【課題】高解像性、疎密依存性、露光マージンに優れるレジスト材料を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるスルホニウム塩。


（Ｒ¹はＨ、Ｆ、メチル基又はトリフルオロメチル基。Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴はアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又はアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基、あるいはＲ²、Ｒ³及びＲ⁴が式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。Ａはヘテロ原子を含んでいてもよい環状構造の二価の炭化水素基。ｎは０又は１。） （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジスト組成物において、優れた解像度とライン幅ラフネスを有し、ＡｒＦ液浸工程において水への溶出の少ない新規な酸発生剤およびその製造時に用いられる中間物質を合成する製造方法を提供。
【解決手段】酸発生剤は下記化学式で表される。ＸはＣ１〜１０のアルキレン、−Ｘ_１−Ｏ−Ｘ_２−またはＮ、ＳおよびＦからなる群から選択されたヘテロ原子であり、前記Ｘ_１およびＸ_２は各々独立にＣ１〜１０のアルキレンであり、Ｙは１つ以上の芳香族環を含むＣ５〜３０の炭化水素環であり、前記炭化水素環の環状の１つ以上のＨ原子が−Ｏ−Ｙ_１、−ＣＯ−Ｙ_２、Ｃ１〜６のアルキル基、炭素数１〜６のアルコキシ基など、前記Ｙ_１およびＹ_２は各々独立に炭素数１〜６のアルキル基であり、ｎは０または５の整数であり、Ａ^＋は有機対イオンである。
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【課題】新規なレジスト組成物、該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、該ポジ型レジスト組成物用の成分、特に酸発生剤として有用な新規な化合物および酸発生剤を提供する。
【解決手段】トリフェニルメタンを骨格とする特定のフェノール化合物および該フェノール化合物における−ＯＨの水素原子の一部が有機基で置換された置換フェノール化合物からなる群から選択され、一分子中に少なくとも２つの−ＯＨを有する化合物における−ＯＨのうち、少なくとも１つの−ＯＨの水素原子が式（Ｉ）で表される基で置換され、少なくとも１つの−ＯＨの水素原子が酸解離性溶解抑制基を含む特定の基で置換されている化合物を含有するレジスト組成物。
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【課題】ラインエッジラフネスを低くし、ガス発生量を減らし、高い感度や高い熱安定性などの特性を有する化学増幅型レジスト組成物とそれに用いられる光酸発生剤を含有した新規な高分子化合物を提供する。
【解決手段】化学式１で表される化合物。


（化学式１） （もっと読む）

【課題】フォトリソグラフィーにおいて、高解像性かつ露光余裕度に優れたレジスト材料のベース樹脂用の単量体として有用な重合性アニオンを有するスルホニウム塩、そのスルホニウム塩から得られる高分子化合物、その高分子化合物を含有するレジスト材料及びそのレジスト材料を用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるスルホニウム塩。


（ＡはＣ１〜２０の二価の有機基。ｎは０又は１） （もっと読む）

【課題】解像性能に優れ、かつ、ナノエッジラフネスの小さい化学増幅型レジストを形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示されるスルホン酸基含有感放射線性酸発生剤（Ａ）と、樹脂成分全体を１００ｍｏｌ％としたとき、酸解離性基を有する繰り返し単位の合計が２５〜４０ｍｏｌ％である樹脂（Ｂ）と、を含有する感放射線性樹脂組成物である。


〔前記一般式（１）において、Ｒ^１は炭化水素基等を示し、Ｍ^＋は１価のオニウムカチオンを示す。〕 （もっと読む）

【課題】露光量が変動した際のレジストパターン寸法の変化が小さい（ＥＬマージンが大きく）レジスト組成物、および該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、並びに、当該レジスト組成物用の酸発生剤および当該酸発生剤として有用である化合物の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分と、一般式（ｂ１）で表される化合物からなる酸発生剤を含有するレジスト組成物。式（ｂ１）中、Ｙ^１は置換基を有していてもよい炭素数１〜４のフッ素化アルキレン基であり、Ｘは置換基を有していてもよい炭素数３〜３０の脂肪族環式基であり、Ｒ^１１’は置換基を有していてもよいアリール基またはアルキル基であり、Ｒ^３は水素原子またはアルキル基であり、ｎ１は０または１であり、Ａは、当該Ａが結合した硫黄原子とともに３〜７員環構造の環を形成する２価の基であり、前記環は置換基を有していてもよい。
［化１］
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【課題】解像性能に優れ、かつ、ナノエッジラフネスの小さい化学増幅型レジストを形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１）で示される部分構造を有する感放射線性酸発生剤と、（Ｂ）樹脂とを含有する感放射線性樹脂組成物。


〔一般式（１）において、Ｒ^１は１価の炭化水素基等を示す。〕 （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザー光等に対して高感度で、発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、かつレジスト被膜中での拡散長が適度に短く、またマスクパターンの疎密度への依存性が小さい新規な酸発生剤、当該酸発生剤を構成する新規なスルホン酸塩、当該酸発生剤から発生するスルホン酸、当該酸発生剤を合成する原料ないし中間体として有用なスルホン酸誘導体、並びに当該スルホン酸塩を製造するための方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造を有する酸発生剤によって、前記課題は解決する。


〔一般式（１）において、Ｒは置換もしくは非置換の炭素数１〜３０の直鎖状もしくは分岐状の１価の炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数３〜３０の環状もしくは環状の部分構造を有する１価の炭化水素基、置換もしくは非置換の炭素数６〜３０のアリール基または置換もしくは非置換の炭素数４〜３０の１価のヘテロ環状有機基を表す。〕 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジスト組成物において、優れた解像度とライン幅ラフネスを有し、ＡｒＦ液浸工程において水への溶出の少ない新規な酸発生剤、および酸発生剤の製造時に用いられる中間体および中間体物質を合成する製造方法を提供する。
【解決手段】化学式１または２で表される酸発生剤（式中、Ｘは炭素数１〜２０のアルキル、ハロアルキル、アルキルスルホニル基であって、少なくとも１つ以上の水素がエーテル基、エステル基、カルボニル基、アセタール基、ニトリル基、シアノ基、ヒドロキシ基、カルボキシル基またはアルデヒド基で置換又は非置換されたアルキル、ハロアルキル、アルキルスルホニル基、炭素数１〜４のペルフルオロアルキル基を表し、Ｒ₆は炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数１〜１０のアルコキシ、またはＮ、Ｓ、Ｆ、Ｏから選択されたヘテロ原子であり、ｍは０〜２の整数であり、Ａ＋は有機対イオンである）。


（化学式１）


（化学式２） （もっと読む）