【課題】ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる、研磨装置の提供。
【解決手段】毎回同じ目標板厚値Ａに従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段として上定盤４０を備える、研磨装置であって、上定盤４０によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値Ｔｃを測定するために上定盤４０のモーター駆動軸６１に対する相対位置を計測する接触式変位センサ６５と、上定盤４０によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値Ｔと目標板厚値Ａとの仕上がり誤差に基づいて、接触式変位センサ６５の計測結果に基づいて得られた研磨中板厚値Ｔｃの板厚補正値Ｔｐを算出する制御部９０とを備え、上定盤４０は、板厚補正値Ｔｐが目標板厚値Ａに到達するまでガラス基板を研磨する、ことを特徴とする、研磨装置。 （もっと読む）

【課題】少量多品種では十分サンプル数が集まらないことも考慮し、１）相関状態によって統計的にグルーピングするステップと、２）集まったサンプル数に応じた相関解析を行うステップによりデータマイニングする方式を提供する。
【解決手段】ロガー１０３はウエハ研磨装置１００から送られてくるＥＱデータ（装置データ）を蓄積する。ＦＡ ＨＯＳＴ１０１は半導体装置製造時におけるこれらのＥＱデータと該半導体装置完成品における実測データをサンプルのパッケージとする。ＦＡ ＨＯＳＴ１０１はＥＱデータを一定の相関閾値を持つか否かで採否を決定する。この際、ＦＡ ＨＯＳＴ１０１はサンプル数に応じてこの相関閾値を増減する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ等の基板を研磨面に押圧するためのメンブレンの特性を装置に入力することにより、メンブレンの特性に合わせた最適な研磨条件で基板を研磨することができる研磨装置および方法を提供する。
【解決手段】研磨面を有した研磨テーブル１０１と、圧力流体が供給される圧力室５，６，７を形成する弾性膜であるメンブレン４と、メンブレン４を保持するトップリング本体２とを有し、圧力室５，６，７に圧力流体を供給することで流体圧により基板を研磨面に押圧するトップリング１と、装置内の各機器を制御する制御部とを備え、制御部は、予め測定したメンブレン４の特性を入力することによりメンブレン４の特性に合わせて研磨条件を変更する。 （もっと読む）

【課題】４個の加工手段を備えた加工装置を小型に構成することができる加工装置を提供する。
【解決手段】加工装置は、中心部に開口を備え回転可能に配設されたターンテーブルと、ターンテーブルに正多角形の頂点の位置に配設され被加工物を保持する保持面を備えた少なくとも５個のチャックテーブルと、ターンテーブルの該開口を挿通して立設された支柱と、支柱に少なくとも５個のチャックテーブルのうちの４個のチャックテーブルに対応して配設された４個の加工手段と、４個の加工手段をそれぞれチャックテーブルの保持面に対して垂直な方向に移動せしめる４個の加工送り手段と、ターンテーブルを回動して４個のチャックテーブルを４個の加工送り手段による加工領域に位置付けた状態において余りのチャックテーブルに被加工物を搬入・搬出する搬入・搬出領域とを具備している。 （もっと読む）

【課題】圧力室を形成するメンブレンを用いた基板保持装置において研磨中に半導体ウエハ等の基板の温度を推定して基板の温度を制御することができる基板保持装置および該基板保持装置を備えた研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨面１０１ａを有した研磨テーブル１００と、基板Ｗを保持して研磨面１０１ａに押圧する基板保持装置１と、制御部５０とを備えた研磨装置であって、基板保持装置１は、基板に当接して基板保持面を構成する弾性膜４と、弾性膜４の上方に位置するキャリア４３と、弾性膜４とキャリア４３との間に形成された圧力室５，６，７，８と、弾性膜４からの熱エネルギを測定する赤外線検出器４５とを備え、制御部５０は、赤外線検出器４５による測定値を用いて弾性膜温度推定値を算出する。 （もっと読む）

【課題】研磨パッドの寿命を正確に決定することができ、研磨パッドの交換頻度を少なくすることができる研磨装置を提供する。
【解決手段】本研磨装置は、研磨テーブル１２を回転させるテーブル回転モータ７０と、トップリング２０を回転させるトップリング回転モータ７１と、研磨パッド２２をドレッシングするドレッサ５０と、研磨パッド２２の高さを測定するパッド高さ測定器６０と、研磨パッド２２の高さから研磨パッド２２の減耗量を算出し、研磨パッド２２の減耗量と、テーブル回転モータ７０のトルクまたは電流と、トップリング回転モータ７１のトルクまたは電流とに基づいて研磨パッド２２の寿命を決定する診断部４７とを備える。 （もっと読む）

【課題】研磨ヘッドに残留した異物を効率よく除去することができる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨装置１は、回転可能に構成された研磨定盤と、前記研磨定盤上に配置された研磨パッドと、前記研磨パッド上に研磨剤を供給する研磨剤供給機構と、被研磨物Ｗを保持しながら前記研磨パッドに該被研磨物Ｗを押し当てるチャックプレート１２と、前記チャックプレート１２の外周に前記チャックプレート１２と間隙Ｇを介して配置されたリテーナーリング１４と、間隙Ｇに連通する送液管１６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】研磨装置により円盤状基板の研磨を行う際に、両面の研磨量の差をより小さくすることができ、円盤状基板を配置する位置の違いによる研磨量の差をより小さくすることができる円盤状基板の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に測定溝１０３が形成された２つの測定基板１００を研磨機の第１面を研磨する側と２面を研磨する側に測定溝１０３が対峙するようにそれぞれ配置し、２つの測定基板１００を研磨機によって研磨し、２つの測定基板１００の測定溝１０３の研磨後の深さを測定し、研磨機によるガラス基板の両面の研磨条件を調整することを特徴とする円盤状基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】クラウン形成工程において研磨量をより正確に制御する。
【解決手段】ローバー取付工程では、ローバー１を、第１の面で、凸曲面を有するキーパー１６の凸曲面に固定する。この際、ローバーとキーパー１６との間に、弾性変形可能な保持部材１７を、ローバーの第１の面が保持部材１７の外周縁部の内側に入るように介在させる。ローバー研磨工程では、キーパー１６に保持されたローバー１を、凹曲面１３ａを有する回転する研磨定盤の凹曲面１３ａに押し付けながら、ローバー１の研磨面を研磨する。この際、プローブ３２に、弾性復元力が生じるように押し付け力を加えながら、プローブの先端部３５ａを保持部材１７と凹曲面１３ａとで挟まれた空間Ｓに向け、プローブを空間に挿入して電極パッド５に当接させ、抵抗体の電気抵抗を監視しながら、ローバー１を研磨する。 （もっと読む）

【課題】研磨機により円盤状基板の研磨を行う際に、一方の面が優先的に研磨される現象を抑制し、両面の研磨量の差をより小さくすることができる円盤状基板の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に測定溝１０３，１０４が形成された測定基板１００をガラス基板の両面を同時に研磨する研磨機に配置し、研磨機に配置された測定基板１００の両面を同時に研磨し、研磨後の測定基板１００に残された測定溝１０３，１０４の深さを測定し、研磨機によるガラス基板の両面の研磨条件を調整することを特徴とする円盤状基板の製造方法。 （もっと読む）