【課題】高い収率で酸発生剤を製造するために用いられる中間体を提供する。
【解決手段】式（Ｉ０）で表される塩。［式（Ｉ０）中、Ｌ^１は、２価のＣ₁〜Ｃ₁₇炭化水素基を表し、該２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はＣ₁〜Ｃ₆ペルフルオロアルキル基を表す。Ｚ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオン又は無機カチオンを表す。ｍは、１又は２を表す。］
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【課題】優れた解像度を有するパターンを得ることができるレジスト組成物の酸発生剤用の塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ)で表される塩。［Ｑ^１及びＱ^２はフッ素原子又はＣ_１-６ペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１及びＬ^２はＣ_１-１７アルキレン基を表し、該アルキレン基の−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。環Ｗ^１はＣ_３-３６飽和炭化水素環を表す。Ｒ^２はＣ_１-６アルキル基又はＣ_１-６アルコキシ基を表す。ｓは０〜２の整数を表す。環Ｗ^２はＣ_３-３６飽和炭化水素環を表す。Ｒ^４はヒドロキシル基、Ｃ_１-６ヒドロキシアルキル基又はＣ_１-６ヒドロキシアルコキシ基を表す。ｖは、１〜３の整数を表す。Ｒ^５は、Ｃ_１-６アルキル基又はＣ_１-６アルコキシ基を表す。ｗは、０〜２の整数を表す。Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］
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【課題】従来の酸発生剤を含むレジスト組成物では、得られるパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が必ずしも満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ)で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１及びＬ^２は、互いに独立に、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。環Ｗ^１及び環Ｗ^２は、互いに独立に、炭素数３〜３６の脂肪族環を表す。Ｒ^２及びＲ^４は、互いに独立に、炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｒ^３は、炭素数１〜１２の炭化水素基を表す。ｔ及びｕは、互いに独立に、０〜２の整数を表す。Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】従来の酸発生剤を含むレジスト組成物では、得られるパターンのラインエッジラフネス（ＬＥＲ）が必ずしも満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ¹は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい。環Ｗは、炭素数４〜３６の脂肪族環を表し、該脂肪族環を構成しているメチレン基は、酸素原子、硫黄原子、カルボニル基又はスルホニル基で置き換わっていてもよい。Ａ^１は、メチレン基又はエチレン基を表す。Ｒ^１は、炭素数１〜１２の炭化水素基又は炭素数２〜１２のアシル基を表す。Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）を有するパターンを形成することができる塩及びレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す；Ｌ^１は、２価の炭素数２〜１７の飽和炭化水素基を表し、前記２価の飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、オキシ基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい；Ｒ^１及びＲ^２は、互いに独立に、炭素数１〜１２の炭化水素基を表す；Ｚ^１＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】高い発光強度と優れた有機媒体への相溶性とを有する発光性Ｅｕ^ＩＩＩ錯塩及びそれを用いた発光素子、並びにトリスβ−ジケトナトＥｕ^ＩＩＩ錯体に対する発光増強剤を提供する。
【解決手段】トリスβ−ジケトナトＥｕ^ＩＩＩ錯体及び該錯体に配位している有機酸アニオンからなるＥｕ^ＩＩＩ錯イオンと、第４級アンモニウムカチオンとからなり、且つ、前記有機酸アニオンが、（２−エチルヘキシル）スルホコハク酸、（２−エチルヘキシル）リン酸、及びベンゾトリアゾールなどのうちの少なくとも１種であることを特徴とする発光性Ｅｕ^ＩＩＩ錯塩。 （もっと読む）

【課題】レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）に優れる塩、この塩を含む酸発生剤、この酸発生剤を含むレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩、これを含む酸発生剤、この酸発生剤を含むレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１は、置換基を有していてもよい飽和炭化水素基又は芳香族炭化水素基；Ｒ^２〜Ｒ^９は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシ基、アルキル基又はアルコキシ基；Ｒ¹⁰及びＲ¹¹は、それぞれ独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は、単結合又は２価の飽和炭化水素基；Ｙは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい飽和環状炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】 感度及びラフネス特性に優れた半導体用レジスト組成物、並びに、これを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体用レジスト組成物は、下記一般式（Ｉ）により表される化合物を含有している。
【化１】
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【課題】レジスト組成物用酸発生剤として好適な化合物、該化合物からなる酸発生剤、該酸発生剤を含有するレジスト組成物、及び該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】一般式（ｂ１）で表される化合物；該酸発生剤；酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が変化する基材成分及び露光により酸を発生する酸発生剤成分が一般式（ｂ１）で表される化合物であるレジスト組成物。式中、Ｒ¹は、水素原子、炭素数１〜１０の直鎖状、分岐鎖状若しくは環状のアルキル基、又は、複素環式基を示し；Ｒ^２は、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基を示し；ｘは０〜６の整数であり；ｎは０〜３の整数であり；Ｘ⁻はアニオンを示す。
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【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネスを有するレジストパターンが得られるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（ａ１−１）で表されるモノマーに由来する構造単位を含む樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ）で表される塩と、を含有するレジスト組成物。［Ｌ^a1は、−Ｏ−又は−Ｏ−（ＣＨ₂）_k1−ＣＯ−Ｏ−を表す。Ｒ^a4は、水素原子又はメチル基を表す。Ｒ^a6は、炭素数１〜８の脂肪族炭化水素基又は炭素数３〜１０の飽和環状炭化水素基を表す。Ｗ^１は、窒素原子を含む炭素数２〜１３の芳香族複素環又は置換基として−ＮＲ^１Ｒ^２基を含む炭素数６〜１４の芳香族炭化水素環を表す。Ｚ_１^＋は、有機対カチオンを表す。］
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