【課題】優れたパターン倒れ耐性（ＰＣＭ）でレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供すること。
【解決手段】アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂と、酸発生剤と、式（Ｉ）で表される化合物とを含むレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、
Ｒ^1a及びＲ^1bは、同一又は相異なり、炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、該炭化水素に含まれるメチレン基は酸素原子又はカルボニル基に置き換わってもよく、Ｒ^1aとＲ^1bが一緒になって置換基を有してもよい環を形成してもよい。
Ｒ^２及びＲ^３は、同一又は相異なり、置換基を有してもよい炭素数１〜１８の炭化水素基を表し、Ｒ^２とＲ^３が一緒になって置換基を有してもよい環を形成してもよい。］ （もっと読む）

【課題】優れた露光マージンでレジストパターンを製造するレジスト組成物、及び当該レジスト組成物に含有される新規な塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩、及び当該塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物の提供。


［式（Ｉ）中、
Ｑ¹及びＱ²は、フッ素原子などを表す。
Ｘ^１及びＸ^２は、単結合又は脂肪族飽和炭化水素基などを表す。Ａ^１は、炭素数１〜３０の有機基を表す。
Ｚ⁺は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】レジストパターン製造時のマスクエラーファクター（ＭＥＦ）を十分に満足するレジスト組成物及び該レジスト組成物に含有される新規な塩を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。（式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子等を表す。Ｌ^１は、脂肪族飽和炭化水素基等を表し、該脂肪族飽和炭化水素基のメチレン基は、酸素原子等に置き換わっていてもよい。Ｌ^２は、脂肪族飽和炭化水素基を表し、該脂肪族飽和炭化水素基のメチレン基は、酸素原子−ＮＲ^２−等に置き換わっていてもよい。Ｒ^２は、水素原子又はアルキル基を表す。環Ｗは、脂肪族環を表し、該脂肪族環を構成するメチレン基は、酸素原子等で置き換わっていてもよく、該脂肪族環に含まれる水素原子は、ヒドロキシ基等で置換されていてもよい。Ｒ^１は、フッ素置換芳香環を含む１価の有機基であり、該有機基は置換基を有していてもよい。Ｚ^＋は、有機対イオンを表す。）
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【課題】マスク補正技術を使用した際、マスク補正用パターンを残さずに、矩形なパターンを得ることができるレジスト組成物を調整するための塩の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、それぞれフッ素原子又は炭素数１〜６のペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、炭素数１〜２０の３価の脂肪族飽和炭化水素基等を表す。Ｌ^１−ＯＨにおける−ＯＨは、Ｌ^１で表される炭素数１〜２０の３価の脂肪族飽和炭化水素基のうち鎖状部分の炭素原子上に結合している。Ｗは、炭素数３〜３６の１価の脂環式炭化水素基等を表す。Ｒ^２は、水素原子又は炭素数１〜６のアルキル基を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】酸発生剤として有用なスルホニウム塩の収率の良い製造方法を提供する。
【解決手段】チタニウム（ＩＶ）アルコキシドの存在下、下式（ＩＩ）で示されるスルホニウム塩と式ＨＯ−Ｘ^１−Ｗで示される化合物とを反応させる下式（Ｉ）で示されるスルホニウム塩の製造方法。




［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子等を表し、Ｒ^１は、炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ｚ^＋は有機カチオンを表し、Ｗは、炭素数３〜３６の脂環式炭化水素基を表し、Ｘ^１は、単結合又は炭素数１〜６のアルカンジイル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用酸発生剤として有用な塩、及び当該塩を含有する、優れたマスクエラーファクターを有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^２は、ラクトン環基を表す。Ｒ^３は、水素原子又はヒドロキシ基を表す。Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、式（ａ−ｇ１）


（式（ａ−ｇ１）中、ｓは０〜２の整数を表す。＊１は、硫黄原子との結合手を表し、＊２は、Ｒ^２又はＲ^３との結合手を表す。Ａ^１０は、脂肪族炭化水素基を表す。Ａ^１１は、脂肪族炭化水素基又は単結合を表す。Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基等を表す。ｍ１は１又は２を表し、ｍ２は０又は１を表す。但し、ｍ１＋ｍ２＝２の関係を満たす。Ａ⁻は、スルホン酸アニオン等の有機アニオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用酸発生剤として有用な塩、及び当該塩を含有する、優れたレジスト組成物などを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^２は、酸分解性基を表す。Ｒ^３は、水素原子又はヒドロキシ基を表す。Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、式（ａ−ｇ１）


（式（ａ−ｇ１）中、ｓは０〜２の整数を表す。Ａ^１０及びＡ^１１は、それぞれ独立に脂肪族炭化水素基を表す。Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。）で表される基を表す。ｍ１は１又は２を表し、ｍ２は０又は１を表す。但し、ｍ１＋ｍ２＝２の関係を満たす。Ａ⁻は、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン及びカルボン酸アニオンからなる群から選ばれる有機アニオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、レジストパターンを製造できるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩と、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液に溶解し得る樹脂とを含有するレジスト組成物。


［式（Ｉ）中、Ｑ^１及びＱ^２は、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基を表す。Ｌ^１は、２価の脂肪族飽和炭化水素基を表し、２価の脂肪族飽和炭化水素基を構成するメチレン基は、酸素原子又はカルボニル基に置き換わっていてもよい。Ｘ^１は、単結合又は−ＮＲ^１−を表す。Ｘ^２は、脂肪族炭化水素基を表す。Ｗは、脂環式炭化水素基を表し、脂環式炭化水素基を構成するメチレン基は、カルボニル基等で置き換わっていてもよく、脂環式炭化水素基に含まれる水素原子は、アルキル基等に置き換わっていてもよい。Ｒ^１は、水素原子又はアルキル基を表す。Ｚ^＋は、有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用酸発生剤として有用な塩、及び当該塩を含有する、優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^２は、塩基解離性基を表す。Ｒ^３は、水素原子又はヒドロキシ基を表す。Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、式（ａ−ｇ１）


（式（ａ−ｇ１）中、ｓは０〜２の整数を表す。Ａ^１０及びＡ^１１は、それぞれ独立に脂肪族炭化水素基を表す。Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。ｍ１は１又は２を表し、ｍ２は０又は１を表す。但し、ｍ１＋ｍ２＝２の関係を満たす。Ａ⁻は、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン及びカルボン酸アニオンから選ばれる有機アニオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】高感度、優れた露光ラチチュード、及び、優れたラインエッジラフネス性能を高次元で鼎立可能な感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、該組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜、及び、パターン形成方法の提供。
【解決手段】（Ａ）下記一般式（１−１）により表される化合物を含有する、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。


式中、Ｒ_１は、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、脂肪族環式基、芳香族炭化水素基、又は複素環式基を表す。Ｒ_２は、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、脂肪族環式基、芳香族炭化水素基、複素環式基、シアノ基、又は、アルコキシカルボニル基を表す。Ｒ_３は、１つ以上の−ＣＨ_２−基が、エーテル基、カルボニル基、エステル基、アミド基、ウレタン基、又は、ウレア基により置換されていても良い、アルキレン基を表す。 （もっと読む）