【課題】ナノエッジラフネスを低減することができ、かつ焦点深度に優れるフォトレジスト組成物の提供。
【解決手段】［Ａ］下記式（１）で表される化合物、及び［Ｂ］下記式（２−１）で表される構造単位（Ｉ）を有する重合体を含有するフォトレジスト組成物である。
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【課題】 適度な強度の酸を発生させ、かつ、発生酸の移動、拡散を適度に制御することが可能であり、また、基板との密着性を損なわない酸発生単位をベースポリマーに導入することができるスルホニウム塩、該スルホニウム塩を用いた高分子化合物、該高分子化合物をベースポリマーとして用いた化学増幅型レジスト組成物および、該化学増幅型レジスト組成物を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 下記一般式（１）で表される重合性アニオンを有するスルホニウム塩。
【化１】
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【課題】新規化合物、高分子化合物、レジスト組成物、酸発生剤及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】式（１−１）で表される化合物［式中、Ｒ^１、Ｒ^３はそれぞれ独立に、単結合又は２価の連結基であり、Ａは２価の連結基であり、Ｒ^２、Ｒ^４はそれぞれ独立に、水酸基、置換基を有していてもよい炭化水素基、又は式（１−ａｎ１）、（１−ａｎ２）又は（１−ａｎ３）で表される基である。n０は０又は１である。Ｙ¹は単結合又は−ＳＯ_２−であり、Ｒ^５はフッ素原子で置換されていてもよい、炭素数１〜１０の１価の炭化水素基、炭素数３〜２０の環状の１価の炭化水素基、又は炭素数３〜２０の環状の部分構造を有する１価の炭化水素基である。Ｍ^＋は有機カチオン又は金属カチオンである］。
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【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ)で表される塩、この塩を含有する酸発生剤及びこの酸発生剤と樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は２価の飽和炭化水素基を表し、該基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｌ^２は、単結合又はアルカンジイル基を表し、該基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｙは、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基を表し、該基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい；Ｚ^＋は有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ネガ型現像プロセスにおいて、エッチング耐性に優れたレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法、及び該レジストパターン形成方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、及びレジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、基材成分（Ａ）として、アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を用い、酸発生剤成分（Ｂ）が、環構造をアニオン部に有する酸発生剤（Ｂ１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】フォトレジスト用原料として、優れた性能を有する重合性光酸発生モノマーを提供する。
【解決手段】下記構造を有するモノマー化合物：


式中、各Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３は独立してＨ、Ｆ、Ｃ_１−１０アルキル、フッ素置換Ｃ_１−１０アルキル、Ｃ_１−１０シクロアルキル、もしくはフッ素置換Ｃ_１−１０シクロアルキルであって、ただしＲ^１、Ｒ^２もしくはＲ^３の少なくとも１つはＦであり；ｎは１〜１０の整数であり、Ａはハロゲン化されたもしくはハロゲン化されていないＣ_２−３０オレフィン含有重合性基であり、並びにＧ^＋は有機もしくは無機カチオンである。このモノマーは、スルトン前駆体と、ヒドロキシ含有のハロゲン化されたもしくはハロゲン化されていないＣ_２−３０オレフィン含有化合物のオキシアニオンとの反応生成物である。ポリマーは式（Ｉ）のモノマーを含む。 （もっと読む）

【課題】高い解像性と良好な保存安定性を与え、電子線、遠紫外線、極紫外線などを用いた微細加工に有用な化学増幅レジスト材料の提供。
【解決手段】（Ａ）式（１）の３級アミン化合物（Ｂ）式（２）の酸発生剤、（Ｃ）酸不安定基で保護された酸性官能基を有するアルカリ現像液不溶又は難溶の樹脂であって、該酸不安定基が脱保護されたときにアルカリ現像液可溶となるベース樹脂、（Ｄ）有機溶剤を必須成分として含有する化学増幅レジスト材料。


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【解決手段】一般式（１ａ）又は（１ｂ）で示されるスルホニウム塩。


（Ｒはヘテロ原子を含んでもよい炭素数７〜３０の直鎖状、分岐状又は環状の１価の炭化水素基を示し、ｎは１〜４の整数を示す。）
【効果】本スルホニウム塩は、親水性の高いフェノール性水酸基やエチレングリコール鎖を有しており、特定アニオンと組み合て用いた場合には液浸水への溶出も少なく、またパターン依存性が少なく、化学増幅型レジスト材料の光酸発生剤として非常に有用。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＥＦ性能及びＬＷＲ性能等のリソグラフィー性能に優れ、かつパターン倒れ耐性にも優れる感放射線性樹脂組成物の提供。
【解決手段】[Ａ］酸分解性基を有する構造単位から成る重合体、［Ｂ］放射線の照射により、スルホン酸、カルボン酸又はスルホンアミドを発生し、このスルホン酸、カルボン酸及びスルホンアミドがα位の炭素原子に結合する少なくとも１個のフッ素原子又はパーフルオロアルキル基を有する化合物、並びに［Ｃ］放射線の照射により、スルホン酸、カルボン酸又はスルホンアミドを発生し、このスルホン酸、カルボン酸及びスルホンアミドがα位の炭素原子に結合するフッ素原子及びパーフルオロアルキル基をいずれも有さない化合物を含有する感放射線性樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】短工程で重合性光酸発生モノマーを製造する方法の提供。
【解決手段】式（Ｉ）のスルトンを、重合性基を有する求核試薬と反応させて得たカチオン塩を第２のカチオンと交換する。


（式中、各Ｒは独立してＦ、Ｃ_１−１０アルキル、フッ素置換Ｃ_１−１０アルキル、Ｃ_１−１０シクロアルキル、もしくはフッ素置換Ｃ_１−１０シクロアルキルであって、ただしＲの少なくとも１つはＦであり；ｎは０〜１０の整数であり、並びにｍは１〜４＋２ｎの整数である。） （もっと読む）