【課題】９００℃，１００時間の熱処理によるＯＨ基濃度の減少量が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とするチタニアドープ石英ガラス、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】火炎加水分解により合成微粒子を回転するターゲット上に堆積すると同時に溶融ガラス化してチタニアドープ石英ガラスを製造する方法において、バーナーの中心管に供給される酸素ガスがケイ素源原料ガス及びチタン源原料ガスの和のモル比で５以上であること、水素ガスがバーナーの一又は複数の水素ガス供給管から噴射されるに際しての線速がそれぞれ１００ｍ／ｓｅｃ以下であること、各ガスの供給流量の変動を±１％以内に制御すると共に、炉内に吸入する空気、炉からの排気及び炉周囲の外気の各々の温度の変動を±２．５℃以内に制御して、上記ターゲットを５ｒｐｍ以上の回転数で回転させ、上記微粒子をターゲット上に付着させるようにした製造条件による。 （もっと読む）

【課題】ドーパント濃度分布が小さい金属ドーパント含有多孔質石英ガラス体の製造方法の提供。
【解決手段】複数のガス供給ノズルが同心円状に配置された多重管バーナーの中央ノズルから、金属ドーパント前駆体、および、ＳｉＯ₂前駆体と、を供給し、該多重管バーナーの酸水素火炎中で加水分解してガラス微粒子を生成し、生成したガラス微粒子を基材に堆積、成長させて多孔質石英ガラス体を製造する方法であって、前記多重管バーナーは、前記基材のガラス微粒子堆積面に相当する位置における火炎温度の最高点Ｔ₁（℃）が該多重管バーナーの中心軸の延長線上にはなく、前記基材のガラス微粒子堆積面に相当する位置において、該火炎温度の最高点Ｔ₁（℃）となる部位（基端）と該多重管バーナーの中心軸の延長線（先端）とを結ぶ仮想線を引いた場合に、該仮想線の先端方向の延長線上における火炎温度の最高点をＴ₂（℃）とするとき、Ｔ₁−Ｔ₂≧３０℃であり、前記基材の回転軸と、前記多重管バーナーの中心軸と、が一致しないように前記多重管バーナーを配置し、製造される多孔質石英ガラス体におけるドーパント濃度分布に応じて、前記回転軸からの前記Ｔ₁となる部位までの距離と、前記回転軸からの前記Ｔ₂となる部位までの距離と、の大小関係を調整することを特徴とする多孔質石英ガラス体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】
従来、半導体熱処理治具に一般に使用されてきた天然シリカ粉熔融石英ガラスは金属不純物、特に銅の拡散阻止能を持たない。金属不純物拡散阻止能を有し、高温粘性の高い石英ガラスを提供する。
【解決手段】
高純度の合成シリカ粉を電気炉中溶解やプラズマ溶解することにより、Ｓｉ孤立電子対含有濃度を０．５×１０^１６個／ｃｍ^３以下にし、さらに、ＯＨ基含有濃度を５０ｗｔ．ｐｐｍ以下にすることにより、金属不純物拡散阻止能を有し、半導体熱処理時に粘性率の高い石英ガラスが得られる。 （もっと読む）

【課題】モールド上部の断熱性（保温性）を向上させて、アーク加熱時の均熱性および熱効率を向上させることにより、石英ルツボ上部の径小薄肉化により切断除去を余儀なくされる部分を減少して、原料コストを低減する。
【解決手段】円筒状の直胴部と、すり鉢状の底部と、これらを連接するコーナー部とをそなえる石英ルツボ製造用モールドにおいて、該モールドの円筒状直胴部の上端から少なくとも１／５の上部領域を、高断熱構造とする。 （もっと読む）

【課題】石英ルツボにシリコン原料融液が連続的又は断続的に供給された場合であっても、内壁の侵食に起因した石英ルツボの破損を抑制できる単結晶引上げ用ルツボ及び単結晶引上げ方法を提供する。
【解決手段】石英ルツボ２０は、側壁２１の外周に、石英材料からなり、その上端部の高さ位置が、前記石英ルツボ２０の側壁の下端から測定して、前記側壁の上端までの距離の60〜90％の範囲にあり、その下端部の高さ位置が、前記石英ルツボ２０の側壁の下端から測定して、前記側壁の上端までの距離の5〜30％の範囲にある側壁補強部２２を設けて、前記側壁部分を厚肉側壁部２３とし、シリコン単結晶の引上げ時、石英ルツボ２０が加熱されて軟化し、前記厚肉側壁２３部が前記黒鉛ルツボ３０の内壁面３０ａ形状に対応して変形することで、石英ルツボ２０の前記厚肉側壁部２３が内面側に部分的に迫り出してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高寸法精度、高耐熱性を有するシリカ容器を低コストで製造できるシリカ容器の製造方法、及び、このようなシリカ容器を提供する。
【解決手段】 Ｌｉ、Ｎａ、Ｋの合計濃度が５０ｗｔ．ｐｐｍ以下である基体形成用原料粉と、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを合計で５０〜２０００ｗｔ．ｐｐｍ含有する内層形成用原料粉を作製し、型枠内で基体の仮成形体を形成し、その内表面上に内層の仮成形体を形成し、水素若しくはヘリウム又はそれらの混合ガスを１０ｖｏｌ．％を超える比率で含有するガス雰囲気にて、放電加熱溶融法により基体と内層の仮成形体の内側から加熱することによって、基体の仮成形体の外周部分を焼結体とするとともに、基体の仮成形体の内周部分及び内層の仮成形体を溶融ガラス体とすることにより、外周部分に気泡を含有する基体と、該基体の内表面上に形成された、透明シリカガラスからなる内層とを有するシリカ容器を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】従来分析が困難であった、短時間の拡散で拡散距離が数ｃｍにも及ぶ石英ガラス中の非常に速い拡散速度を持つ金属不純物の拡散について、石英ガラス中の、深さ方向に数ｃｍに渡る金属不純物濃度分布を測定し、金属不純物の拡散係数を算出する方法を提供する。
【解決手段】石英ガラスの一面のみから金属不純物を拡散させた後、金属不純物を拡散させた面と平行に試料を切り出し、前記試料の前記石英ガラス表面からの正確な位置を測定し、前記試料中の金属不純物濃度を測定することで金属不純物の拡散速度を算出することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、石英ルツボにシリコン原料融液が連続的又は断続的に供給され、前記シリコンルツボ内でシリコン原料融液の液面高さ位置が実質的に一定の状態となる場合であっても、内壁の侵食に起因した石英ルツボの破損を抑制できる単結晶引上げ用ルツボ及び単結晶引上げ方法を提供することにある。
【解決手段】前記石英ルツボ２０が、側壁外周の所定の高さ位置Ｈに、石英材料からなる側壁補強部２２を設けて前記側壁部分を厚肉側壁部２３とし、シリコン単結晶５の引上げ時、石英ルツボ２０が加熱されて軟化し、前記厚肉側壁２３部が前記黒鉛ルツボ３０の内壁面３０ａ形状に対応して変形することで、石英ルツボ２０の前記厚肉側壁部２３が内面側に部分的に迫り出してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶の引上げ中に、石英ガラス製ルツボの減肉判定を容易かつ正確に実施できる石英ガラス製ルツボを提供する。
【解決手段】上面に開口した縁部を有する円筒状の直胴部と、すり鉢状の底部と、それらを連接するコーナー部とを備える石英ガラス製ルツボ１であって、少なくとも直胴部の内壁面の水平線上、１箇所または２箇所以上に凹部２または窪み群３を設ける。凹部の幅は、１〜５００μmとし、その深さは、１μm以上とする。 （もっと読む）

【解決手段】硫黄をドープしたチタニアドープ石英ガラス部材。
【効果】本発明によれば、ＥＵＶリソグラフィの実用機に適したゼロ膨張となる温度を有し、広い低熱膨張温度域を有する、硫黄を共添加したチタニアドープ石英ガラス部材、その製造方法、及びこの硫黄を共添加したチタニアドープ石英ガラス部材からなるＥＵＶリソグラフィ用フォトマスク基板等のＥＵＶリソグラフィ用光学部材を提供することができる。 （もっと読む）