【課題】封止品の品質を保ちつつ、封止用材料の硬化時間の短縮により、生産性を向上させる。
【解決手段】キャビティ１１８に配置された基板１０２を封止する封止装置１００において、上型１０６には、カル部１３６と、カル部１３６に対峙すると共にカル部側に底面１２６Ａが形成された空隙１２４とが、それぞれ設けられ、空隙１２４の内部でカル部側に押圧力を発生させる弾性部材１３４と、押圧力を付与されて底面１２６Ａに熱的に接触する接触面１３０Ａが設けられたセラミックヒータ１３０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】第１配線基板と第２配線基板との空間部内に、はんだボールの接続を維持し、溶融モールド樹脂の均一充填が困難な従来のモールド成形方法の課題を解消する。
【解決手段】複数の第１配線基板が造り込まれた基板１１の搭載面に、前記第１配線基板に対応する第２配線基板１６がはんだボール１８で接続された半導体装置をキャビティ３２内に挿入し、第２配線基板１６にリリースフィルム３１を介して当接する駒板３４が、第２配線基板１６に対し独立して接離するモールド金型を用い、第２配線基板１６に対し、基板１１と第２配線基板１６との間隔が充填された溶融モールド樹脂の圧力での拡大を許容する第１圧力をバネ３６で駒板３４に加え、基板１１と第２配線基板１６との空隙内にモールド樹脂を充填した後、はんだボール１８の接続が剥離されることを防止すべく、ストッパー４０，４０に当接した駒板３４から第１圧力よりも高圧の第２圧力を第２配線基板１６に加えて、キャビティ３２内にモールド樹脂を注入する。 （もっと読む）

【課題】樹脂充填速度を制御することのできる樹脂溜まり部を備えたトランスファーモールド金型、及び、その金型を用いて、良好な樹脂封止をおこなうための樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。

【解決手段】本発明によるトランスファーモールド金型は、ランナ部に可動式ゲートと可動式ゲートに近接設置された樹脂溜まり部とを設けている。また、本発明による樹脂封止型半導体装置の製造方法は、このトランスファーモールド金型において、末端キャビティに樹脂が充填される際に、可動式ゲートを開き、樹脂溜まりに樹脂を充填させ、末端キャビティ内の樹脂の充填速度を制御することを可能とする。 （もっと読む）

【課題】溶解した樹脂中の異物を低減して、半導体装置の歩留を向上させることができる樹脂封止装置および樹脂封止方法を提供する
【解決手段】本発明に係る樹脂封止装置１は、上下に対をなす上金型２と下金型３との間に形成され、半導体チップ４１を樹脂封止するためのキャビティ部１７，１８と、上金型２及び下金型３のいずれか一方の金型に形成され、溶解樹脂を供給するポット部１０と、上金型２と下金型３との間に形成され、キャビティ部１７，１８とポット部１０とを連通する樹脂流路１４と、この樹脂流路１４の中途部に設けられ、樹脂流路１４を通過する溶解樹脂に含有される異物を除去するフィルタ２０と、を備え、このフィルタ２０をメッシュ材で構成した。 （もっと読む）

【課題】十分に高い伝熱特性を有しかつより安価な熱伝導性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】本発明の熱伝導性樹脂組成物は、熱硬化性樹脂中に伝熱性材料が均一に分散され、該熱伝導性樹脂組成物の成形体の切断面を二次元的に解析した場合に、該切断面に粒子径が０．３〜２５０μｍの伝熱性粒子が含まれ、そして該伝熱性粒子のうち、０．３〜１０μｍの範囲の粒子径を有する各粒子間の距離が７μｍ以下である。本発明の熱伝導性樹脂組成物は、射出成形という非常に量産性の優れた加工方法において成形することが可能である。 （もっと読む）

【課題】モールド成形品の品質を向上する。
【解決手段】まず、基板１上に、Ｘ方向に延在し、溝部６を有する成形体２ａを形成する。次いで、基板１上に、溝部６を塞ぎながらＹ方向に延在する成形体２ｂを形成する。その後、成形体２ａの形成温度および成形体２ｂの形成温度より高い温度で、成形体２ａの樹脂および成形体２ｂの樹脂を熱硬化する。次いで、成形体２ａと共に基板１をＸ方向で切断し、また、成形体２ｂと共に基板１をＹ方向で切断して、スティフナ７を有するモールド成形品１０を形成する。 （もっと読む）

【課題】離型シートを利用して半導体装置を樹脂封止する際に、封止用樹脂成分による金型汚れを抑えることにより、生産性の向上を可能とする半導体封止装置の製造方法およびこれにより得られる外観が良好な半導体封止装置を提供することを目的とする。
【解決手段】成形用金型内の所定位置に配置された半導体装置の被封止面と前記被封止面と対向する前記成形用金型内面に配置された離型シートとの間に、エポキシ樹脂成形材料を注入封止する工程を少なくとも含む半導体封止装置の製造方法であって、前記エポキシ樹脂成形材料として、（Ａ）ビフェニルエポキシ樹脂、（Ｂ）軟化点が７０℃以上であるフェノールアラルキル樹脂、（Ｃ）硬化促進剤および（Ｄ）無機質充填剤を必須成分として含有するエポキシ樹脂成形材料を用いることを特徴とする半導体封止装置の製造方法およびこれにより得られる半導体封止装置。 （もっと読む）

【課題】成形した樹脂成形品にバリが生じることなく、かつ正確な離型抵抗力を測定でき、樹脂成形品の品質を保つことができる樹脂成形品の成形装置および成形方法を提供する。
【解決手段】樹脂成形品の成形装置が、キャビティ１を有する金型２と、キャビティ１の底面に設けられた開口部から金型２の底面に設けられた開口部まで連通するエジェクターピン経路９と、エジェクターピン経路９内を移動可能なエジェクターピン６と、金型２の底面の開口部の直下に配置されている突き上げ手段８とで構成されている。また、エジェクターピン６は蓋部３と軸部４とを有し、軸部４はエジェクターピン経路９内に位置し、蓋部３はキャビティ１１の底面に設けられた開口部を塞ぐことができるようにキャビティ内に位置する。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ形式で半導体チップが搭載された半導体装置に対して確実にアンダーフィルをすると共に、フィレット部を形成すること。
【解決手段】上金型２０に形成されたエア流路７０と、上金型２０から下金型３０へ向けられ、上金型２０の型面にはゲート１６およびキャビティ５０を形成するキャビティ壁２６が形成され、キャビティ壁２６が先端側に向けてキャビティ５０を拡げる傾斜壁面をなし、キャビティ５０内に収容される半導体装置６０の半導体チップ６４の平面領域よりも外方位置にエア流路７０が開口し、キャビティ壁２６に吸着したリリースフィルム８０へのエア給排状態を切り替えることにより、キャビティ５０内のリリースフィルム８０のセット状態を切り替えて、配線基板６２と半導体チップ６４との間にアンダーフィル樹脂９０を充てんした後に引き続きフィレット部６６を形成することができる構成を採用した。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の電子部品302 を樹脂封止成形するための樹脂成形型に対して樹脂封止前基板300 の装着と樹脂封止済基板の取出作業を簡易に行う。
【解決手段】搬送プレート209 に基板搬送体211 を昇降自在に嵌装し、該基板搬送体の上面には樹脂封止前基板300 の載置部216 を設け且つその下面には樹脂封止済基板の係着部217 を設ける。樹脂成形型への基板の装着時には基板搬送体211 を上下両成形型間に進入させると共に、成形用下型の上動力を利用して基板搬送体211 を上昇させ且つその上面載置部216 に載置した樹脂封止前基板300 を成形用上型の基板装着面に止着する。
また、樹脂成形型からの基板の取出時にも成形用下型の上動力を利用して樹脂封止成形された樹脂封止済基板を基板搬送体211 下面の係着部217 に止着すると共に、この係着状態で該基板を外部へ取り出す。 （もっと読む）