【課題】露光ラチチュード、及びＬＷＲなどのパターンラフネスに優れ、発生酸の液浸液への溶出少ない感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法、並びに電子デバイスの製造方法及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物、及び（Ｂ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
（もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性で、レジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
（もっと読む）

【課題】優れたマスクエラーファクター（ＭＥＦ）のレジストパターンを製造し得るレジスト組成物及び該レジスト組成物に用いられる新規な樹脂を提供する。
【解決手段】式（ａａ）で表される構造単位（ａａ）と、式（ａｂ）で表される構造単位（ａｂ）とを有する樹脂及びこの樹脂及び酸発生剤を含むレジスト組成物。


［Ｒ^aa１及びＲ^ab1は、水素原子又はメチル基；Ｒ^aa2は、水素原子又はフッ化アルキル基；Ｒ^aa３は、フッ化アルキル基；Ｒ^aa４は、酸安定基；Ａ^aa１は、炭化水素基；Ａ^ab1は、アルカンジイル基；Ｒ^ab2は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、ＥＬに優れると共に、得られるパターンのＬＷＲを低減し、リソグラフィー特性を向上させることができるフォトレジスト組成物を与え得る感放射線性酸発生剤を提供することである。
【解決手段】本発明の化合物は、下記式（１）で表される。また、下記式（１）におけるＲ^２は、炭素数１〜２０の鎖状炭化水素基であることが好ましい。さらに、本発明は、［Ａ］本発明の化合物、及び［Ｂ］酸解離性基を含む構造単位（Ｉ）を有する重合体を含有するフォトレジスト組成物も含む。
（もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）がより良好なレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】酸分解性基を有する樹脂（Ａ）と、式（Ｂ４）


［式（Ｂ４）中、Ａ^＋は、酸分解性基及び窒素原子を有さない有機カチオンを表す。Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^ｂ１は、窒素原子を有さない２価の連結基を表す。Ｘ^ｂ１は、窒素原子を有さない酸分解性基を表す。］で表される塩（Ｂ４）と、式（Ｅ２）


［式（Ｅ２）中、Ａ_ａ^＋は、窒素原子を有さない有機カチオンを表す。Ｘ_Ｎ⁻は窒素原子を有する有機スルホン酸アニオンを表す。］で表される塩（Ｅ２）と、を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）で、欠陥数の少ないレジストパターンの製造。
【解決手段】式（ａａ）、（ａｂ）の構造単位を有する樹脂（Ｘ）、酸発生剤（Ｂ）を含有する組成物。


［式中、Ａ^aa1は、置換基を有していてもよいアルカンジイル基等で表される基；Ｒ^aa2は、脂肪族炭化水素基；Ｒ^ab2は芳香族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物の酸発生剤として好適な化合物、及び当該化合物を含有するレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される化合物。


［式（Ｉ）中、Ａ^＋は、有機カチオンを表す。Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子等を表す。Ｌ^ｂ１及びＬ^ｂ１‘は、炭素数１〜１７の２価の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｙ^ｂ１は、炭素数１〜５のアルキル基を有していてもよいフェニレン基を表す。Ｘ^ｂは、メトキシメトキシ基等を表す。］、および、式（Ｉ）で表される化合物と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ＣＤ均一性で、欠陥の発生が少ないレジストパターンを製造できるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及びアルカリ現像液の作用により開裂する構造を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ¹³は、ハロゲン原子を有していてもよい２価の脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】解像度が良好なレジストパターンを製造可能なレジスト組成物に好適な塩及びレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、
Ｒ^１は、置換基を有してもよい炭素数６〜１８の芳香族炭化水素基を表す。
Ｒ^２は、水素原子又はヒドロキシ基を表す。
Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、炭素数１〜１２の２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、該２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。
Ａ⁻は、有機アニオンを表す。］、及び、当該塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含むレジスト組成物。 （もっと読む）

【課題】ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）がより良好なレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】 酸分解性基を有する樹脂（Ａ）と、
式（Ｂ３）


［式（Ｂ３）中、
Ａ_ａ^＋は、酸分解性基を有し、窒素原子を有さない有機カチオンを表す。
Ｘ⁻は、酸分解性基及び窒素原子を有さない有機スルホン酸アニオンを表す。］
で表される塩（Ｂ３）と、
式（Ｅ１）


［式（Ｅ１）中、
Ａ_Ｎ^＋は、窒素原子を有する有機カチオンを表す。
Ｘ⁻は、窒素原子を有さない有機スルホン酸アニオンを表す。］
で表される塩（Ｅ１）と
を含有するレジスト組成物。 （もっと読む）