【課題】熱変化に対する線膨張率が小さく、表示装置用基板に好適に使用することができる透明複合材料を提供する。
【解決手段】一般式（１）で示される重合性リン酸エステルモノマー（Ａ）及び平均粒子径が５〜３００ｎｍのアルミナ粒子（Ｂ）を必須成分とし、メチルメタクリレートを含有しない硬化性組成物を硬化してなる透明複合材料、その材料から得られる透明フィルム及びその製造方法。


（式中、Ｒ¹は水素原子またはメチル基を表し、Ｒ²はアルキレン基を表し、Ｍは１価のカチオンを表す。ｎは１〜１０の数を表し、ｍは１〜３の整数を表す。） （もっと読む）

【課題】レジスト組成物用酸発生剤として有用な塩、及び当該塩を含有する、優れたＣＤ均一性（ＣＤＵ）を有するレジストパターンを製造し得るレジスト組成物等を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される塩。


［式（Ｉ）中、Ｒ^１は、置換基を有してもよい芳香族炭化水素基を表す。Ｒ^２は、塩基解離性基を表す。Ｒ^３は、水素原子又はヒドロキシ基を表す。Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立に、式（ａ−ｇ１）


（式（ａ−ｇ１）中、ｓは０〜２の整数を表す。Ａ^１０及びＡ^１１は、それぞれ独立に脂肪族炭化水素基を表す。Ｘ^１０は、酸素原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基又はオキシカルボニル基を表す。ｍ１は１又は２を表し、ｍ２は０又は１を表す。但し、ｍ１＋ｍ２＝２の関係を満たす。Ａ⁻は、スルホン酸アニオン、スルホニルイミドアニオン、スルホニルメチドアニオン及びカルボン酸アニオンから選ばれる有機アニオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】ＩＣ等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにはその他のフォトアプリケーションのリソグラフィー工程に好適に使用され、特にネガ型現像技術において、ラインエッジラフネス、スカムやマイクロブリッジ等の欠陥の発生の無い微細なレジスパターン形成方法を提供することを課題としている。

【解決手段】露光により発生した酸の作用により有機溶剤に対する溶解度が減少する感放射線性組成物を、下記条件（１）を満足するフィルターを通過させた組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程、前記レジスト膜を露光し、有機溶剤を含有する現像液を用いて現像する工程、を含むことを特徴とするパターン形成方法である。
条件（１）：フィルターの臨界表面張力が７０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上であり、かつ荷電修飾されていない。 （もっと読む）

【課題】プロトン伝導率の高い新たなホスホン酸ポリマーを提供する。
【解決手段】ジメチルホスホネートＣＨＣＦ2ＰＯ（ＯＥｔ）2を源材料とし、中間化合物ＨＯＣＨ2ＣＦ2ＰＯ（ＯＥｔ）2を生成した後、該中間化合物と化合物Ｈ2Ｃ＝ＣＦＣＯＣｌとの反応を経て、Ｈ2Ｃ＝ＣＦＣＯＯＣＨ2ＣＦ2ＰＯ（ＯＥｔ）2を生成し、これを重合してポリマーとした後、該ポリマーのエチル基を水素に置換させ構造式（1）で表される分子鎖構造を繰り返し単位として含むホスホン酸ポリマーの製造方法。
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【課題】優れたマスクエラーファクターを有し、かつ欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、酸発生剤及び式（ＩＩ）で表される化合物を含有するレジスト組成物。
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【課題】優れたフォーカスマージンでレジストパターンを製造することができ、得られたレジストパターンの欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ａ¹⁴は、脂肪族炭化水素基を表す。］ （もっと読む）

【課題】パターン倒れ及び欠陥が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物の提供。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、式（ＩＩ）で表される構造単位を有し、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂及び酸発生剤を含有するレジスト組成物。


アルキル基、水素原子又はハロゲン原子を表す。］ （もっと読む）

【課題】レジストパターン形成時の露光マージン（ＥＬ）に優れ、欠陥の発生数が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。


［式中、Ｒ¹は、水素原子又はメチル基；Ａ¹はアルカンジイル基；Ｒ²は、フッ素原子を有する炭化水素基；Ｒ^ｂ１及びＲ^ｂ２は、独立に、フッ素原子又はペルフルオロアルキル基；Ｌ^ｂ１は、２価の飽和炭化水素基；環Ｗ^ｂ１は複素環；Ｒ^ｂ３は、水素原子又は炭化水素基；Ｒ^ｂ４は炭化水素基；ｍは、０〜６の整数；Ｚ^１＋は有機カチオンを表す。］ （もっと読む）

【課題】優れたラインエッジラフネス（ＬＥＲ）で、且つ、欠陥の発生が少ないレジストパターンを製造することができるレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）、酸発生剤、式（ＩＩ）で表される化合物を含むレジスト組成物。
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【課題】優れたフォーカスマージン（ＤＯＦ）で、欠陥の発生数も少ないレジスト組成物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）で表される構造単位を有する樹脂、アルカリ水溶液に不溶又は難溶であり、酸の作用によりアルカリ水溶液で溶解し得る樹脂（但し、式（Ｉ）で表される構造単位を含まない）及び式（ＩＩ）で表される酸発生剤を含有するレジスト組成物。
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