【課題】優れたマスクエラーファクターでのレジストパターン製造用レジスト組成物の提供。
【解決手段】構造単位（ａａ）と、構造単位（ａ１−１）又は構造単位（ａ１−２）の構造単位（ａｂ）とを有する樹脂（Ａ１）；構造単位（ａａ）を有さず、樹脂（Ａ１）が有する構造単位（ａｂ）と同一の構造単位（ａｂ）を有する樹脂（Ａ２）；酸発生剤を含有し、かつ「０．８＜α／β＜１．２、αは樹脂（Ａ１）の全構造単位に対する樹脂（Ａ１）中の構造単位（ａｂ）のモル％；βは樹脂（Ａ２）の全構造単位に対する樹脂（Ａ２）中の構造単位（ａｂ）と同一の構造単位のモル％」の関係を満たすレジスト組成物。
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【課題】フォトレジストポリマーに重合可能な新規光酸発生剤化合物、およびこの重合性光酸発生剤を含むフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）を有する化合物：


式中、Ｑはハロゲン化されているかもしくはハロゲン化されていないＣ_２−３０オレフィン含有基であり、Ａはフッ素置換Ｃ_１−３０アルキレン基、フッ素置換Ｃ_３−３０シクロアルキレン基、フッ素置換Ｃ_６−３０アリーレン基、もしくはフッ素置換Ｃ_７−３０アルキレン−アリーレン基であり、Ｚはスルホナート、スルホンアミドもしくはスルホンイミドを含むアニオン性基であり、並びにＧ^＋は特定のカチオンである。 （もっと読む）

【課題】 ラフネス特性に優れ、且つ、膜減りや裾引きのない良好なパターン形状を形成可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂、（Ｂ）カチオン部に窒素原子を含み且つ活性光線又は放射線の照射により分解して酸を発生するオニウム塩、及び（Ｃ）下記一般式（１−１）または（１−２）で表される、活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。（一般式（１−１）及び（１−２）中の各符号は明細書に記載の意味を表す。）
【化１】
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【課題】レジスト材料に用いた場合に液浸水への溶出およびパターン依存性（ダーク・ブライト差）が少なく、化学増幅レジスト材料の光酸発生剤として有用である、カチオン部分にフルオロアルコキシ鎖を有するスルホニウム塩の提供。
【解決手段】一般式（２）で示されるアニオン部を有するスルホニウム塩。


（Ｒ¹は水素原子又はヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜３０の直鎖状、分岐状又は環状の１価の炭化水素基を示す。Ｒ²は水素原子又はトリフルオロメチル基を示す。Ｒ^fは少なくとも１つ以上の水素原子がフッ素原子で置換された炭素数１〜４のアルキル基を示す。） （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性が良好なレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、該レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物及び酸発生剤の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）として、一般式（ｂ１−１）で表される基をカチオン部に有する酸発生剤（Ｂ１）を含有するレジスト組成物。
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【課題】多種多様なカチオンおよびアニオンの組み合わせを可能とし、かつ工業的にも簡便であるイオン液体の製造方法を提供する。
【解決手段】硫酸エステルのアンモニウム塩（１）、リン酸エステルのアンモニウム塩（２）、またはスルホン酸のアンモニウム塩と、窒素含有化合物とを反応させる工程を含むイオン液体の製造方法。


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【課題】優れた解像度を有するパターンを得ることができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ)で表される塩。［Ｑ^１及びＱ^２はフッ素原子又はＣ_１-６ペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１及びＬ^２はＣ_１-１７アルキレン基を表し、該アルキレン基の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。環Ｗ^１はＣ_３-３６飽和炭化水素環を表す。Ｒ^２はＣ_１-６アルキル基又はＣ_１-６アルコキシ基を表す。ｓは０〜２の整数を表す。環Ｗ^２はＣ_３-３６飽和炭化水素環を表す。Ｒ^４はヒドロキシル基、Ｃ_１-６ヒドロキシアルキル基又はＣ_１-６ヒドロキシアルコキシ基を表す。ｖは、１〜３の整数を表す。Ｒ^５は、Ｃ_１-６アルキル基又はＣ_１-６アルコキシ基を表す。ｗは、０〜２の整数を表す。Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］
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【解決手段】一般式（１）で示される含窒素有機化合物。


（Ｒ¹は水素原子、アルキル基、又はアリール基を示す。Ｒ²とＲ³はそれぞれ独立に水素原子、アルキル基、又はアリール基を示し、Ｒ²とＲ³は互いに結合してこれらが結合する炭素原子と共に環を形成してもよい。Ｒ⁴はアルコキシ基で置換されていてもよいアリール基を示す。）
【効果】本発明の含窒素有機化合物を配合したポジ型化学増幅レジスト材料において、高エネルギー線の露光により発生した酸との反応によりカーバメートの脱保護反応が進行し、露光前後の塩基性度が変化することにより、解像性の高い、特にパターンの矩形性に優れ、ダーク・ブライト差の小さい良好なパターン形状を得ることができる。 （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示されるスルホン酸塩。


（Ｒ¹はＣ１〜２０のアルキル基、又はＣ６〜１５のアリール基又はＣ４〜１５のヘテロアリール基。Ｍ⁺はリチウムイオン、ナトリウムイオン、カリウムイオン、アンモニウムイオン、又はテトラメチルアンモニウムイオン。）
【効果】本発明のスルホン酸は、α，β−位がフッ素で部分置換されているため強い酸性度を示す上、様々な置換基の導入が容易であり、分子設計の幅が大きい。更に、これらスルホン酸を発生する光酸発生剤は、デバイス作製工程での各種工程に問題なく使用でき、ＡｒＦ液浸露光の際の水への溶出も抑え、ウエハー上に残る水の影響も少ない。また、エステル部位が塩基性条件下で加水分解されるため、レジスト廃液を適切に処理することで、低分子量の低蓄積性化合物へと変換可能で、燃焼廃棄時の燃焼性も高い。 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）を有するパターンを形成することができる塩及びレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す；Ｌ^１は、２価の炭素数２〜１７の飽和炭化水素基を表し、前記２価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい；Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立に、炭素数１〜１２の炭化水素基を表す；Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）