本発明は、一般式（Ｉ）のフェノキシフェニルアミジン、その生産方法及び望ましくない微生物を抑制するための前記アミジンの使用及び前記フェノキシフェニルアミジンを含む前記目的のための薬剤に関する。さらに、本発明は、微生物及び／又はその生息環境に前記化合物を適用することによって、望ましくない微生物を抑制するための方法に関する。 （もっと読む）

Ｃ３ａ受容体活性の調節剤である化合物、前記化合物を含有する組成物ならびに前記化合物および組成物を使用する方法を提供する。ある種の実施形態では、前記化合物は、ピリドンである。ある種の実施形態では、Ｃ３ａ受容体活性の調節に関連する疾患を治療または改善するための方法を提供する。 （もっと読む）

対応する金属含有薄膜のＣＶＤ／ＡＬＤに有用なアンチモン、ゲルマニウム、およびテルル前駆体、ならびに該前駆体を含む組成物、該前駆体を作製する方法、ならびに該前駆体を使用して製造される膜およびマイクロ電子デバイス製品、さらに対応する製造方法が記載される。本発明の前駆体は、ゲルマニウム−アンチモン−テルル（ＧＳＴ）膜、および該膜を含む相変化メモリデバイス等のマイクロ電子デバイス製品の形成に有用である。
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金属（IV）テトラキス（N,N’−ジアルキルアミジネート）は合成され、特性を決定された。例示金属はハフニウム、ジルコニウム、タンタル、ニオブ、タングステン、モリブデン、錫及びウランを含む。これらの化合物は揮発性、高熱的安定性、及び、金属およびそれらの酸化物、窒化物ならびに他化合物蒸着適性である。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法、ＡＬＤ法の原料として熱安定性と気化特性を有する化合物、その製造方法、その化合物を用いた薄膜及び形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表される化合物を原料とした金属含有薄膜を形成する。
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【課題】 簡便に高品位のアゾビスアミジノ化合物塩酸塩の製造方法を製造する方法を提供する。
【解決手段】 粗製アゾビスアミジノ化合物塩酸塩を水に溶解し、含まれる不溶解分を除去した後に無機塩または塩化水素を添加し、当該アゾビスアミジノ化合物塩酸塩を析出させる工程を含む、アゾビスアミジノ化合物塩酸塩の製造方法である。反応工程で副生する不純物を簡便に除去することができ、高品位のアゾビスアミジノ化合物塩酸塩を製造することができる。 （もっと読む）

本発明は表面活性化剤を用いる原子層蒸着（ＡＬＤ）法において表面上にルテニウム含有フィルムを形成させる方法およびこれらの方法においてルテニウム前駆体として使用できるルテニウム錯体に関する。 （もっと読む）

インシリコ分子モデリングにより同定され、そしてこの化合物とカゼインキナーゼ２酵素の基質中のリン酸化ドメイン又はその環境との相互作用によりリン酸化事象の阻止を可能にする構造を持つ化合物。また、本発明は該化合物を含有する医薬組成物及び新生物に関係する疾患の治療のための医薬品の製造にそれを使用することを含む。 （もっと読む）

本発明は、Ｍ−１ムスカリン受容体のアゴニストである式（Ｉ）：


で示される化合物に関する。
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化合物から対イオンを選択的に除去する方法が開示されている。本方法から誘導される化合物、例えば、ゼロ〜2モル当量の塩酸を有する化合物S-[2-[(1-イミノエチル)アミノ]エチル]-2-メチル-L-システイン双性イオンもまた開示されている。 （もっと読む）