【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するパターンを形成することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１及びＬ^２は、２価の飽和炭化水素基を表し、該基中のメチレン基は、酸素原子等で置き換わっていてもよい；環Ｗは脂環式炭化水素を表し、該脂環式炭化水素中のメチレン基は、酸素原子等で置き換わっていてもよく、該脂環式炭化水素中の水素原子は、ヒドロキシル基、アルキル基等で置換されていてもよい；ｓは０〜３の整数；Ｒ^１は脂肪族炭化水素基を表し、該基中のメチレン基は、酸素原子等で置き換わっていてもよい；Ｒ^２〜Ｒ^４は、それぞれ、水素原子、アルキル基又は脂環式炭化水素基等を表す；Ｚ^＋は有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は、＊^１−ＣＯ−Ｏ−、＊^１−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｌ−ＣＯ−Ｏ−、＊^１−ＣＨ_２−Ｏ−ＣＯ−又は＊^１−ＣＯ−Ｏ−（ＣＨ_２）_ｌ−Ｏ−ＣＯ−（＊^１は、−Ｃ（Ｑ^１）（Ｑ^２）−の炭素原子との結合手を表し、ｌは１〜６の整数を表す）；ｍは０〜２の整数を表し、ｎは１〜１２の整数を表し、ｏは０又は１を表す；Ｒ^１は、水素原子、フッ素原子又はヒドロキシ基を表す。）；Ｚ１^＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物から製造されるレジストパターンの側壁部に凹凸が発生する現象、すなわち、パターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）の点で、従来の塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物は必ずしも十分に満足できるものではなかった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子等を表す。ｎは、０又は１を表す。Ｌ^１は、単結合、炭素数１〜１０のアルカンジイル基等を表す。環Ｗは、炭素数３〜３６の脂肪族環等を表す。Ｒ^１は、保護基により保護されたヒドロキシ基、又はヒドロキシ基を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】従来から知られるレジスト組成物では、得られるパターンのフォーカスマージンの点で、必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２はそれぞれ独立に、フッ素原子等を表す。Ｌ^１は炭素数１〜１７の２価の脂肪族飽和炭化水素基等を表す。Ｌ^２は炭素数１〜６の２価の脂肪族飽和炭化水素基等を表す。環Ｗは炭素数３〜３６の脂肪族環等を表す。Ｒ¹は、アントラセン環、フルオレン環又はフェナントレン環を含む１価の有機基であり、該有機基は置換基を有していてもよい。Ｚ^＋は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｒ^１−５、Ｌ^１−ＣＨ_２−、Ｙは特定の基。］ （もっと読む）

【課題】従来から知られる酸発生剤を含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのマスクエラーファクター（ＭＥＦ）が必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｘ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよく、該飽和炭化水素基を構成する−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】レジストパターンの製造時において優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）でレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂、（Ｂ）式（ＩＩ）で表される酸発生剤及び（Ｄ）式（Ｉ）で表される化合物を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２はそれぞれ炭化水素基、アルコキシ基、アシル基、アシルオキシ基等；ｍ及びｎはそれぞれ０〜４の整数；Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は、＊−ＣＯ−Ｏ−Ｌ^ａ−又は＊−ＣＨ_２−Ｏ−Ｌ^ｂ−、＊は−Ｃ（Ｑ^１）（Ｑ^２）−との結合手、Ｌ^ａ及びＬ^ｂは互いに２価の飽和炭化水素基；環Ｗ^１は複素環；Ｚ^＋は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】酸発生剤として有用な塩、該塩を酸発生剤として含有するレジスト組成物及びレジストパターンの製造方法の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立にフッ素原子等を表す。Ｌ^１は炭素数１〜１７の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｗはヒドロキシル基で置換されたシクロペンタヒドロフェナンスレン環部を有す基を表す。Ｚ^＋は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】従来から知られる酸発生剤を含有するレジスト組成物では、得られるレジストパターンのＣＤ均一性（ＣＤＵ）が必ずしも満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩及びそれを含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１及びＲ^２はフッ素原子等を表す。Ｌ^１は単結合等を表す。Ｙは置換基を有していてもよい炭素数３〜１８の一価の脂環式炭化水素基等を表す。Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^７は水素原子等を表す。カチオンのＳを含む脂環に含まれるメチレン基は酸素原子等で置き換わっていてもよい。ｎは、１〜３の整数を表す。ｓは、０〜３の整数を表す。Ｒ^８は炭素数１〜６のアルキル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性を有するレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂、（Ｂ）アルカリ現像液の作用により開裂する構造を有する酸発生剤及び（Ｄ）式（Ｉ）で表される化合物を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２の炭化水素基、炭素数１〜６のアルコキシ基、炭素数２〜７のアシル基、炭素数２〜７のアシルオキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、ニトロ基又はハロゲン原子を表す。ｍ及びｎは、それぞれ独立に、０〜４の整数を表し、ｍが２以上の場合、複数のＲ^１は同一又は相異なり、ｎが２以上の場合、複数のＲ^２は同一又は相異なる。］ （もっと読む）