【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、一般式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
ＲＯＣ（＝Ｏ）Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
（ＲＯは水酸基、又は炭素数１〜２０のオルガノオキシ基を示す。Ｒ¹は炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を示し、ＲＯと共に単環もしくは多環構造を形成していてもよい。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。更にはＡｒＦ液浸露光の際の水への溶出も抑えることができるのみならず、ウエハー上に残る水の影響も少なく、欠陥も抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジスト組成物において優れた解像度とライン幅ラフネスを有し、ＡｒＦ液浸工程において水への溶出の少ない新規な酸発生剤を提供する。
【解決手段】酸発生剤は下記化学式１で表される。


式中、Ｘは炭素数３〜３０の単環または多環式の炭化水素基で、少なくとも１つ以上の水素がエーテル基、エステル基、カルボニル基、アセタール基、エポキシ基、ニトリル基、またはアルデヒド基を含んでもよい炭素数１〜１０のアルキルまたはアルコキシ基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基、炭素数１〜１０のヒドロキシアルキル基またはシアノ基を表し、Ｒ_６は炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシまたはＮ、ＳおよびＦからなる群から選択されるヘテロ原子であり、ｍは０〜２の整数であり、Ａ＋は有機対イオンである。 （もっと読む）

【課題】より長い時間にわたって発色及び／又は消色を保持することができるエレクトロクロミック素子を提供すること。
【解決手段】下記一般式（１）に示す構造式からなることを特徴とするエレクトロクロミック化合物。


（ただし、Ａは一価の結合基を、Ｂは酸化還元発色団を、Ｘはハロゲン原子を、ｎは１以上の整数を表わす。） （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジスト材料に用いられる光酸発生剤などとして有用な、２−アルキルカルボニルオキシ−１，１−ジフルオロエタンスルホン酸オニウム塩を製造するための有用な中間体および工業的な製造方法を提供する。
【解決手段】カルボン酸ブロモジフルオロエチルエステルを、スルフィン化剤を用いてスルフィン化する際に、有機塩基を使用することによって、２−（アルキルカルボニルオキシ）−１，１−ジフルオロエタンスルフィン酸アンモニウム塩を得る。これを酸化して２−（アルキルカルボニルオキシ）−１，１−ジフルオロエタンスルホン酸アンモニウム塩を得る。これを原料とし、オニウム塩に交換するか、鹸化・エステル化を経てオニウム塩に交換することで、２−アルキルカルボニルオキシ−１，１−ジフルオロエタンスルホン酸オニウム塩類を得る。 （もっと読む）

【課題】医薬、農薬及び含フッ素重合体等の機能性材料の合成中間体として有用な２−ブロモ−２，２−ジフルオロエタノールの工業的な製造方法を提供する。また化学増幅型レジスト材料に用いられる光酸発生剤などとして有用な、２−アルキルカルボニルオキシ−１，１−ジフルオロエタンスルホン酸塩の工業的な製造方法を提供する。
【解決手段】安価に入手可能であるブロモジフルオロ酢酸誘導体類をアート型のヒドリド錯体で還元することにより２−ブロモ−２，２−ジフルオロエタノールを得る。この２−ブロモ−２，２−ジフルオロエタノールを原料とし、順次エステル化工程、スルフィン化工程、酸化工程を経ることで、２−アルキルカルボニルオキシ−１，１−ジフルオロエタンスルホン酸塩類を得る。 （もっと読む）

【課題】良好なパターン形状を有するパターンを形成することができ、高い解像度を示す化学増幅型レジスト組成物を与える酸発生剤となる塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で示されることを特徴とする塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、Ｔはメチレン基又はカルボニル基を表し、Ｕ^１、Ｕ^２及びＵ^３は、互いに独立に、水素原子、炭素数１〜４のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、水酸基、ヒドロキシメチル基、シアノ基を示すか、又はＵ^１とＵ^２とがひとつになってオキソ基を示してもよい。ただし、Ｕ^１、Ｕ^２及びＵ^３は、同時に水素原子であることはない。Ａ^＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】活性放射線、特に、ＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシマレーザーあるいはＥＵＶに代表される遠紫外線や電子線等に感応する感放射線性酸発生剤として、良好な燃焼性を示し、また人体蓄積性にも問題がなく、しかも発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、発生する酸（光発生酸）が適度な沸点を有するばかりでなく、レジスト被膜中での拡散長が適度に短くなり、さらにはレジスト溶剤に対する溶解性及び樹脂との相溶性に優れた新規な光酸発生剤として機能する化合物を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表されるスルホン酸オニウム塩。


（前記式（１）において、Ｒ¹は１価の有機基、Ｑ⁺はスルホニウムカチオンまたはヨードニウムカチオンを表す） （もっと読む）

本発明は、殺菌、抗バクテリア、抗感染、抗菌、殺胞子、消毒、抗真菌および抗ウイルス化合物および組成物、並びに治療へのかかる組成物の新規な使用に関する。本明細書は、かかる新規な化合物および組成物の使用方法についても記載する。更に本明細書は、かかる化合物の調製方法も記載する。 （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、一般式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
ＲＣ（＝Ｏ）Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ（ＣＦ₃）ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
（Ｒは水酸基、アルキル基、アリール基、ヘテロアリール基、アルコキシ基、アリールオキシ基又はヘテロアリールオキシ基。Ｒ¹は酸素原子、窒素原子、硫黄原子等のヘテロ原子を持つ置換基を有してもよい二価有機基で、Ｒと共に環状構造を形成してもよい。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。また、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示されるスルホン酸塩。


（Ｒ¹はＣ１〜２０のアルキル基、又はＣ６〜１５のアリール基又はＣ４〜１５のヘテロアリール基。Ｍ⁺はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオン。）
【効果】本発明のスルホン酸は、α，β−位がフッ素で部分置換されているため強い酸性度を示す上、様々な置換基の導入が容易であり、分子設計の幅が大きい。更に、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤は、デバイス作製工程での各種工程に問題なく使用でき、ＡｒＦ液浸露光の際の水への溶出も抑え、ウエハー上に残る水の影響も少ない。また、エステル部位が塩基性条件下で加水分解されるため、レジスト廃液を適切に処理することで、低分子量の低蓄積性化合物へと変換可能で、燃焼廃棄時の燃焼性も高い。 （もっと読む）