ｎｍであった。
【００３６】
[実施例２]
スラリー原液の投入速度を５００ｍｌ／ｓｅｃとした以外は実施例１と同じ手順でｐＨが２の研磨スラリーを調製した。
調製後の研磨スラリーを目視で確認したところほぼ透明であった。また、マイクロトラック（日機装製ＵＰＡ−ＥＸ１５０）を用いて、調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカの粒度分布を測定したところ、コロイダルシリカ粒子の平均粒径は２１ｎｍであり、Ｄ９０の粒径は２９ｎｍであった。
【００３７】
［実施例３］
使用する酸を塩酸とした以外は実施例２と同じ手順でｐＨ２の研磨スラリーを調整した。なお、スラリー調合タンクに純水を２６リットル入れた。次に、スラリー調合タンクに１６Ｎ規定の塩酸を２００ｃｃ入れて、０．１Ｎ規定の塩酸の希釈水溶液を調製した。
調整後の研磨スラリーを目視で確認したところほぼ透明であった。また、マイクロトラック（日機装製ＵＰＡ−ＥＸ１５０）を用いて、調整後の研磨スラリー中のコロイダルシリカの粒度分布を測定したところ、コロイダルシリカ粒子の平均粒径は２０ｎｍであり、Ｄ９０の粒径は３０ｎｍであった。
【００３８】
[比較例１]
調合タンクに実施例１と同じスラリー原液２８リットルを入れた。
１６Ｎ規定の硝酸２００ｃｃを純水２６リットルで希釈して、０．１Ｎ規定の硝酸希釈水溶液を調合タンク内のスラリー原液に投入して研磨スラリーを調製した。
調製したスラリーを目視で確認したところ白濁していた。また、マイクロトラック（日機装製ＵＰＡ−ＥＸ１５０）を用いて、調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカの粒度分布を測定することを試みたが、コロイダルシリカの粒度分布は測定できなかった。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、ｐＨ調整時において、コロイダルシリカを含むスラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することを特徴とする研磨スラリーの調製方法。
【請求項２】
酸に対してスラリー原液を投入することにより、スラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持する、請求項１に記載の研磨スラリーの調製方法。
【請求項３】
酸に対するスラリー原液の投入速度を５００ｍｌ／ｓｅｃ以下に保持する、請求項２に記載の研磨スラリーの調製方法。
【請求項４】
前記酸が、０．００００３〜０．３規定の硝酸水溶液または塩酸水溶液である、請求項１〜３のいずれかに記載の研磨スラリーの調製方法。
【請求項５】
前記スラリー原液に含まれるコロイダルシリカが水ガラス法またはゾルゲル法によって製造される、請求項１〜４のいずれかに記載の研磨スラリーの調製方法。
ことが好ましい。
【請求項６】
ｐＨの調製時、スラリー原液と、酸と、の混合液を撹拌する、請求項１〜５のいずれかに記載の研磨スラリーの調製方法。
【請求項７】
ｐＨの調製時、スラリー原液と、酸と、の混合液の温度を５０℃以下に保持する、請求項１〜６のいずれかに記載の研磨スラリーの調製方法。
【請求項８】
調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカが、平均粒径が５〜１００ｎｍであり、かつ、Ｄ９０が５〜２００ｎｍである、請求項１〜７のいずれかに記載の研磨スラリーの調製方法。
【請求項１】
コロイダルシリカを含み、ｐＨが１〜５の研磨スラリーの調製方法であって、ｐＨ調整時において、コロイダルシリカを含むスラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持することを特徴とする研磨スラリーの調製方法。
【請求項２】
酸に対してスラリー原液を投入することにより、スラリー原液と、酸と、の混合液のｐＨを０．５〜５に保持する、請求項１に記載の研磨スラリーの調製方法。
【請求項３】
酸に対するスラリー原液の投入速度を５００ｍｌ／ｓｅｃ以下に保持する、請求項２に記載の研磨スラリーの調製方法。
【請求項４】
前記酸が、０．００００３〜０．３規定の硝酸水溶液または塩酸水溶液である、請求項１〜３のいずれかに記載の研磨スラリーの調製方法。
【請求項５】
前記スラリー原液に含まれるコロイダルシリカが水ガラス法またはゾルゲル法によって製造される、請求項１〜４のいずれかに記載の研磨スラリーの調製方法。
ことが好ましい。
【請求項６】
ｐＨの調製時、スラリー原液と、酸と、の混合液を撹拌する、請求項１〜５のいずれかに記載の研磨スラリーの調製方法。
【請求項７】
ｐＨの調製時、スラリー原液と、酸と、の混合液の温度を５０℃以下に保持する、請求項１〜６のいずれかに記載の研磨スラリーの調製方法。
【請求項８】
調製後の研磨スラリー中のコロイダルシリカが、平均粒径が５〜１００ｎｍであり、かつ、Ｄ９０が５〜２００ｎｍである、請求項１〜７のいずれかに記載の研磨スラリーの調製方法。
【公開番号】特開２０１３−８３６（Ｐ２０１３−８３６Ａ）
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３４１６８（Ｐ２０１１−１３４１６８）
【出願日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【出願人】（０００００００４４）旭硝子株式会社 (2,665)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年１月７日（２０１３．１．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年６月１６日（２０１１．６．１６）
【出願人】（０００００００４４）旭硝子株式会社 (2,665)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]