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国際特許分類[C03B20/00]の内容

国際特許分類[C03B20/00]に分類される特許

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【課題】 中心部から周辺部にわたり、OH基濃度を均一に低減し易い合成石英ガラスを容易に製造する。
【解決手段】 同心円状に複数のガス噴出管15aが配置された多重管構造15bを有し、中心から原料ガスが噴出されると共に、周囲のガス噴出管15bから水素含有ガス及び酸素含有ガスが組合されて噴出され、合成用バーナ15から水素が過剰となる流量比で各ガスを噴出させて酸水素火炎を形成し、酸水素火炎内で生成された合成石英ガラスを堆積させてインゴットを形成する際、多重管構造部15bの同心円状に配置されたガス噴出管15aの数を調整すると共に、組合された水素含有ガスと酸素含有ガスとの流量比を調整することにより、インゴットの有効領域におけるOH基濃度の変化を所定範囲にする。 (もっと読む)


【課題】 励起光を効率よく利用でき、分解力が高い光触媒担持シリカスート体とその製造方法、及び光触媒担持シリカスート体を用いた高性能な空気清浄装置、排ガス処理装置、排水処理装置及び浄水装置の提供。
【解決手段】 シリカガラス微粒子を堆積させて形成されたシリカスート体に光触媒が担持されてなることを特徴とする光触媒担持シリカスート体。シリカガラス微粒子を堆積させて形成されたシリカスート体を、光触媒粒子および/または光触媒前駆体を含む溶液に浸漬し、該溶液を含浸させた後、乾燥することで光触媒を担持させることを特徴とする光触媒担持シリカスート体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 安定性が高くかつ耐久性に優れた低コストな炉心管を備えた加熱炉及びそれを用いたガラス加工方法を提供する。
【解決手段】 本発明の加熱炉10は、複数の分割体14a〜eを軸方向へ積層した筒状の炉心管13と、炉心管13の外周に設けられたヒータ16a〜cとを備え、炉心管13内で多孔質ガラス母材を加熱加工する加熱炉であって、分割体14a〜eは、リング状のスペーサ15a〜dを介して互いに積層され、スペーサ15a〜dは、分割体14a〜eの端面同士の間に配置されるスペーサ部と、分割体14a〜eの外周側または内周側の少なくとも一方で分割体14a〜eの軸方向へ延在して分割体14a〜eに接触する壁部19とを有する。 (もっと読む)


【課題】UV領域以下の短波長の露光に用いられる反射型フォトマスク用Tiドープ低熱膨張石英ガラス基板につき、平坦度≦100nm、表面の自乗平均平方根粗さ≦0.15nmRMSを同時に満足する加工法を提供する。
【解決手段】不活性ガスと反応ガスとの混合ガス中にガラス基板を配し、ガラス基板に対向して設けた電極に高周波電圧を印加して生成した局所的なプラズマによって反応ガスのラジカルを生成し、ガラス基板とラジカルとを化学反応させて生成する反応生成物の揮発量を、予め測定したガラス基板の表面形状データを基に制御してガラス基板表面を高平坦化する方法において、ガラス基板がTiドープ低熱膨張石英ガラスであり、混合ガス全量に対して酸素系ガスの存在が0.01vol%以下で加工を行なう。 (もっと読む)


高シリカ純度で、形状と粒子径が均斉のとれたシリカマイクロスフィアを提供する。外径50〜125μm、好ましくは60〜90μm、壁厚1μm以上、好ましくは1〜3μm、および密度0.3〜0.7g/cmを有し、シリカマイクロスフィア(M)全重量に対してシリカを95重量%以上、好ましくはシリカマイクロスフィア(M)全重量に対してシリカを99重量%以上含むシリカマイクロスフィア(M)である。 (もっと読む)


【課題】粒子の肥大化を防いで目標とする粒径の球状の粒子を効率よく得る。
【解決手段】筒状部材1の端部で環状に形成されて環状の燃焼ガスを噴射する環状バーナ10、30と、環状バーナの内周に配置されて、筒状部材1の端部1A近傍で開口する筒状の原料供給管2は、環状バーナ10、30の内周で同軸的に配置された円筒状の部材で形成され、原料供給管2が開口する端部2Aには、内部を通過する無機質粉体原料の上流から下流に向けて流路断面積を徐々に縮小する円錐状のコーン4が配置される。 (もっと読む)


【課題】 酸素用ポートを複数有するマルチノズル型バーナを用いて、良好な水素の燃焼効率を実現して加熱時間の短縮を図るとともに、酸素及び水素の使用量を少なくすることのできるガラス母材の加熱方法を提供する。
【解決手段】 本発明のガラス母材の加熱方法は、酸素用ポート3aを複数有するマルチノズル型バーナ1を使用してガラス母材Gを加熱して火炎研磨する際に、酸素用ポート3aの出口断面積の合計に対する水素用ポート2aの出口断面積の合計の比が、2〜24の範囲内である。 (もっと読む)


【課題】本発明は石英ガラスからなる被覆された部材を製造するための方法に関するが、それにより前記部材表面は基体の石英ガラスとは異なる二酸化珪素ガラス成分により少なくとも部分的に覆われる。本発明の目的は、コスト的に有利で再現可能なやり方で製造でき、かつあらゆる厚さを有する二酸化珪素ガラス成分により石英ガラス部材を被覆し、さらにその具体的な実施例に基づく種々の機能を発揮できる新規な方法を提供することである。
【解決手段】そのために、二酸化珪素粒子を含む非晶質スリップ層を製造して、基体表面に塗布し、乾燥され、さらにガラス化されたスリップ層を形成することにより二酸化珪素ガラス部材を製造する。このようにして被覆された二酸化珪素ガラス部材は、特に半導体生産において有利に使用される。 (もっと読む)


【課題】 本発明の目的は、光ファイバ用多孔質母材を脱水、透明ガラス化する際に、この光ファイバ用多孔質母材を支持するサポート棒や支持棒の変形を少なくし、かつ光ファイバ母材の有効長も長く取ることができ、しかもコア偏心量やクラッド非円率の小さい光ファイバを得ることのできる光ファイバ母材の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 本発明の光ファイバ母材の製造方法は、炉心管5を有する加熱炉の前記炉心管5内に上端が支持棒6で支持された光ファイバ用多孔質母材を挿入して脱水、透明ガラス化する光ファイバ母材の製造方法において、炉心管5の長手中心軸での最高温度が1500℃となるように加熱炉の温度を設定したとき、炉心管5の長手中心軸の温度が1000〜1300℃の位置での炉心管5内の周方向同一面内における温度差が10℃以下であることを特徴とする。
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単結晶シリコン成長プロセスの間に半導体材料を保持するための石英ガラスのルツボは、以下の側壁部を有する。側壁部の一部は失透化促進剤によって被覆されており、側壁部の一部は失透化促進剤コーティングを実質的に有していない。インゴット成長プロセスの場合と同様にルツボを加熱すると、失透化促進剤は側壁部の部分の結晶化を導き、それによって剛性向上側壁部分が形成される。失透化プロモータを実質的に有さない領域は石英ガラス状態で残され、熱によって軟化する。この領域は応力調節側壁部分になる。応力調節側壁部分の中で石英ガラス材料がフローすることによって、そうでない場合に側壁部に蓄積される応力が緩和される。
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