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国際特許分類[C07D517/04]の内容

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【課題】縮環化合物の新規製造方法、及び新規化合物を提供する。
【解決手段】一般式(4)で示す化合物を製造する方法であって、ハロゲン分子(Y)を反応させる工程を含む方法。


(一般式(4)中における、A1及びA2は互いに独立に芳香環を表し、Xは、周期表における14族元素、15族元素及び16族元素からなる群より選択される何れか一種に対応する原子を表し、Mは金属原子、半金属原子、炭素原子、リン原子、硫黄原子及セレン原子からなる群より選択される。) (もっと読む)


セレノフェノトリアゼン類似体、その組成物、互変異性形態、立体異性体、多形、水和物、溶媒和物および医薬的に許容され得る塩ならびにその混合物は、転移性悪性黒色腫および他の癌の治療に有用である。セレノフェノトリアゼン類似体は一般式(I)または(II)を有し、式中、置換基R1、R2、R3、R6およびR7は、本明細書に記載のとおりである。この化合物で治療され得る他の癌としては、限定されないが、悪性黒色腫、白血病、リンパ腫(ホジキンおよび非ホジキン)、肉腫(ユーイング肉腫)、脳腫瘍、中枢神経系(CNS)転移、神経膠腫、癌腫、例えば、乳癌、前立腺癌、肺癌(小細胞および非小細胞)、結腸癌、膵臓癌、頭頚部癌ならびに口腔咽頭扁平上皮癌が挙げられる。 (もっと読む)


【課題】広範囲の電子用途向けの導電性ポリマーを形成することができるモノマーの製造方法を提供すること。
【解決手段】式(1)の化合物の調製方法であって、式(2)を有する第1の反応物質を準備するステップ;金属還元剤の存在下で第1の反応物質を還元して、式(3)を有する第2の反応物質を生成させるステップ;遷移金属触媒の存在下で、第2の反応物質を、置換された1−アルキンと反応させるステップ;式(4)を有する第3の反応物質を、Xを含む化合物の存在下で、アルキルリチウムと反応させ、式(5)を有する第4の反応物質を生成するステップ;そして第4の反応物質を水と反応させ、式(1)を有する化合物を生成させるステップを含む方法。 (もっと読む)


【課題】電子移動度の良好な新規な化合物の提供。
【解決手段】ナフタレンの両ベンゼン環にそれぞれチオフェン環或いはセレノフェン環が結合した構造を有する化合物で、例えば、下式の反応で得られる化合物である。


該化合物は、電子移動度が良好であり、有機FETデバイスの有機半導体材料として使用される。 (もっと読む)


血中尿酸値の調節に有用な化合物、それを含有する製剤及びそれを調製及び使用する方法が、本明細書に記載される。幾つかの実施形態において、本明細書に記載の化合物は、尿酸の異常値に関連した疾患の治療又は予防に使用される。 (もっと読む)


【課題】有機半導体特性を有する芳香族化合物と関係するそれらの中間体化合物の製造方法の提供。
【解決手段】下記式(1);


式中、Xは、硫黄原子、又はセレン原子を表し、Aは、置換基を有してもよいアミノ基である;で表される芳香族化合物と、少なくとも、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、又はヨウ素原子のいずれか一つを含むハロゲン化剤とを反応させる製造方法。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ特性と耐久性が共に顕著に優れるのみならず、トランジスタ特性の信頼性にも優れる有機トランジスタを提供。
【解決手段】有機半導体材料からなる有機半導体層1と、上記有機半導体層1に接するように形成され、金属酸化物からなる金属酸化物層2と、上記金属酸化物層2に通電するように形成され、導電性材料からなるソース電極3およびドレイン電極4とを有する有機トランジスタ10であって、上記有機半導体材料がベンゾチオフェン骨格やベンゾセレノフェン骨格を有するいわゆるワイドギャップ材料である。 (もっと読む)


セレノフェンおよびセレナゾール複素環の誘導体を開示する。化合物は、D−アミノ酸オキシダーゼ(DAO)の阻害剤として、また、神経変性および精神性の疾患および障害の治療において有用である。本明細書では、DAO阻害剤としての活性を有し、神経変性および精神性の障害および疾患の治療において有用である、二環式セレン含有複素環群を開示する。別の実施形態では、本発明のいずれかの治療的有効量の化合物または塩、および薬学的に許容される賦形剤、希釈剤、または担体を含む、医薬組成物を提供する。 (もっと読む)


【課題】優れた耐酸化性を有し、塗布法による半導体活性相形成が可能な、ヘテロアセン誘導体の製造方法を提供する。
【解決手段】一般式(1a)で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式(2a)で示されるテトラハロターフェニル誘導体をジアルキルエーテル中でメタル化剤を用いてテトラメタル化した後、一般式(3a)及び一般式(4a)で示される反応剤と反応させることを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法;一般式(1b)で示されるヘテロアセン誘導体の製造方法であり、一般式(2b)で示されるテトラハロターフェニル誘導体をジアルキルエーテル中でメタル化剤を用いてテトラメタル化した後、一般式(3b)及び一般式(4b)で示される反応剤と反応させることを特徴とするヘテロアセン誘導体の製造方法。 (もっと読む)


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