【課題】 本発明は、リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、基板エッチング中のよれの発生を高度に抑制できると共に、化学増幅型レジストを用いた上層パターン形成におけるポイゾニング問題を回避できるレジスト下層膜、を形成するためのレジスト下層膜材料、レジスト下層膜形成方法、及びパターン形成方法、及びフラーレン誘導体を提供することを目的とする。
【解決手段】 リソグラフィーで用いられる多層レジスト膜のレジスト下層膜材料であって、（Ａ）熱不安定基で保護されたカルボキシル基を有するフラーレン誘導体と、（Ｂ）有機溶剤とを含むものであることを特徴とするレジスト下層膜材料。 （もっと読む）

本発明は、化学反応を行うための金属集積植物の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】高い屈折率を有しかつ蛍光の問題が無い、主剤として重合可能な新規なモノアクリレート化合物及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】高屈折性を有し、かつ蛍光の問題も無い、芳香族多環化合物であるエタノアントラセン骨格を有し、かつラジカル重合可能なモノアクリレート基を有する化合物を提供する。また、アントラセン化合物とニ官能性アクリレートから当該化合物を合成する方法を提供する。この化合物はラジカル重合性があり、高い屈折率を持つ樹脂合成用モノマーとして有用である。 （もっと読む）

酸に対して不安定な保護基を有する側鎖をもつメタノフラーレン誘導体が記載される。このメタノフラーレン誘導体は、フォトレジスト材料、特にポジティブトーンのフォトレジストとしての用途がある。
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【課題】本発明は、耐熱性、強靭性に優れる硬化物を与える新規な脂環エポキシ樹脂を提供することを目的とする。
【解決手段】
下記式（１）
【化１】


（式中、複数存在するＲ^１、Ｒ^２はそれぞれ独立して、水素原子、もしくは炭素数１〜６のアルキル基を表す。）
で表されることを特徴とするジオレフィン化合物を原料とし、これをエポキシ化することにより得られるエポキシ化合物。 （もっと読む）

【課題】塗料・コーティング材料、土木建築材料、電子材料、オプトエレクトロニクス材料、医療材料等の分野において好適な新規なカルボキシル基含有（メタ）アクリル酸エステルを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表されるカルボキシル基含有（メタ）アクリル酸エステル。


（式（Ｉ）中、Ｒは水素原子又はメチル基、Ａはアルキレン基を示す。） （もっと読む）

【課題】触媒量で（ヘテロ）ディールス−アルダー反応生成物を高収率で与える触媒の提供。
【解決手段】下記繰返単位(1)および(2)または(1)、(2)および(3)を含むヘテロディールス-アルダー反応またはディールス-アルダー反応用触媒。
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【課題】光透過性、耐熱性、有機溶媒溶解性及び絶縁性等が改善された各種の電子材料や光通信用材料として有用なエポキシ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂等の原料（モノマー）である脂環式テトラカルボン酸化合物の製造法を提供する。
【解決手段】特定のジオレフィン化合物と、特定のアセチレン化合物とを、周期律表第８族金属化合物触媒下で反応させることを特徴とする式［１３］


で表される脂環式テトラカルボン酸化合物の製造法。 （もっと読む）

【課題】機能性材料、医薬・農薬等の原料として、中でも感放射線レジスト材料のベース樹脂を製造するための含フッ素単量体、及び、該含フッ素単量体を極めて容易にかつ安価に製造可能な製造方法を提供する。
【解決手段】相当するフッ素アルコール化合物をエステル化して得られる一般式（５）で示される含フッ素単量体。


（Ｒ^１はＨ、又は炭素数１〜２０の直鎖状、分岐状又は環状の一価炭化水素基を示し、この時、−ＣＨ_２−は−Ｏ−又は−Ｃ（＝Ｏ）−に置換されていてもよい。Ｒ^３、Ｒ^４はそれぞれＨ、又は炭素数１〜８の直鎖状、分岐状又は環状の一価炭化水素基を示し、Ｒ^５はＨ、Ｆ、−ＣＨ_３又は−ＣＦ_３を示す。） （もっと読む）

【課題】塗料・コーティング材料、土木建築材料、電子材料、オプトエレクトロニクス材料、医療材料等の分野において好適な新規なカルボキシル基含有（メタ）アクリル酸エステルを提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表されるカルボキシル基含有（メタ）アクリル酸エステル。


（式（Ｉ）中、Ｒは水素原子又はメチル基、Ａはアルキレン基を示す。） （もっと読む）