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国際特許分類[B24B37/00]の内容

処理操作;運輸 (1,245,546) | 研削;研磨 (20,708) | 研削または研磨するための機械,装置,または方法;研削面のドレッシングまたは正常化;研削剤,研磨剤,またはラッピング剤の供給 (15,323) | ラッピング機械または装置,すなわち,比較的柔らかいが剛性のある材料から出来ているラップと,ラップ仕上されるべき工作物表面との間に,浮遊状態にある研磨物質が注ぎ込まれることを要する機械または装置;そのための附属装置 (4,544)

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【課題】研磨パッドの表面を基準にドレッシングするための適度な弾性を有しつつ、長期に亘って交換することなく使用することができるようにする。
【解決手段】支持部32の下端には、束線バンド35で束ねられた弾性部材31が取り付けられている。弾性部材31は、線径が0.15mmで長さ25mmのタングステン線が30本ずつ1束に束ねられて構成されている。また、弾性部材31の各素線の先端部は丸切りのまま研磨パッド20に接触して研磨パッド20のドレッシングを行うようになっている。弾性部材31の各素線の先端部の線径を細くして研磨パッド20の切削幅を小さくすると共に、弾性部材31の各素線を束線バンド35で束ねることによって弾性部材31の剛性を高め、各素線の細い先端部に大きな圧力がかかるようにしている。従って、弾性部材31の先端部は研磨パッド20に有効な切り込み深さを与えることができる。 (もっと読む)


【課題】ディッシング、エロージョンを抑制し、平坦性を維持したままで、バリア膜、絶縁膜を同時に高速に研磨できる化学的機械的研磨組成物を提供する。
【解決手段】炭素数7〜13のジカルボン酸、酸化剤、砥粒、及び水を含有する、化学的機械的研磨組成物とする。この研磨組成物は好ましくは、2〜4又は8〜12のpH値を有する。 (もっと読む)


【課題】LPDおよび表面粗さを低減可能な研磨組成物を提供する。
【解決手段】研磨組成物は、pH調整剤と、砥粒と、下記一般式(1)で表される非イオン性界面活性剤とを含む。pH調整剤は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、およびその炭酸塩のいずれかからなる。砥粒は、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、コロイダルアルミナ、ヒュームドアルミナおよびセリアのいずれかからなる。また、研磨組成物は、研磨促進剤、キレート剤、および水溶性高分子の少なくとも1つを更に含んでいてもよい。
【化1】
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【課題】微細な砥粒を用いる仕上げ研磨において、結晶材料から成る被研磨物をスクラッチ、加工歪又は段差を生じることなく、効率よく研磨できる金属研磨盤、その製造方法及び研磨方法を提供することを目的とする。
【解決手段】研磨盤面に互いに平行に形成された螺旋状又は同心円状の第1のV字溝及び第2のV字溝と、前記第1のV字溝と前記第2のV字溝との間に画成された研磨面と、を含み、前記第1のV字溝の縦断面の面積が前記第2のV字溝の縦断面の面積より大きく、前記第1のV字溝同士の間のピッチと前記第2のV字溝同士の間のピッチが等しく、前記研磨面の表面粗さRaは0.05μmないし2μmの範囲にあり、前記研磨面の幅は20μmないし120μmの範囲にある金属研磨盤が提供される。 (もっと読む)


【課題】半導体装置の製造コストを削減できる研磨パッド及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】研磨パッド40は、第1のパッド部40aと、その周囲に配置される第2のパッド部40bとを有し、第1のパッド部40a及び第2のパッド部40bはそれぞれ個別に交換することができる。CMP装置に研磨パッド40(第1のパッド部40a及び第2のパッド部40b)を取り付けて半導体ウェハの研磨を実施し、総研磨時間が所定の時間に到達したら、第2のパッド部40bを交換用の第2のパッド部40cに交換する。 (もっと読む)


【課題】砥粒および水酸化セシウムを含有する化学的機械研摩用組成物、ならびに水酸化セシウム含有研摩用組成物を用いて集積回路に関連する誘電体層を研摩する方法を提供する。
【解決手段】フュ−ムド砥粒ならびに約0.01〜約5.0wt%の少なくとも1つのCs+塩基性塩からなる化学的機械研摩用組成物。好ましくは、本発明は水、約1〜約50wt%のフュ−ムドシリカ、および約0.1〜2.0wt%のCsOHを含有する化学的機械研摩用組成物である。 (もっと読む)


【解決課題】デバイスウエハ等の平面及びエッジ部分の研磨において、ウエハ等の平面部にヘイズやピット、特に「砥粒残り」を起こしにくい半導体ウエハ研磨用組成物を提供すること。
【解決手段】カリウムイオンの存在下で活性珪酸を原料として製造されるコロイダルシリカを含有する半導体ウエハ研磨用組成物であって、該コロイダルシリカは、カリウムイオンを含有し且つ透過型電子顕微鏡観察による長径/短径比が1.2〜10の範囲にある非球状の異形シリカ粒子群を含有することを特徴とする半導体ウエハ研磨用組成物である。本発明の半導体ウエハ研磨用組成物を用いることにより、半導体ウエハの平面及びエッジ部分の鏡面研磨加工が効果的に行える。 (もっと読む)


【課題】ワークの研磨装置において、研磨レートを高めるとともに、ワークの傷付きを防止する。
【解決手段】この研磨装置1は、機体2と、上下方向の回転軸CT1を中心として機体2に対して回転自在な研磨上面を有する下定盤3と、研磨上面の上側にワークWを保持しうるワーク支持部材9とを備えている。ワーク支持部材9は、ワーク支持部材9に保持されたワークWをワークWの中心から偏心した上下方向の公転軸を中心として機体2に対して公転させうるように構成されている。これにより、ワークWの公転速度が増大しても、遠心力による研磨剤の飛散を抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】加工層のトリミングによって著しい量の材料を除去することなく、平坦性および平面平行度をさらに向上させる。
【解決手段】両面処理装置は、上部加工ディスク13、下部加工ディスク26、転動装置を含み、対称軸28を中心として回転可能に取り付けられ、下部介在層29を下部加工ディスク26の表面上に、上部介在層16を上部加工ディスク13の表面上に取り付けるステップと、3つのトリミング装置によって両方の介在層16、29を同時に平坦にするステップとを備え、各トリミング装置はトリミングディスクと、研削物質を含む1つのトリミング本体と、外側歯部とを含み、コロイド経路上で、圧力を受けて研削作用を有する物質を含まない冷却潤滑材の添加により、転動装置と外側歯部によって動かされ、介在層16、29から材料除去をもたらし、下部加工層32と上部加工層39を下部介在層29と上部介在層16に取り付けるステップを備える。 (もっと読む)


【課題】アルミニウム合金基板の表面にNiPめっき被膜を形成した磁気記録媒体用基板について、アルミナ砥粒を使用しない磁気記録媒体用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アルミニウム合金基板の表面にNiPめっき被膜を形成した磁気記録媒体用基板の表面を研磨する際に、第1の研磨盤を用いて粉砕シリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する粗研磨工程と、第2の研磨盤を用いてコロイダルシリカ砥粒を含む研磨液を供給しながら研磨する仕上げ研磨工程と含むことにより、アルミナ砥粒を使用することなく、この磁気記録媒体用基板の表面に対して良好な研磨処理を施すことができるため、従来のアルミナ砥粒を用いた場合に生じるアルミナ砥粒の磁気記録媒体用基板への突き刺さりを防ぐことが可能である。 (もっと読む)


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