本発明は、溶融鋳型内に粒子層を形成させ、該粒子層を石英ガラスるつぼの形成下に焼結又は溶融させることによる、単結晶引上げ用石英ガラスるつぼの公知の製造法をベースとしている。高純度である点で傑出しており、かつ、気泡不含となるように再現性よく調節することを可能にするばかりでなく、所定の均一な細孔性をも可能にする、石英ガラスるつぼのための石英ガラスの廉価な製造を提供するために、本発明によれば、該粒子層の少なくとも一部をシリカガラス顆粒から作製し、その製造が以下の方法工程を含むことが提案される：実質的に均一な回転楕円状のモルホロジーを有する圧縮成形体の形成下に、シリカ粉末をロールブリケッティング法を用いて機械的に圧密化する工程、及び該圧縮成形体又は該圧縮成形体の破片を熱的に圧密化し、シリカガラス顆粒にする工程。
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【課題】低コストの石英ガラス成形体製造方法を提供する。
【解決手段】厚さ１ｃｍ、直径５０ｃｍの円形のカーボン板の上に、幅２０ｃｍ、長さ３０ｃｍ、厚さ３ｃｍのカーボン板を６枚組み合わせて正六角柱の外筒を組み上げ、外筒の外側を専用のカーボン治具で固定した。さらに正六角柱の下部及び内側面にカーボンフェルトを設置した。この正六角柱の外筒の中に直径２９ｃｍ、高さ２４ｃｍの円筒状の石英ガラス母材を置き、１７００℃において３時間加熱溶融し、一辺２０ｃｍで高さ１５ｃｍの正六角柱の石英ガラス成形体を得た。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径Ｄ₅₀から算出した理論比表面積で割った値が１．００〜１．３５、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．７５〜１．００及び未溶解率が０．００〜０．２５であり、炭素濃度が２ｐｐｍ未満又は塩素濃度が２ｐｐｍ未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径から算出した理論比表面積で割った値が１．３５を超え１．７５以下、真密度が２．１０ｇ／ｃｍ³〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５以下、円形度が０．５０以上０．７５以下及び球状化率が０．２０以上０．５５未満であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高温及び減圧の環境下での使用においても、気泡の発生又は膨張が少ない合成シリカガラス製品のための原料に適する、合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の合成非晶質シリカ粉末は、造粒されたシリカ粉末を焼成し、この焼成したシリカ粉末に球状化処理を施した後、洗浄し乾燥して得られた平均粒径Ｄ₅₀が１０〜２０００μｍの合成非晶質シリカ粉末であって、ＢＥＴ比表面積を平均粒径Ｄ₅₀から算出した理論比表面積で割った値が１．００〜１．３５、真密度が２．１０〜２．２０ｇ／ｃｍ³、粒子内空間率が０〜０．０５、円形度が０．７５〜１．００及び球状化率が０．５５〜１．００であり、炭素濃度が２ｐｐｍ未満又は塩素濃度が２ｐｐｍ未満のいずれか一方或いはその双方を満たすことを特徴とする。 （もっと読む）

高品質シリコン材料(例えば、多結晶シリコン) を形成するためのシステム。特定の実施態様において、溶融材料には、シリコン材料及び不純物(例えば、リンの種)が含まれる。システムには、内側領域を備えるるつぼが含まれる。特定の実施態様において、るつぼは、適切な材料(例えば石英材料又は他のもの)でできている。石英材料は、シリコンを処理するために少なくとも摂氏1400度の温度に耐えることができる。特定の実施形態において、るつぼは、直立に配置されて、溶融材料を露出させる開放域を備える。特定の実施形態において、本システムは、エネルギー源を備える。かかるエネルギー源は、アークヒーター又は他の適切な加熱装置であってもよい。これには、複合加熱装置が含まれ、それらは、同じものか異なるものであってもよい。アークヒーターは、開放域より上に構成されて、露出溶融材料とアークヒーター銃口部との間の隙間によって間隔が開いている。露出溶融材料の中心付近内で、規定の温度プロファイルを形成させると共に、溶融材料の外側領域をるつぼの石英材料の融点より低い温度に維持する。システムは、結果としてリン種を0.1ppm以下含む溶融材料を生産する。これが、精製されたシリコンである。 （もっと読む）

発明の一例にしたがえば、光ファイバは、(ｉ)Ａｌドープシリカを含むが、ＥｒまたはＹｂは実質的に含まない、第１の屈折率ｎ_１を有するコア、(ii)コアを囲む、ｎ_１＞ｎ_２であるような、第２の屈折率ｎ_２を有する、少なくとも１つのＦドープシリカ系クラッド層であって、実質的にＳｉＯ_２及び０.２５〜５重量％のＦを含むクラッド層、(iii)クラッド層を囲む気密炭素系コーティングであって、厚さが２００〜１０００Åである気密コーティング、及び(iv)気密コーティングを囲む第２のコーティングであって、厚さが５μｍから８０μｍである第２のコーティング、を有する。
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【課題】ＥＵＶＬ実施時において、光学部材全体の線熱膨張係数がほぼゼロとなるＥＵＶＬ光学部材用基材の提供。
【解決手段】ＴｉＯ₂を含有するシリカガラスからなり、対向する２つの面における、線熱膨張係数（ＣＴＥ）が０ｐｐｂ／℃となる温度（クロスオーバー温度：Ｃｒｏｓｓ−ｏｖｅｒ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ；ＣＯＴ）の差が５℃以上である、ＥＵＶリソグラフィ光学部材用基材。 （もっと読む）

【課題】
半導体製造用部材、液晶製造用部材、ＭＥＭＳ製造用部材として好適に利用可能な、腐蝕環境で用いる熔融石英ガラス部材を提供する。
【解決手段】
熔融石英ガラス部材に対して、以下の腐蝕曝露試験を行った際、腐食の深さ比（Ａ＋Ｂ）／Ａの値が１１５％以上となる局部腐蝕部が存在しない熔融石英ガラス。
腐蝕曝露試験：（１）２０ｍｍ×２０ｍｍ×２ｍｍ厚の熔融石英ガラスサンプルを調整し、その表面に光学鏡面を形成した後、７ｍｍ×７ｍｍ部分をマスクする。（２）反応性イオンエッチング装置を用い、ＣＦ_４ガス、Ｏ_２ガス及びＡｒを同時に流しながら、装置内圧力を１４Ｐａとして、マスクを施したガラス表面全体を、３００Ｗで４時間エッチングする。（３）ガラス表面からマスクを取り除き、マスク部と腐蝕を受けた非マスク部との段差量（Ａ）を測定する。（４）非マスク部表面に存在する凹部（局部腐蝕部）につき、非マスク部表面からの深さ（Ｂ）を測定する。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶引き上げに用いる石英ガラスルツボであって、クリストバライト化の進行が抑制された石英ガラスルツボを提供する。
【解決手段】石英ガラスルツボ１１１を作製した後、前記作製した石英ガラスルツボの外面側を研削することにより、あるいは、石英ガラスルツボの外面を熱処理することにより、前記作製した石英ガラスルツボ１１１の外層部１４２に存在するシリカの結晶相１５１を除去する。この結果、前記石英ガラスルツボ１１１の全体が石英ガラス１２１からなり、前記石英ガラスルツボ１１１の外層部１４２にシリカの結晶相１５１が実質的に存在しない石英ガラスルツボ１１１が得られる。 （もっと読む）