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国際特許分類[B24B49/14]の内容

国際特許分類[B24B49/14]に分類される特許

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【課題】研磨パッド表面に向けてガスを噴射して研磨パッドの温度を制御しつつ、基板と研磨パッドとの研磨界面への研磨液供給量が不足して研磨レートが低下するのを抑制したり、適正な研磨レートを保つことができるようにする。
【解決手段】研磨パッドに向けてガスを噴射して研磨パッドの温度を制御しながら、研磨液が供給されている研磨パッドの表面に基板を摺接させて該基板を研磨する研磨方法であって、基板の研磨時に研磨パッドに向けて噴射されるガス流量と研磨パッドに供給される研磨液流量とを互いに連動させる。例えば、基板の研磨時に研磨パッドに向けて噴射されるガス流量と研磨パッドに供給される必要研磨液流量との相関を示すデータを基に、基板の研磨時に研磨パッドに供給される研磨液流量を調整する。 (もっと読む)


【課題】研削割れの発生を防止できるとともに、生産性を向上できる研削方法を提供する。
【解決手段】温度A2および温度A3を設定する設定工程と、研削点Pの温度を測定する測定工程と、研削点Pの測定温度が温度A2および温度A3により定まる温度の範囲内である場合、研削点Pの温度を低下させるように研削条件を再設定する調整工程と、を含み、温度A2は、測定工程および調整工程に要する時間、および研削前に予め設定される砥石20によるワークWへの切込量に基づいて、ワークWに引っ張り残留応力が発生するまでに研削点Pの温度を低下可能な温度に設定され、温度A3は、温度A2よりも低い温度に設定される。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板の板厚の仕上がり寸法バラツキをバッチ間で抑えることができる、研磨装置の提供。
【解決手段】毎回同じ目標板厚値Aに従ってガラス基板の研磨処理を行う研磨手段として上定盤40を備える、研磨装置であって、上定盤40によって今回の研磨処理で研磨されているガラス基板の研磨中板厚値Tcを測定するために上定盤40のモーター駆動軸61に対する相対位置を計測する接触式変位センサ65と、上定盤40によって前回以前の研磨処理で研磨されたガラス基板の仕上がり板厚値Tと目標板厚値Aとの仕上がり誤差に基づいて、接触式変位センサ65の計測結果に基づいて得られた研磨中板厚値Tcの板厚補正値Tpを算出する制御部90とを備え、上定盤40は、板厚補正値Tpが目標板厚値Aに到達するまでガラス基板を研磨する、ことを特徴とする、研磨装置。 (もっと読む)


【課題】圧力室を形成するメンブレンを用いた基板保持装置において研磨中に半導体ウエハ等の基板の温度を推定して基板の温度を制御することができる基板保持装置および該基板保持装置を備えた研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨面101aを有した研磨テーブル100と、基板Wを保持して研磨面101aに押圧する基板保持装置1と、制御部50とを備えた研磨装置であって、基板保持装置1は、基板に当接して基板保持面を構成する弾性膜4と、弾性膜4の上方に位置するキャリア43と、弾性膜4とキャリア43との間に形成された圧力室5,6,7,8と、弾性膜4からの熱エネルギを測定する赤外線検出器45とを備え、制御部50は、赤外線検出器45による測定値を用いて弾性膜温度推定値を算出する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、平行度に優れる磁気記録媒体用ガラス基板の提供を目的とする。また、平行度に優れる磁気記録媒体用ガラス基板を高い生産性で研磨するガラス基板の研磨方法、および該研磨方法を有する磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、磁気記録媒体用ガラス基板の両主平面を研磨する研磨工程において、ガラス基板の両主平面を同時に研磨したときの両面研磨装置の上定盤の内周端側で測定した表面温度tp1と外周端側で測定した表面温度tp2との差Δtp(tp1−tp2)の絶対値が3℃以下であることを特徴とする磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】研削工具の構造や加工時の制御の複雑化を抑制しつつ、シリンダボアの内周面を任意の非真円形状に成形可能なシリンダボアの研削加工装置を提供する。
【解決手段】移動制御部39は、所定の経路に従って研削工具29を移動させ、回転制御部38は、研削工具29を回転させ、温度制御部41は、研削工具29へ流入する前の研削液の温度を、所定の経路における研削工具29の位置に対応して予め設定された目標温度に近づけるように制御し、研削作用面部56がシリンダボア43の内周面43aと接触することにより、シリンダボア43の内周面43aを研削する。 (もっと読む)


【課題】高品質の画像が形成でき且つ経年使用による能力低下がなく、さらに、軸振れを低減又は解消した粗面化処理ができる表面粗面化処理装置及び表面粗面化処理方法を提供する。
【解決手段】表面粗面化処理装置は、回転磁場により磁性砥粒を加工対象物の表面に衝突させる処理を終えた後に、加工対象物の複数の箇所について軸振れ量を計測して、これら複数の箇所のうち軸振れ量が最大となる箇所を検出して、この検出した箇所を、該箇所における軸振れ量に応じた力で、軸振れが小さくなる方向に向けて押圧するので、軸振れが最大となる箇所の軸振れ量を小さくすることができる。そして、これら一連の処理を、加工対象物の複数の箇所における最大の軸振れ量が、所定の基準値以下となるまで繰り返すことにより、軸振れ量が基準値を満足する、即ち、軸振れを解消した粗面化処理ができる。 (もっと読む)


【課題】サンプルに形成された薄膜の除去工程中に該薄膜に関する情報を、渦電流プローブを使用して実状態で取得する方法を開示する。
【解決手段】渦電流プローブに検出コイルを設ける。渦電流プローブの検出コイルに交流電圧を印加する。渦電流プルーブの検出コイルがサンプルの薄膜に近接したときには、該検出コイルで第1の信号を測定する。該検出コイルが、既知の組成を有しおよび/または該コイルから離れて設けられた基準部材に近接する位置にあるときには、該検出コイルで第2の信号を測定する。第1の信号に含まれる利得及び/又は位相の歪みを第2の信号に基づいて校正する。校正した第1の信号に基づいて薄膜の特性値を決定する。上述の方法を実行する装置を更に開示する。加えて、研磨剤でサンプルを研磨し、このサンプルを監視する化学機械研磨(CMP)システムを開示する。このCMPシステムは、研磨テーブルと、研磨テーブル上でサンプルを保持する構成であるサンプルキャリヤと、渦電流プローブとを含む。 (もっと読む)


【課題】 研磨レートの推定精度を高める。
【解決手段】 研磨中における研磨部分の温度を検出すると共に、温度以外の、研磨レートと関係のある所定の物理量を検出する(ステップS1)。そして、その検出した温度の時間的な変化傾向に基づき研磨期間中における少なくとも2つの異なる時間範囲を設定する(ステップS2)。それら各時間範囲毎の研磨部分温度情報と、前記温度以外の物理量の情報とを利用して、研磨レートを推定する(ステップS3)。 (もっと読む)


【課題】加工熱が発生してもチャックテーブルを常に水平に保持することが可能な加工装置を提供する。
【解決手段】被加工物を保持するチャックテーブル44と、加工手段26とを備えた加工装置であって、該チャックテーブル44を固定的に支持する固定支持部80と、該チャックテーブル44を上下方向に移動可能に支持する可動支持部90と、該固定支持部80の温度上昇値を計測する計測手段96と、該可動支持部90の温度上昇値を計測する計測手段98と、温度上昇値に対する該保持面の高さ位置変化量データを記憶した記憶手段102と、該計測手段96,98で計測された温度上昇値と、該記憶手段102に記憶されている該高さ位置変化量データに基づいて該第1及び第2可動支持部90を駆動して、該保持テーブル44の傾きを該加工手段26と平行に補正する制御手段100と、を具備したことを特徴とする。 (もっと読む)


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