【課題】フォーカスマージン（ＤＯＦ）が良好なレジストパターンを製造することのできる化合物、および該化合物およびその他モノマーから調整される樹脂を含有するレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式中、Ｒ¹は、メチル基等を表す。Ｘ^１は、カルボニルオキシ、フェニレンオキシまたはフェニレンカルボニルオキシ結合基であり、Ａ^１は、単結合又は結合置換基を表し、Ｘ^２は、単結合または酸素等を表す。Ｒ^２は、炭素数１〜３６の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）が必ずしも十分ではない場合があった。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、式（Ｉ）で表される塩とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｌ^２は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。Ｙ^１は、芳香族炭化水素基を含む炭素数６〜３０の２価の有機基を表す。Ｒ^１は、炭素数１〜１２のフッ化アルキル基を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】パターンプロファイル及び焦点深度マージンに優れる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であって、特に反射防止膜を用いず高反射基板をそのまま用いてパターン形成される場合にもこれら性能に優れ、インプランテーション用として好適な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を及びパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（ＰＧ１）、（ＰＧ２）、（ＰＧ３）と、ラクトン構造を含む少なくとも一種の繰り返し単位を含有する樹脂（Ａ）光酸発生剤（Ｂ）と、溶剤（Ｃ）を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
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【課題】パターンの線幅の経時安定性に優れた感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物は、（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、（Ｂ）下記一般式（１−１）により表される化合物とを含有している。
【化１】
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【課題】設計寸法の微細化に伴い、より優れたラインウィズスラフネス（ＬＷＲ）の特性が求められている。
【解決手段】式（Ｉ）


［式（Ｉ）中、Ａ^１及びＡ^２は炭素数１〜１８の１価の脂肪族炭化水素基等を表し、Ａ^３は炭素数１〜１８の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｘ^１は炭素数１〜１０の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表す。］で表される塩（Ｉ）と、式（Ｂ１）


で表される塩（Ｂ１）と樹脂とを含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージンでレジストパタ−ンを製造できるレジスト組成物及び当該レジスト組成物の酸発生剤として有用である塩を提供すること。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂、溶剤及び式（Ｉ）で表される塩を含有するレジスト組成物、並びに前記塩の提供。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２はアルキル基を表す。環Ｗは、炭素数３〜３６の脂肪族環を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインウィズスラフネスを有するレジストパターンを得ることができる塩、酸発生剤、レジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩を含む酸発生剤、樹脂及び溶剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ^１〜Ａ^３は、独立に、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基等；環Ｗ^１は置換基を有していてもよい環状エーテル；Ｑ^１及びＱ^２は、独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｘ^１及びＸ^２は、独立に、単結合又は２価の飽和炭化水素基；Ｙ^１は、脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基；ｍ_１及びｍ_２は、独立に０〜２の整数；ｍ_３は１〜３の整数、ただし、ｍ_１＋ｍ_２＋ｍ_３＝３である；ｍ_４は１〜３の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインウィズスラフネスを有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】酸の作用により分解して塩基性を示す化合物を与え得る基を有するスルホニウムカチオンと有機アニオンとからなるオニウム塩と、酸に不安定な基を有し、かつアルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂と、酸発生剤とを含むレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】従来から知られている塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのマスクエラーファクターが必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｌ^１は、単結合又は炭素数１〜１０のアルカンジイル基を表し、該アルカンジイル基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。但し、ｎが０である場合、Ｌ^１は単結合ではない。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物から製造されるレジストパターンの側壁部に凹凸が発生する現象、すなわち、パターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）の点で、従来の塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物は必ずしも十分に満足できるものではなかった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子等を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｌ^１は、単結合、炭素数１〜１０のアルカンジイル基等を表す。環Ｗは、炭素数３〜３６の脂肪族環等を表す。Ｒ^１は、保護基により保護されたヒドロキシ基、又はヒドロキシ基を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）