【課題】ＥＵＶリソグラフィー又は電子線リソグラフィーに用いられる高感度のレジスト組成物を提供する。
【解決手段】以下の（Ａ）、（Ｂ）、（Ｄ）及び（Ｅ）を含むレジスト組成物の提供
（Ａ）特定の構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に可溶となる樹脂
（Ｂ）酸発生剤
（Ｄ）溶剤
（Ｅ）式（ａ）で示される化合物


［Ｒ^３は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基などを示し、Ｒ^４は、水素原子、脂肪族炭化水素基又は芳香族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】従来の酸発生剤を含むレジスト組成物を電子線用レジスト組成物として用いても、得られるレジストパターンの解像度が必ずしも十分に満足できない場合があった。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子等を表す。Ｌ^１は、炭素数１〜１７の２価の飽和炭化水素基等を表す。環Ｗは、炭素数３〜３６の脂肪族環を表す。ｓは、０〜３の整数を表す。ｔは、０〜２の整数を表す。Ｒ^１は、炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基等を表す。Ｒ^２は、水素原子等を表す。Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】リソグラフィ工程において、解像度に優れ、ＤＯＦが広く、ＬＥＲが小さく、さらには感度が高く優れたパターン形状を形成できるレジスト組成物を調製するのに適した、レジスト溶剤に溶解性の高い光酸発生剤を提供する。
【解決手段】ベース樹脂、光酸発生剤及び溶剤を少なくとも含有してなるレジスト組成物において、光酸発生剤が、下記一般式（４）で表される含フッ素スルホン酸塩であるレジスト組成物。


（式中、Ｘは水素原子またはフッ素原子を表す。ｎは１〜６の整数を表す。Ｒ^１は水素原子、アルキル基、アルケニル基、オキソアルキル基、アリール基、アラルキル基を表す。また、Ｒ^１に含まれる炭素上の水素原子は、置換基によって置換されていてもよい。Ｒ^２は、Ｒ^ＡＯ、Ｒ^ＢＲ^ＣＮのいずれかを表す。Ａは、二価の基を表す。） （もっと読む）

【課題】得られるパターンのフォーカスマージン（ＤＯＦ）及びマスクエラーファクター（ＭＥＦ）が良好な塩及び該塩を含有するレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩及びこの塩を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ、ヒドロキシ基又はアルキル基、該アルキル基中のメチレン基はオキシ基等で置き換わっていてもよい；Ｒ^３はアルキル基；ｌ、ｍ及びｎは、それぞれ０〜３の整数；ｐは１〜３の整数；スルホニウムカチオンを含む複素環のメチレン基はオキシ基、カルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｒ^４及びＲ^５はそれぞれフッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^１は２価の飽和炭化水素基、該基中のメチレン基はオキシ基、カルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｙは脂肪族炭化水素基又は飽和環状炭化水素基等、これらの基中のメチレン基はオキシ基等で置き換わっていてもよい。］ （もっと読む）

【課題】解像性に優れ、パターン形状やＬＥＲ等のリソグラフィー特性にも優れたレジスト組成物及びレジストパターン形成方法の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、式（ｃ１）で表される化合物（Ｃ１）を含む含窒素有機化合物成分（Ｃ）及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）（化合物（Ｃ１）を除く）を含有するレジスト組成物であって、基材成分（Ａ）１００質量部に対し、酸発生剤成分（Ｂ）の含有割合は１０〜６０質量部であり、化合物（Ｃ１）と酸発生剤成分（Ｂ）との合計に対し化合物（Ｃ１）の含有割合は１〜１５モル％である［Ｒ^Ｃ１は水酸基、アルコキシ基、シアノ基、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（Ｒ^Ｃ２）＝ＣＨ_２又は−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｒ^Ｃ３、Ｙ^１は２価の脂肪族炭化水素基、Ｒ^１は水素原子、フッ素原子、アルキル基又はフッ素化アルキル基、ｐは１〜１０、Ａ^＋は有機カチオンを表す］。
[化１]
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【課題】優れたラインエッジラフネスを有するパターンを得ることができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ)で表される塩及びこの塩を含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、互いに独立に、フッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す；Ｌ^１は、２価の炭素数１〜１７の飽和炭化水素基を表し、該飽和炭化水素基に含まれるメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基で置き換わっていてもよい；Ｒ^１は、ヒドロキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基又は炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基を表す；ｓは、互いに独立に、１〜３の整数を表す；Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】リソグラフィー特性が良好なレジスト組成物、当該レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法、該レジスト組成物用の酸発生剤として有用である新規な化合物及び酸発生剤の提供。
【解決手段】酸の作用により現像液に対する溶解性が変化する基材成分（Ａ）、及び露光により酸を発生する酸発生剤成分（Ｂ）として、一般式（ｂ１−１）で表される基をカチオン部に有する酸発生剤（Ｂ１）を含有するレジスト組成物。
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【課題】ウォーターマーク欠陥を減少させると共に、良好な形状のレジストパターンを形成可能とするレジスト組成物、並びに、それを用いたレジスト膜及びパターン形成方法を提供する。
【解決手段】（Ａ）酸の作用により分解してアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂と、（Ｂ）活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物であって、下記一般式（Ｉ）又はビス（アルキルスルホニル）イミドアニオン、トリス（アルキルスルホニル）メチドアニオンを有するオニウム塩と、（Ｃ）フッ素原子及びケイ素原子の少なくとも一方を含んだ樹脂と、（Ｄ）第１の溶剤と第２の溶剤とを含んだ混合溶剤であって、前記第１及び第２の溶剤の少なくとも一方は標準沸点が２００℃以上である混合溶剤とを含有するレジスト組成物。
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【課題】レジストパターン製造時のフォーカスマージン（ＤＯＦ）を十分に満足するレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（ａ）で表される構造単位とラクトン環を有する構造単位とを含む樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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【課題】高い収率で酸発生剤を製造するために用いられる中間体を提供する。
【解決手段】式（Ｉ０）で表される塩。［式（Ｉ０）中、Ｌ^１は、２価のＣ₁〜Ｃ₁₇炭化水素基を表し、該２価の炭化水素基に含まれる−ＣＨ_２−は、−Ｏ−又は−ＣＯ−で置き換わっていてもよい。Ｑ¹及びＱ²は、それぞれ独立に、フッ素原子又はＣ₁〜Ｃ₆ペルフルオロアルキル基を表す。Ｚ^ｍ＋は、ｍ価の有機カチオン又は無機カチオンを表す。ｍは、１又は２を表す。］
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