【課題】反応ステップが簡素化されると同時に、従来の製造過程において発生した、精製過程で反応容器に反応中間体が付着して収率が落ちるという問題を解決して顕著に高い収率でスルホニウム塩を製造すること。
【解決手段】本発明は、スルホニウム塩の製造方法およびそれによって製造されたスルホニウム塩に関し、明細書中の化学式１で示される化合物に化学式２で示される化合物を加えてトランスエステル化反応させ、反応中間体を生成する第１ステップ、および前記反応中間体に無機塩を加えて置換反応させ、下記化学式３で示される化合物を生成する第２ステップを含む。前記化学式１および化学式２の構造と前記化学式３において、前記Ｑ_１、Ｑ_２、Ｒ_３、Ｘ、Ｍ、ｎ、ｍの定義は詳細な説明に記載された通りである。 （もっと読む）

【課題】解像度およびマスクエラーエンハンスメントファクターに優れた化学増幅型レジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ａ１）で表される塩を酸発生剤としてレジスト組成物に使用すれば、上記目的を達成できる［式（Ａ１）中、Ｚ⁺は有機カチオンを表す。Ｑ¹及びＱ²はフッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。Ｒ^a1は２価の環式の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｒ^a2は式（ＩＩ−１）又は式（ＩＩ−２）で表される脱離基である。式（ＩＩ−１）及び式（ＩＩ−２）中、Ｒ^a3及びＲ^a4は水素原子又は脂肪族炭化水素基を表す。Ｒ^a5は脂肪族炭化水素基を表す。Ｒ^a6は２価の脂肪族炭化水素基を表す。Ｒ^a7は脂肪族炭化水素基を表す。］。
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【課題】新規な化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物及び該レジスト組成物を用いるレジストパターン形成方法。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材、および光酸発生剤を含有するレジスト組成物であって、光酸発生剤が一般式（ｂ１−１）で表される化合物；式（ｂ１−１）中、Ｙ^１０は炭素数５以上の環状の炭化水素基であって酸解離性基を表し；Ｒ^６およびＲ^７は水素原子、アルキル基又はアリール基を表し、互いに結合して環を形成してもよく；Ｙ^１１およびＹ^１２はアルキル基又はアリール基を表し、互いに結合して環を形成してもよい。Ｘ⁻はアニオンである。
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【課題】高い感度及び良好なラインエッジラフネスを示すフォトレジスト組成物を製造。
【解決手段】式（Ｉ−Ｐ）で表される塩。


［式（Ｉ−Ｐ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、独立して、Ｆ又はペルフルオロアルキル基；Ｘ^１は、単結合又は置換基を有していてもよい飽和炭化水素基表す。該基に含まれる−CH₂−基は-O-又は-CO-基で置換されていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）及びフォーカスマージン（ＤＯＦ）を有するパターンを形成することができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。
【解決手段】式（ａ１）で表される塩。［式（ａ１）中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｘ^１は、−ＣＯ−Ｏ−Ｘ^ａ１−又は−ＣＨ_２−Ｏ−Ｘ^ａ２−を表す。Ｘ^ａ１及びＸ^ａ２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１５のアルキレン基を表し、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｙ^１は、置換基を有していてもよい炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基、又は置換基を有していてもよい炭素数６〜２４の芳香族炭化水素基を表し、該脂環式炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。]
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【解決手段】高エネルギー線又は熱に感応し、一般式（１）で示されるスルホン酸を発生する光酸発生剤を含む化学増幅型レジスト材料。


（Ｒは芳香環あるいは炭素数５以上の脂環式炭化水素構造を有する一価の炭化水素基。Ｒ’はＨ又はトリフルオロメチル基。Ａ¹はエステル結合、エーテル結合、チオエーテル結合、アミド結合、カーボネート結合のいずれかを示す。ｎは１〜３の整数。）
【効果】本発明の光酸発生剤より生ずる酸は、スルホネートに嵩高い環式構造で酸拡散を抑制しつつ、直鎖状炭化水素基の存在によって適度な機動性も有していることから、適度な酸拡散挙動を示す。また、レジスト材料中の樹脂類との相溶性もよく、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程に問題なく使用でき、解像性能、ＬＷＲ、露光余裕度といった問題も解決できる。 （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができる塩及び該塩を含むレジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ−ＣＣ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、Ｆ原子又はペルフルオロアルキル基；Ｘ^１は、単結合又は−［ＣＨ_２］_ｋ−、ｋは１〜１７の整数；Ｙ^１は脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基；Ａ^１及びＡ^２は脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基か、Ａ^１とＡ^２とが一緒になって環を形成してもよい；Ａｒ^１は（ｍ_４＋１）価の芳香族炭化水素基；Ｂ^１は、単結合又はアルキレン基；Ｂ^２は酸の作用により脱離し得る基；ｍ_１及びｍ_２は０〜２、ｍ_３は１〜３、ｍ_４は１〜３の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れた形状を示すパターンを形成し得る化学増幅型レジスト組成物を与える酸発生剤となる塩及び、特に、液浸露光に好適に用いられ、欠陥の発生が少ない化学増幅型フォトレジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（ａ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、Ｆ原子又はＣ１〜６のペルフルオロアルキル基；Ｘ^１は、−［ＣＨ_２］_ｋ−を表し、ｋは、１〜１８の整数；Ｘ^２は、単結合、直鎖状又は分岐状のＣ１〜１２の脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基等；Ｙ^１は、Ｃ３〜３６の脂環式炭化水素基；−Ｘ^２−Ｙ^１基は、少なくとも１つのＦ原子を含む；Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ＬＷＲ及びＭＥＥＦが小さく、粗密バイアスにも優れ、保存安定性が良好な感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】樹脂（Ａ）と、感放射線性の酸発生剤（Ｂ）と、酸拡散抑制剤（Ｃ）と、溶剤（Ｄ）とを含有し、前記酸発生剤（Ｂ）が下記一般式（Ｉ）で示される化合物であり、前記溶剤（Ｄ）がプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを全溶剤に対して５０〜９０質量％含有する感放射線性樹脂組成物。


（一般式（Ｉ）中、Ｍ^＋はスルホニウムカチオンまたはヨードニウムカチオンを示す。） （もっと読む）

【課題】優れた解像度、ラインエッジラフネス及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】酸発生剤と樹脂とを含有する化学増幅型フォトレジスト組成物であって、前記樹脂が、酸に不安定な基及びラクトン環を有するモノマーに由来する構造単位（ｂ３−２）を含む樹脂である化学増幅型フォトレジスト組成物。構造単位（ｂ３−２）の好ましい例は、酸の作用によりカルボキシ基を生じ且つラクトン環を有するモノマーに由来する構造単位である。 （もっと読む）