【課題】 上記ＰＦＯＳ等のパーフルオロアルキルスルホニル構造を有する感放射線性酸発生剤のような問題がなく、解像性能に優れ、露光により発生する酸が気化せず、拡散長が適度に短いという特性を有すると共に、レジストパターンの線幅のバラツキの指標であるＬＷＲ（Ｌｉｎｅ Ｗｉｄｔｈ Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が小さく、かつ、膜減り量の少ないレジストパターンを形成可能な感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）部分フッ化アルキル構造を有する感放射線性酸発生剤と、（Ｂ）特定の環状カーボネート構造を有する樹脂と、を含有する感放射線性樹脂組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジスト材料に用いられる光酸発生剤などとして有用な、フルオロアルカンスルホン酸オニウム塩を製造するための有用な中間体および工業的な製造方法を提供する。
【解決手段】カルボン酸ブロモフルオロアルキルエステルを、スルフィン化剤を用いてスルフィン化する際に、有機塩基を使用することによって、フルオロアルカンスルフィン酸アンモニウム塩を得る。これを酸化してフルオロアルカンスルホン酸アンモニウム塩を得る。これを原料とし、オニウム塩に交換するか、鹸化・エステル化を経てオニウム塩に交換することで、フルオロアルカンスルホン酸オニウム塩を得る。 （もっと読む）

【課題】化学増幅型レジスト材料に用いられる光酸発生剤などとして有用な、フルオロアルカンスルホン酸オニウム塩を製造するための有用な中間体および工業的な製造方法を提供する。
【解決手段】ブロモフルオロアルコールを、スルフィン化剤を用いてスルフィン化する際に、有機塩基を使用することによって、ヒドロキシフルオロアルカンスルフィン酸アンモニウム塩を得る。これを酸化してヒドロキシフルオロアルカンスルホン酸アンモニウム塩を得る。これを原料とし、エステル化を経てオニウム塩に交換することで、フルオロアルカンスルホン酸オニウム塩を得る。 （もっと読む）

【課題】得られる塩の収率が高い塩の製造方法を提供する。
【解決手段】式（Ａ）で表される塩と式（Ｂ）で表される塩とを、塩化銀の存在下で反応させることを特徴とする式（Ｃ）で表される塩の製造方法。（Ａ）Ｚ^＋Ｘ⁻（Ｂ）Ａ^＋−Ｏ_３ＳＲ（Ｃ）Ｚ^＋−Ｏ_３ＳＲ式（Ａ）、式（Ｂ）及び式（Ｃ）中、Ｚ^＋は、有機カチオンを表し、Ｘ⁻は、Ｂｒ⁻又はＩ⁻を表し、Ａ^＋は、アルカリ金属カチオンを表す。Ｒは、直鎖状又は分岐状の炭素数１〜１２の脂肪族炭化水素基、置換基を有してもよい炭素数４〜３６の脂環式炭化水素基あるいは置換基を有してもよい炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。前記脂肪族炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子及び／又はカルボニル基で置換されていてもよく、前記脂肪族炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基で置換されていてもよい。 （もっと読む）

【課題】レジスト溶剤及び樹脂に対する溶解性（相溶性）が十分高く、保存安定性が良好であり、ＰＥＤ安定性があり、焦点深度がより広く、感度が良好であり、特に解像性とパターンプロファイル形状に優れた化学増幅型レジスト材料を与える化学増幅型レジスト材料用として有効な新規スルホン酸塩と光酸発生剤及びこれを用いたレジスト材料、フォトマスクブランク、並びにパターン形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で示されるスルホン酸塩。
Ｒ^１−ＣＯＯＣ(ＣＦ_３）_２−ＣＨ₂ＳＯ₃^-Ｍ⁺ （２）
（式中、Ｒ^１はヘテロ原子を含んでもよい炭素数１〜５０の直鎖状、分岐状又は環状の一価の炭化水素基を示す。Ｍ^＋はカチオンを示す。） （もっと読む）

【解決手段】一般式（１）で示されるスルホニウム塩。


（Ｒ¹はヘテロ原子を含んでもよい一価の炭化水素基を示す。Ｒ¹がビニル基及びイソプロペニル基である場合を除く。Ｒ²、Ｒ³及びＲ⁴はアルキル基、アルケニル基又はオキソアルキル基、又はアリール基、アラルキル基又はアリールオキソアルキル基を示すか、あるいはＲ²、Ｒ³及びＲ⁴のうちのいずれか２つ以上が相互に結合して式中の硫黄原子と共に環を形成してもよい。ｎは１〜３。）
【効果】本発明の化学増幅型レジスト材料は、焦点余裕度に優れ、ＰＥＤが長時間にわたる場合にも線幅変動、形状劣化が少なく、現像後のパターンプロファイル形状に優れ、また微細加工に適した高解像性を有する。 （もっと読む）

【課題】優れた形状及びラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができる化学増幅型フォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】２３℃における水への溶解度が０．１％以下である酸発生剤と、樹脂とを含有する液浸露光用化学増幅型フォトレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れた形状及びラインエッジラフネスを有するパターンを形成することができる化学増幅型フォトレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される酸発生剤及び式（ＩＩ）で表される構造単位を有する樹脂を含有する化学増幅型フォトレジスト組成物。


［Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｘ^０は、２価のＣ_１-17飽和炭化水素基を表す。Ｙ^１は、炭素数３〜３６の飽和環状炭化水素基を表す。Ｒ^１は、水素原子又はメチル基を表す。Ｘ^２は、単結合又は−［ＣＨ_２］_ｋ−を表す。ｋは、１〜８の整数を表す。Ｙ^２は、炭素数４〜３６の飽和環状炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】ＡｒＦエキシマレーザー光等に対して高感度で、人体蓄積性にも問題がなく、しかも発生する酸（光発生酸）の酸性度が十分高く、かつ、レジスト溶剤に対する高い溶解性及び樹脂に対する優れた相溶性を有する光酸発生剤及び、そのような光酸発生剤を含有するレジスト材料を提供する。
【解決手段】下記一般式（２）で示されるスルホン酸を発生することを特徴とする光酸発生剤を用いることによって、前記課題は解決する。
【化１０２】


（式中、ｎは１〜１０の整数を示す。Ｒは置換もしくは非置換の炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルケニル基、置換もしくは非置換の炭素数６〜１５のアリール基、又は炭素数４〜１５のヘテロアリール基を示す。）。このような光酸発生剤を使用して形成されたレジストパターンは基板密着性、エッチング耐性においても優れた性能を発揮する。
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【課題】レジスト組成物用の酸発生剤として有用な化合物、酸発生剤、レジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）を含有し、酸発生剤成分（Ｂ）は、一般式（ｂ１）で表される化合物からなる酸発生剤（Ｂ１）を含むレジスト組成物［式中、Ｒ^７”〜Ｒ^９”は、それぞれ独立に、アリール基またはアルキル基を表し；Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち、いずれか２つが相互に結合して式中のイオウ原子と共に環を形成してもよく；Ｒ^７”〜Ｒ^９”のうち少なくとも１つは、水素原子の一部または全部が下記一般式（ｂ１−０１）で表される基で置換された置換アリール基であり；Ｘ⁻はアニオンであり；Ｒ^２０は塩基解離性部位を有する二価の基であり；Ｒ^３０は２価の連結基であり；Ｒ^４０は酸解離性基を有する基である。］。
［化１］
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