【課題】化学増幅型レジスト材料の光酸発生剤の提供。
【解決手段】下記一般式（１ａ）又は（１ｂ）で示されるスルホニウム塩。


（式中、Ｒはヘテロ原子を含んでもよい炭素数７〜３０の直鎖状、分岐状又は環状の１価の炭化水素基を示し、ｎ’は１〜４の整数を示す。）
【効果】レジスト材料に用いた場合には液浸水への溶出も少なく、またパターン依存性（ダークブライト差）が少ない。 （もっと読む）

【課題】 感度及びラフネス特性に優れた半導体用レジスト組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体用レジスト組成物は、下記一般式（Ｉ）により表される化合物を含有している。
【化１】
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【課題】レジスト組成物用酸発生剤として好適な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（ｂ１）で表される化合物；該酸発生剤；酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分及び露光により酸を発生する酸発生剤成分が一般式（ｂ１）で表される化合物であるレジスト組成物。式中、Ｒ¹は、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、又は、複素環式基を示し；Ｒ^２は、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を示し；ｘは０〜６の整数であり；ｎは０〜３の整数であり；Ｘ⁻はアニオンを示す。
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【課題】優れた感度、高安定性、及び高解像度が得られ、ガス排出量及びＬＥＲを低減することができる、化合物、これを含む重合体、及びその重合体を含む化学増幅型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】下式で表される化合物、その化合物を単量体として含む重合体。


［式中、Ｒ₁₁は水素原子、炭素数１〜１０のアルキル基等を表し、Ｑ₁、Ｑ₂は各々独立に水素原子またはハロゲン原子を表し、Ａ＋は有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】光酸発生剤、この製造方法、及びこれを含むレジスト組成物を提供する。
【解決手段】光酸発生剤は下記化学式で表される化合物である。Ｘ、Ｙ、Ｑ₁、Ｑ₂、ｎ、及びＡ＋の定義は詳細な説明に記載した通りである。光酸発生剤は、露光時に発生する酸の拡散速度が遅く、拡散距離が短く、適切な酸度を有するため、ＬＷＲ特性を改善でき、工程に使用する純水などの溶媒への溶出を制御することができる。
【化１】
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【課題】新規の光酸発生剤化合物（ＰＡＧ）およびこれを含むフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】下記式（Ｉ）および（ＩＩ）：


（式（Ｉ）および（ＩＩ）のそれぞれにおいて、Ｍ＋は有機オニウム基を表し；Ｒ１はステロイド構造であり；ｍは０〜１０の整数であり；ｎは正の整数である）から選択される光酸発生剤化合物。 （もっと読む）

【課題】解像力に優れ、露光ラチチュード（ＥＬ）が広く、また線幅バラツキ（ＬＷＲ）が小さいパターンを形成できるパターン形成方法、これに用いる化学増幅レジスト組成物及びレジスト膜を提供する。
【解決手段】化学増幅型レジスト組成物により膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程、を含むパターン形成方法であり、前記化学増幅型レジスト組成物が、（Ａ）樹脂、（Ｂ）活性光線又は放射線の照射により下記一般式（Ｉ）で表される酸を発生する化合物、（Ｃ）架橋剤、及び、（Ｄ）溶剤、を含有することを特徴とするパターン形成方法。式（Ｉ）中、Ａは、環状の有機基を表す。その他の各符号は所定の構造を表す。
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【課題】光酸発生剤化合物（ＰＡＧ）の新規の合成方法、新規の光酸発生剤化合物、およびそのＰＡＧ化合物を含むフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】ポジ型またはネガ型フォトレジスト組成物において使用するための、スルホニウム（＞Ｓ＋）成分を含む新規の光酸発生剤化合物（ＰＡＧ）。特に好ましいスルホニウムＰＡＧは、ジフルオロスルホン酸カチオン成分（例えば、Ｒ−ＣＦ２ＳＯ３−、ここで、Ｒは非水素置換基である）を含む。また、スルホニウム含有光酸発生剤を製造するための合成方法は、置換アルキルスルフィドを環化して、シクロペンチル、シクロヘキシルまたはシクロヘプチルスルホニウムＰＡＧ（例えば、ＲＳ＋＜（ＣＨ２）４−６（式中、Ｒは非水素置換基である））を合成する。 （もっと読む）

本発明は、式（I）又は（II）の酸、例えば、相応するスルホニウム塩及びインドニウム塩ならびに相応するスルホニルオキシムを生成する化合物に属し、式（I）又は（II）中、ＸはＣＨ₂又はＣＯであり；ＹはＯ、ＮＲ₄、Ｓ、Ｏ（ＣＯ）、Ｏ（ＣＯ）Ｏ、Ｏ（ＣＯ）ＮＲ₄ 、ＯＳＯ₂、Ｏ（ＣＳ）又はＯ（ＣＳ）ＮＲ₄ であり；Ｒ₁は、例えばＣ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₀−ハロアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₁₂−アルケニル、Ｃ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニル、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₃−アルキル、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、中断されているＣ₂〜Ｃ₁₈−アルキル、中断されているＣ_３〜Ｃ₃₀−シクロアルキル、中断されているＣ_３〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、中断されているＣ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニル、フェニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル、ビフェニリル、フルオレニル又はヘテロアリールであり、全て非置換であるか又は置換されている；又はＲ₁は、ＮＲ₁₂Ｒ₁₃であり；Ｒ₂とＲ₃は、例えば、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキレン、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキレン、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキレン、Ｃ₁〜Ｃ₁₀−ハロアルキレン、Ｃ₂〜Ｃ₁₂−アルケニレン、Ｃ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニレン、フェニレン、ナフチレン、アントラシレン、フェナントリレン、ビフェニレン又はヘテロアリーレンであり；全て非置換であるか又は置換されている；Ｒ₄は、例えばＣ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₀−ハロアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₁₂−アルケニル、Ｃ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニル、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₃−アルキルであり；Ｒ₁₂とＲ₁₃は、例えばＣ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル、Ｃ₃〜Ｃ₃₀−シクロアルキル−Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₈−アルキル、Ｃ₁〜Ｃ₁₀−ハロアルキル、Ｃ₂〜Ｃ₁₂−アルケニル、Ｃ₄〜Ｃ₃₀−シクロアルケニル、フェニル−Ｃ₁〜Ｃ₃−アルキル、Ａｒ、（ＣＯ）Ｒ₁₅、（ＣＯ）ＯＲ₁₅又はＳＯ₂Ｒ₁₅であり；かつＡｒは、フェニル、ビフェニリル、フルオレニル、ナフチル、アントラシル、フェナントリル又はヘテロアリールであり、全て非置換であるか又は置換されている。
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【課題】本発明は、高エネルギー線を光源としたフォトリソグラフィーにおいて、レジスト材料として用いることのできるスルホニウム塩、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】式（１）で示されるスルホニウム塩。


（式中、Ｘ、Ｙは重合性官能基を有する基を示す。Ｚはヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３３の二価の炭化水素基を示す。Ｒ^１はヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３６の二価の炭化水素基を示す。Ｒ^２及びＲ^３はそれぞれヘテロ原子を含んでいてもよい炭素数１〜３０の一価の炭化水素基を示すか、あるいはＲ^２及びＲ^３が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。） （もっと読む）