【課題】 少なくともパラジウム層の研磨速度を、従来のＣＭＰ研磨液を用いた場合よりも向上させることができるＣＭＰ研磨液、及びそのＣＭＰ研磨液を用いた研磨方法を提供すること。
【解決手段】 １，２，４−トリアゾール、リン酸類、酸化剤、及び会合度が１．５以上２．５未満である砥粒を含有するパラジウム研磨用ＣＭＰ研磨液。また、基板と研磨布の間にＣＭＰ研磨液を供給しながら、基板を研磨布で研磨する基板の研磨方法であって、基板は、パラジウム層を有する基板であり、ＣＭＰ研磨液は、１，２，４−トリアゾール、リン酸類、酸化剤及び１．５以上２．５未満である砥粒を含有するＣＭＰ研磨液である、研磨方法。 （もっと読む）

【課題】良好な研磨速度を確保しつつ、研磨傷の発生数を劇的に低減することが可能なＣＭＰ用研磨液及び研磨方法を提供する。
【解決手段】砥粒、酸化金属溶解剤、酸化剤及び水を含有する、ｐＨが４以下のＣＭＰ用研磨液において、砥粒の二次粒子径を１０ｎｍ以上、２００ｎｍ以下にすると共に、光散乱法及び光遮光法を用いて測定される粒度分布がそれぞれ、粒子径が０．５６μｍ以上、０．６４μｍ未満の粒子数を１０００個／ｍｌ未満、及び粒子径が０．６４μｍ以上、０．７９μｍ未満の粒子数を６００個／ｍｌ未満になるようにする。 （もっと読む）

【課題】 酸化ケイ素膜のケミカルメカニカルポリッシンング（ＣＭＰ）において、高い均一性と高い研磨速度の両立を達成できるＣＭＰ用研磨液及びこれを用いた研磨方法を提供する。
【解決手段】 砥粒と、第１の添加剤と、第２の添加剤と、水とを含有するものであり、第１の添加剤として所定の条件を満たす有機化合物が、第２の添加剤として飽和モノカルボン酸が配合されているＣＭＰ用研磨液。また、このＣＭＰ研磨液を酸化ケイ素膜と研磨パッドとの間に供給しながら、研磨パッドによって酸化ケイ素膜の研磨を行う工程を備える、表面に酸化ケイ素膜を有する基板の研磨方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の接合面の表面精度の向上を図り、キャビティ内の気密を確保することができるガラス基板の研磨方法、パッケージの製造方法、圧電振動子、発振器、電子機器並びに電波時計を提供する。
【解決手段】研磨剤を供給しつつリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する、研磨工程を有するガラス基板の研磨方法であって、研磨工程は、研磨剤に酸化セリウムを主成分とする第１研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する前段ポリッシュ工程と、研磨剤にコロイダルシリカを主成分とする第２研磨剤を用いてリッド基板用ウエハ５０の接合面５３を研磨する後段ポリッシュ工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】特定の研磨パッドおよび特定の化学機械研磨用水系分散体を使用して化学機械研磨を行うことにより、従来よりも優れたパフォーマンス（高研磨速度、高平坦化、スクラッチ抑制等）を達成できる化学機械研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨パッドを定盤に固定し、前記研磨パッドの研磨層に化学機械研磨用水系分散体を供給しながら前記研磨層に半導体基板を接触させて研磨する化学機械研磨方法において、前記化学機械研磨用水系分散体が、（Ａ）長径ａ（Ｒｍａｘ）と短径ｂ（Ｒｍｉｎ）との比率（Ｒｍａｘ／Ｒｍｉｎ）が１．１以上１．５以下であるシリカ粒子と、（Ｂ）２つ以上のカルボキシル基を有する化合物と、を含み、前記研磨層の表面粗さ（Ｒａ）が１μｍ以上１０μｍ以下の範囲にある。 （もっと読む）

【課題】電子材料製造工程中の研磨工程において、従来の研磨液と比較して、研磨後の基板に付着するパーティクル数を低減する電子材料用研磨液および、この研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】有機還元剤（Ｂ）および水を必須成分として含有することを特徴とする電子材料用研磨液、およびこの研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】電子材料製造工程中の研磨工程において、従来の研磨液と比較してスクラッチが入りにくく、また、研磨後の基板に付着するパーティクル数を低減する電子材料用研磨液および、この研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 重量平均分子量が１，０００ 〜２００，０００である中和塩（ＡＢ）および水を必須成分として含有する電子材料用研磨液、およびこの研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】研磨用組成物を用いて研磨した後の研磨対象物表面における研磨加工に起因するＬＰＤの数を低減することが可能な研磨用組成物及びそれを用いた半導体ウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の研磨用組成物は、シリコン予備研磨に用いられる研磨用組成物であって、特定のシリコンウエハに対し、以下の研磨作業を行った場合に、ウエハ表面当たりの研磨加工に起因するＬＰＤの個数が３０未満である。（１）研磨用組成物を用い、予備研磨する工程、（２）仕上げ研磨用組成物を用い、仕上げ研磨を行い、更にＳＣ−１洗浄、イソプロピルアルコール蒸気乾燥後に第１回目のＬＰＤを測定する工程、（３）ウエハを更にＳＣ−１洗浄、イソプロピルアルコール蒸気乾燥後に第２回目のＬＰＤを測定した後、第１回目と第２回目のＬＰＤ測定で測定位置が変わらないＬＰＤ数をＬＰＤ数として測定する工程。 （もっと読む）

【課題】電子材料製造工程中の研磨工程において、従来の研磨液と比較して、研磨後の基板に付着するパーティクル数を低減する電子材料用研磨液および、この研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 炭素数８〜３６の脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ｂ）および水を必須成分として含有する電子材料用研磨液、およびこの研磨液を使用して電子材料中間体を研磨する工程を含む電子材料の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ用研磨材等の研磨材として好適な異形シリカゾルを提供する。
【解決手段】本異形シリカゾルは、動的光散乱法の測定により得られた平均粒子径（ｒ）と窒素吸着法により測定された平均比表面積から算出した等価球換算粒子径（ｒ′）の比（ｒ／ｒ′、以下「会合比」と称する。）が１．２〜１０の範囲にあり、等価球換算粒子径（ｒ′）が５〜２００ｎｍの範囲にあり、比表面積が１３〜５５０ｍ^２/ｇの範囲にあって、形状が不均一な異形シリカ微粒子が溶媒に分散した異形シリカゾルであって、該異形シリカ微粒子の含有するＣａおよびＭｇの割合（酸化物換算）が、ＳｉＯ_２分に対してそれぞれ１０００ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）