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国際特許分類[C07F19/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 有機化学 (230,229) | 炭素,水素,ハロゲン,酸素,窒素,硫黄,セレンまたはテルル以外の元素を含有する非環式,炭素環式または複素環式化合物 (10,137) | メイングループ1/00から17/00のうち2以上のメイングループにわたる金属化合物 (281)

国際特許分類[C07F19/00]に分類される特許

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【課題】カルボニル炭素又はイミノ炭素へ炭化水素基を付加した求核反応体を温和な条件下であっても高選択的に得られる。
【解決手段】THF中で、塩化亜鉛(0.335mmol)とEtMgCl(4.35mmol)の存在下、ベンゾフェノン(3.35mmol)を加え、0℃にて2時間攪拌した。その後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、室温下3分攪拌した。続いて、酢酸エチルを加え、通常の分液処理を行った。抽出した有機層を洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、ろ過、濃縮した。中性シリカゲルカラム(ヘキサン:酢酸エチル=5:1)にて生成物を分取し、対応する3級アルコールを収率84%で得た。 (もっと読む)


本発明は、ホスファプラチン、すなわち白金(II)および(IV)の安定な単離されたモノマーリン酸錯体、ならびに、シスプラチン耐性癌およびカルボプラチン耐性癌を含む癌を治療するためのそれらの使用方法を提供する。シスプラチンとは異なり、これらの錯体は容易に加水分解せず、水溶液に極めて可溶であり水溶液中で安定している。さらに、これらの錯体は、シスプラチン、カルボプラチンおよび関連した白金系抗癌剤とは異なり、DNAに結合しない。むしろ、データは、ホスファプラチンが、fasおよびfas関連転写因子、ならびにBakおよびBax等のいくつかのアポトーシス促進遺伝子の過剰発現を誘引することを示唆している。にもかかわらず、当該錯体は、癌細胞に対し驚異的な細胞傷害性を示す。したがって、本発明は、当技術分野におけるものとは異なる分子標的を有する新規な白金抗癌剤を提供する。 (もっと読む)


【課題】室温〜50℃で液体であり、蒸留精製が可能で、単量体で蒸気圧が高く、量産しやすいシクロペンタジエニル系ストロンチウム化合物により、ストロンチウム含有薄膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】Sr源として、ビス(プロピルテトラメチルシクロペンタジエニル)ストロンチウムを用いて、化学気相成長法または原子層堆積法により、SrTiO3または(Ba,Sr)TiO3膜等のストロンチウム含有薄膜を形成する。
【選択図】なし (もっと読む)


【課題】新規な含窒素有機珪素化合物と、その効率的な製造法の提供。
【解決手段】エチレングリコールモノアリルエーテル又はポリエチレングリコールモノアリルエーテルを出発原料とし、アルコキシシランを用いてシリル化した後、アミノ基を導入することにより、一般式(1)


で示される含窒素有機珪素化合物を得る。さらに、該化合物のアミノ基に、後周期遷移金属と2座での錯形成可能なリン原子を2個有するビフェニル基、ビナフチル基、又はフェロセニル基を導入することにより、一般式(2)


で示される含窒素有機珪素化合物を得る。 (もっと読む)


【課題】基材上においてコンフォーマル金属含有皮膜を製作するための、原子層堆積を含む化学蒸着法用の金属源含有前駆体溶液を提供する。
【解決手段】金属源前駆体溶液は、(i)β−ジケトネート、β−ケトイミネート、β−ジイミネート、アルキル金属、金属カルボニル、アルキル金属カルボニル、アリール金属、アリール金属カルボニル、シクロペンタジエニル金属、シクロペンタジエニル金属イソニトリル、シクロペンタジエニル金属ニトリル、シクロペンタジエニル金属カルボニル、金属アルコキシド、金属エーテルアルコキシド及び金属アミドから選択される少なくとも1種の金属錯体であって、その配位子が、金属原子に配位する一座、二座及び多座であり得、そして金属が第2族〜第14族の元素から選択されるような金属錯体と、(ii)かかる金属源含有前駆体用の、線状アミド及び環状アミドを含む有機アミドから選択される溶媒とから構成される。 (もっと読む)


【課題】メタロセンと組み合わせることによりオレフィンの重合に有効に使用できる触媒系を形成する化合物の提供。
【解決手段】式(I)で表される化合物。(式中、R、Rは以下から選択され;


Xはアセチレン,テトラフルオロフェニレン等、Jは1〜3、a,b,cは0〜3の整数、Mはホウ素、ケイ素又はリンから選択され、Aは陰イオンを表す。)
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トランス-[テトラクロロビス(1H-インダゾール)ルテナート(III)]のアルカリ金属塩を作成する方法が開示される。 (もっと読む)


【課題】新規な遷移金属錯体の提供。
【解決手段】式(1)


(Mは周期律表の第4族元素を、Aは元素の周期律表の第14族元素を、Dは元素の周期律表の第16族元素を、Cpはシクロペンタジエニル型アニオン骨格を有する基を表し、R、R、R、R、R及びRは水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数1〜20のアルキル基、炭素原子数6〜20のアリール基等を表し、RとRは結合して環を形成していてもよく、RとR、RとR、RとRは、それぞれ環を形成していてもよく、Xはハロゲン原子、炭素原子数1〜20のアルキル基等を表し、Xはエステル又はケトンのエノラートを表す。)で示される遷移金属錯体。 (もっと読む)


本発明は、二つのオルトメタレート化キレートC^N配位子と、二座配位のホスフィノカルボキシレートタイプの補助配位子とを含む新規なオルトメタレート化遷移金属錯体[C^N]M[P^O]を含む発光物質に関する。意外にも、金属が、オルトメタレート化キレートC^N配位子と、二座配位のホスフィノカルボキシレートタイプ(P^O)の補助配位子の両方に結合されていると、該配位子が、発光過程に有利に係って、錯体[C^N]M[P^O]の青色発光効率を大幅に改善できることを見出した。本発明のさらなる目的は、該発光物質の使用および該発光物質を含む有機発光素子である。 (もっと読む)


【課題】ホスフィンオキシドビタミンD前駆物質を調製する方法を提供する。
【解決手段】式(式1の構造)(1)(式中、Phは、フェニルであり、X1及びX2は、共に水素であるか或いはX1とX2が一緒になってCH2であり、R1は、保護基であり、R2はフッ素、水素又はOR3であり、ここで、R3は、保護基であり、波線は、隣接の二重結合がE配置か又はZ配置になる結合を示す)の化合物の製造方法であって、式(式2の構造)(2)の化合物とジフェニルホスフィンオキシドとを、有機溶媒中のジフェニルホスフィンオキシド、塩基性水溶液及び相間移動触媒を含む二成分相反応混合物を用いて反応させて、式(1)の化合物を得る工程を含む、前記方法。 (もっと読む)


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