【課題】優れたフォーカスマージンを有するレジストパターンを得ることができる塩、酸発生剤、レジスト組成物等の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｒ^１は、ヒドロキシ基又はアルキル基；Ｒ^２及びＲ^４は、それぞれ水素原子又はアルキル基；ｌは０〜３の整数；ｍ及びｎは、それぞれ１又は２；Ｒ^３は、水素原子又はアルキル基；ｏは、０又は１；Ｒ^５及びＲ^６は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は２価の飽和炭化水素基；Ｙは、置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は置換基を有していてもよい脂肪族炭化水素基又は脂環式炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ)で表される塩、この塩を含有する酸発生剤及びこの酸発生剤と樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は２価の飽和炭化水素基を表し、該基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｌ^２は、単結合又はアルカンジイル基を表し、該基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｙは、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基を表し、該基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい；Ｚ^＋は有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ネガ型現像プロセスにおいて、エッチング耐性に優れたレジストパターンを形成できるレジストパターン形成方法、及び該レジストパターン形成方法に用いられるネガ型現像用レジスト組成物の提供。
【解決手段】酸の作用により有機溶剤に対する溶解性が減少する基材成分（Ａ）と、露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）とを含有するレジスト組成物を用いて支持体上にレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、及びレジスト膜を、有機溶剤を含有する現像液を用いたネガ型現像によりパターニングしてレジストパターンを形成する工程、を含むレジストパターン形成方法であって、基材成分（Ａ）として、アクリル酸エステルから誘導される構成単位であって、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）を有する樹脂成分（Ａ１）を用い、酸発生剤成分（Ｂ）が、環構造をアニオン部に有する酸発生剤（Ｂ１）を含有する。 （もっと読む）

【課題】優れた解像度及びラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有し、且つ欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】（Ａ１）式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、（Ａ２）アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び（Ｂ）酸に不安定な基を有する酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基を表す。Ａ¹は、炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。Ｒ²は、フッ素原子を有する炭素数１〜１０の炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】良好なパターン形状を有するパターンを形成することができ、高い解像度を示す化学増幅型レジスト組成物を提供する。
【解決手段】式(Ｉ)または式（II）で示されることを特徴とする塩と樹脂とを含有する樹脂組成物であって、該樹脂は酸に不安定な基を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶な樹脂であり、酸と作用した該樹脂はアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂であることを特徴とする樹脂組成物。


（Ｑ¹、Ｑ²は互いに独立にフッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表し、環Ｘは環Ｘの一部を形成するように記載された二つの炭素原子とともに形成する炭素数３〜３０の単環式または多環式炭化水素基を表す。） （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用の酸発生剤等として用いられる塩の製造方法の提供。
【解決手段】有機塩基の存在下、式（ＩＩ）


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｙは、置換基を有していてもよい炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基を表す。］で表される化合物と式（ＩＩＩ）


［式中、Ｚ^＋は有機カチオンを表し、Ｘ⁻はアニオンを表す。］で表される塩と水とを反応させる式（Ｉ）


で表される塩の製造方法。 （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】下記で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１及びＬ^２は、互いに独立に、２価の飽和炭化水素基を表し、該基を構成しているメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｙは、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基を表し、該基に含まれるメチレン基は、酸素原子、スルホニル基又はカルボニル基に置き換わっていてもよい；Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネスを有するレジストパターンを得ることができる塩、酸発生剤及びレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す；Ｌ^１及びＬ^２は、互いに独立に、２価の飽和炭化水素基を表し、該基を構成するメチレン基は、酸素原子等で置き換わっていてもよい；Ｚ^１は、単結合、メチレン基、エチレン基、、カルボニル基、酸素原子又は硫黄原子を表す；Ｒ^１はアルキル基を表し、該基を構成するメチレン基は、酸素原子等で置き換わっていてもよい；sは０〜２の整数；Ｙは、置換基を有していてもよい脂環式炭化水素基を表し、該基を構成しているメチレン基は、酸素原子、スルホニル基等で置き換わっていてもよい；Ｚ^＋は有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】従来のレジスト組成物では、得られるパターンの露光マージンが必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩、樹脂並びに溶剤を含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、
Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、水素原子、炭素数１〜１４の炭化水素基等を表すか、Ｒ^１及びＲ^２は互いに結合して、その結合炭素原子とともに炭素数３〜２０の環を形成している。該炭化水素基及び該環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基又はハロゲン原子で置換されていてもよく、該炭化水素基及び該環を構成する−ＣＨ_２−は−Ｏ−等で置き換わっていてもよい。
Ｒ^３及びＲ^４は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子等を表す。
Ｘ^１は、２価の炭素数１〜１７の炭化水素基を表し、前記２価の炭化水素基を構成する−ＣＨ_２−は、−Ｏ−等で置き換わっていてもよい。
Ａ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）を有するレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２はフッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１及びＬ^２は２価の飽和炭化水素基、該基に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；環Ｗは２価の脂肪族環を表し、該環に含まれるメチレン基は、酸素原子等で置き換わっていてもよく、該環に含まれる水素原子はヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基等で置換されていてもよい；Ｒ^１は脂肪族炭化水素基、該基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい；Ｒ^２は水素原子、アルキル基等を表す；ｓは０〜３の整数；ｔは０〜２の整数；Ｚ^＋は有機対イオンを表す。］ （もっと読む）