【課題】レジスト化合物の合成に用いるモノマーであって、ノルボルネン骨格を有する基と、重合に関与する（メタ）アクリロイル基と、これらの基の間に配された連結基とを有する（メタ）アクリル酸エステル化合物を、副生成物の生成を抑えて簡便に製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】特定のノルボルネン誘導体に、末端にハロゲン基を有する特定の低級カルボン酸を、無溶媒下で付加反応させてエステル中間体を得る酸付加工程と、前記エステル中間体と（メタ）アクリル酸とをエステル化反応させるエステル化工程と、を有する（メタ）アクリル酸エステル化合物の製造方法。 （もっと読む）

本発明は、超臨界流体クロマトグラフィーによるプロスタグランジンの精製方法を提供するが、前記方法は、固定相と、二酸化炭素を含む移動相とを使用し、固定相が未変性シリカゲルのとき、プロスタグランジンはルプロスチオールではない。本発明はさらに、前記方法により製造されるプロスタグランジンを提供する。
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【課題】優れた解像度、マスクエラーファクター及びフォーカスマージンを有するパターンを形成することができる塩及びレジスト組成物等を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ−ＡＡ）で表される塩。


［式中、Ｑ^１及びＱ^２は、Ｆ原子又はペルフルオロアルキル基；Ｘ^１は、単結合又は−［ＣＨ_２］_ｋ−、ｋは１〜１７の整数；Ｙ^１は脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基；Ａ^１及びＡ^２は脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基又は芳香族炭化水素基か、Ａ^１とＡ^２とが一緒になって環を形成してもよい；Ａｒ^１は（ｍ_４＋１）価の芳香族炭化水素基；Ｂ^１は、単結合又はアルキレン基；Ｂ^２は、酸の作用により脱離し得ない基を表し、かつ置換されていてもよいラクトン環を表す；ｍ_１及びｍ_２は０〜２、ｍ_３は１〜３、ｍ_４は１〜３の整数を表す。］ （もっと読む）

【課題】優れた形状、良好なラインエッジラフネス及び形状を示すパターンを形成し得る化学増幅型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターンの形成方法等を提供することにある。
【解決手段】酸発生剤と樹脂とを含有する化学増幅型フォトレジスト組成物であって、前記樹脂が、水酸基を有する環とラクトン環とを有し、且つ酸に不安定な基を有さないモノマーに由来する構造単位（ｂ２−２）を含む化学増幅型フォトレジスト組成物及びそれを用いたパターンの形成方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は一酸化窒素（NO）の過剰産生を阻害する薬物、および、NOの過剰産生あるいは発現が関与する疾患（炎症、アレルギー性疾患等）の治療薬を提供することである。
【解決手段】サンゴから単離された式（Ａ）で表されるセンブランジテルペンは、細胞による一酸化炭素産生を抑制することができ、炎症およびアレルギー性疾患の予防または治療薬として有効である。
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本発明は、新規なロカグラオール誘導体、及び抗腫瘍剤の心毒性を予防するためか又は制限するための、特にかかる薬剤によって誘導される心筋細胞のアポトーシスを予防するためか又は制限するためのロカグラオール誘導体の使用を開示する。 （もっと読む）

【課題】ベンゾプロスタ−サイクリン誘導体、即ち、５，６，７−トリノル−４，８−インター−ｍ−フェニレンＰＧＩ２（5,6,7-trinor-4,8-inter-m-phenylenePGI2）誘導体の製造方法の提供。
【解決手段】下記式（ＩＩＩ）の化合物：


をそのカプレートに転換させた後、下記式に従って、α，β−不飽和ケトンに立体選択的にカプレートの１，４−付加反応を行なった。


さらにシクロペンタノン環のケトンを還元し、α−アルコール化合物を得て、α−アルコールをハロゲン化物で置換後、分子内環化反応した。 （もっと読む）

【課題】白檀様香気を有する化合物、及びこれを含有する香料組成物を提供する。
【解決手段】白檀様香気を有する化合物は、式（１）（式中、Ｒ^１は、メチル基または水素を示す）で表わされる１３−オキサビシクロ［１０．３．０］ペンタデカ−１（１２）−エン類、および式（２）（式中、Ｒ^２、Ｒ^３は、メチル基または水素を示す）で表わされる１２−メチル−１３−オキサビシクロ［１０．３．０］ペンタデカン類であり、新規化合物である。また、香料組成物は、これら化合物からの１つ以上を含有して構成される。
【化１２】
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【課題】より優れた特性を示すポリマーレジスト材料を与える、ラクトン構造を有する高純度モノマー化合物製造方法の提供。
【解決手段】高純度の下記一般式（ＩＶ）で表されるモノマー化合物の製造方法。


（Ｒ_１〜Ｒ_６は水素原子、または直鎖状、分岐状もしくは環状の炭素数１〜１０の炭化水素基であり；Ｒ_７とＲ_８の一方は（メタ）アクリロイルオキシ基、他方は−ＯＲ_１３で表される置換基であり；Ｒ_１３は直鎖状、分岐状または環状の炭素数１〜１０の炭化水素基である） （もっと読む）

【解決手段】紫外線、遠紫外線、電子線、ＥＵＶ、Ｘ線、エキシマレーザー、γ線、又はシンクロトロン放射線の高エネルギー線に感応し、一般式（１ａ）で示されるスルホン酸を発生する化学増幅型レジスト材料用の光酸発生剤。
ＲＯＣ（＝Ｏ）Ｒ¹−ＣＯＯＣＨ₂ＣＦ₂ＳＯ₃^- Ｈ⁺ （１ａ）
（ＲＯは水酸基、又は炭素数１〜２０のオルガノオキシ基を示す。Ｒ¹は炭素数１〜２０の二価の脂肪族基を示し、ＲＯと共に単環もしくは多環構造を形成していてもよい。）
【効果】本発明の光酸発生剤は、レジスト材料中の樹脂類との相溶性がよく、酸拡散制御を行うことができる。これらスルホン酸を発生する光酸発生剤はデバイス作製工程での塗布、露光前焼成、露光、露光後焼成、現像の工程に問題なく使用できる。更にはＡｒＦ液浸露光の際の水への溶出も抑えることができるのみならず、ウエハー上に残る水の影響も少なく、欠陥も抑えることができる。 （もっと読む）