【課題】水蒸気等の酸化剤中における焼成工程での収縮が小さく、シリカ膜の亀裂や半導体基板との剥離が発生しにくい無機ポリシラザン及び無機ポリシラザンを含有するシリカ膜形成用塗布液を提供すること。
【解決手段】¹Ｈ―ＮＭＲスペクトルにおいて、４．７５ｐｐｍ以上で５．４ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＡとし、４．５ｐｐｍ以上で４．７５ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＢとし、４．２ｐｐｍ以上で４．５ｐｐｍ未満の範囲のピーク面積をＣとしたとき、Ａ／（Ｂ＋Ｃ）の値が０．９〜１．５であり、（Ａ＋Ｂ）／Ｃの値が４．２〜５０であり、ポリスチレン換算値による質量平均分子量が２０００〜２００００である無機ポリシラザンをシリカ膜形成用塗布液に含有させる。 （もっと読む）

【課題】埋設性と塗布性とに優れ、すぐれた膜物性を有するシリカ質膜を形成することができるコーティング組成物とそれを用いたシリカ質膜の形成方法の提供。
【解決手段】ペルヒドロポリシラザンと溶媒とを含んでなるコーティング組成物であって、前記ペルヒドロポリシラザンの分子量分布曲線が、分子量８００〜２，５００の範囲と、分子量３，０００〜８，０００の範囲とにそれぞれ極大を有し、重量平均分子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎの比Ｍｗ／Ｍｎが６〜１２である、コーティング組成物。このコーティング組成物ギャップを有する基板上に塗布し、１０００℃以下で加熱することにより、ギャップ深部まで埋設されたシリカ質膜を形成させることができる。 （もっと読む）

硬化性オリゴマー及び／又はポリマーポリシラザンの調製プロセスは、（ａ）少なくとも１つのジハロシランを少なくとも１つの塩基と反応させることにより少なくとも１つのジハロシラン−塩基付加生成物を形成する工程と、（ｂ）所望により、少なくとも１つのジハロシラン−塩基付加生成物と少なくとも１つの有機ジハロシランを混ぜ合わせる工程と、（ｃ）少なくとも１つのジハロシラン−塩基付加生成物、又は得られた少なくとも１つのジハロシラン−塩基付加生成物と少なくとも１つの有機ジハロシランの混合物のアンモノリシスを行う工程と、を含み、ただし、塩基を、（１）ジハロシラン中のケイ素−ハロゲン結合の化学量論量の２倍以下の制限量でジハロシラン−塩基付加生成物の形成に用い、又は（２）この制限量より多い量でジハロシラン−塩基付加生成物の形成に用い、アンモノリシスに先立ち、得られた反応済み又は未反応の塩基の全量をこの制限量以下に減少させる。 （もっと読む）

【課題】水蒸気中における焼成工程での収縮が小さく、シリカ被膜の亀裂や半導体基板との剥離が発生しにくい絶縁膜形成用塗布液、それを用いた絶縁膜およびそれに用いる化合物の製造方法を提供する。
【解決手段】^１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにおいて、ＳｉＨ_３基に由来する４．３〜４．５ｐｐｍのピーク面積に対する、ＳｉＨ_１基とＳｉＨ_２基とに由来する４．５〜５．３ｐｐｍのピーク面積の比が、４．２〜５０である無機ポリシラザンと、有機溶媒とを有する絶縁膜形成用塗布液である。絶縁膜は、上記絶縁膜形成用塗布液を用いて得る。無機ポリシラザンは、ジハロシラン化合物、トリハロシラン化合物、又はこれらの混合物と塩基とを反応させてアダクツを形成した後、アダクツの溶液または分散液にアンモニアを−５０〜−１℃にて反応させることにより得る。 （もっと読む）

（ａ）少なくとも１つの硬化性オリゴマー又はポリマーポリシラザンと、（ｂ）少なくとも１つのフルオロケミカル化合物と、を含む、硬化性有機フッ素変性ポリシラザンを調製するための組成物であって、前記少なくとも１つの硬化性オリゴマー又はポリマーポリシラザンは、少なくとも１つの化学的反応性部位を含み、
（ｂ）前記少なくとも１つのフルオロケミカル化合物は、
（１）少なくとも１つの有機フッ素又はヘテロ有機フッ素部分、及び
（２）少なくとも１つの前記化学的反応性部位を通して前記硬化性オリゴマー又はポリマーポリシラザンと反応することができる少なくとも１つの官能基、を含む、組成物。
硬化性有機フッ素変性ポリシラザンは、前記組成物の成分を組み合わせる工程、及び前記成分を反応させるか又は反応を誘導する工程によって調製することができる。 （もっと読む）

（ａ）少なくとも１つの主表面を有する少なくとも１つの基材を用意する工程と、（ｂ）（１）及び（２）を組み合わせる工程と、（１）少なくとも１つの化学的反応性部位を含む、少なくとも１つの硬化性オリゴマー又はポリマーポリシラザン、（２）（ｉ）及び（ｉｉ）を含む、少なくとも１つのフルオロケミカル化合物、（ｉ）少なくとも約６個の全フッ素化炭素原子を含む少なくとも１つの有機フッ素又はヘテロ有機フッ素部分、（ｉｉ）少なくとも１つの前記化学的反応性部位を通して前記ポリシラザンと反応することができる少なくとも１つの官能基、（ｃ）前記ポリシラザンと前記フルオロケミカル化合物とを反応させて又は反応を誘導して、少なくとも１つの硬化性有機フッ素変性ポリシラザンを形成する工程と、（ｄ）前記硬化性有機フッ素変性ポリシラザン又はその前駆体を前記基材の少なくとも１つの主表面の少なくとも一部に塗布する工程と、（ｅ）前記硬化性有機フッ素変性ポリシラザンを硬化させて表面処理を形成する工程と、を含む、表面処理方法。 （もっと読む）

【課題】ポリシラザンのＳｉＯ転化速度や可とう性、膜厚限界の改善を行いながら、変性に伴うポリシラザンとしての物性低下を最小限にする変性ポリシラザンを提供する。
【解決手段】所定の骨格を有する数平均分子量が３００〜５００００のポリシラザン主鎖の少なくとも一部を、該ポリシラザンと反応する官能基を有する有機化合物により変性させた変性ポリシラザンにおいて、
（Ａ）前記有機化合物を添加して前記ポリシラザンを変性させる際の該有機化合物の添加量が、該ポリシラザン１００質量部に対して０．１〜３０質量部であり、かつ、
（Ｂ）前記変性ポリシラザンの変性率が１０％以下であることを特徴とする変性ポリシラザン。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な、トレンチへの埋め込み性が高く、硬化収縮率が小さく、かつ良好なクラック耐性を有するシリコン酸化物塗膜を与えるトレンチ埋め込み用組成物を提供すること。
【解決手段】水素化ポリシラザン化合物と、シリカ粒子に由来する構造を有する反応物とを含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】ポリ乳酸の湿熱安定剤として有用な新規ポリシリルカルボジイミド化合物を提供する。
【解決手段】カルボジイミド基の窒素原子が、シリル原子により結合されている特定構造を重合度１〜２０のくり返し単位で有し、末端に、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基、アラルキル基、アルキルオキシ基、シクロアルキルオキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基またはエステル基あるいはエーテル基で封止されているポリシリルカルボジイミド化合物である。 （もっと読む）

【課題】高分子量を有しながらも溝の充填力が優れたポリシラザンおよびその合成方法、ポリシラザンを含む半導体素子製造用組成物およびその半導体素子製造用組成物を用いた半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】ポリシラザンは、反応溶媒内に反応物として添加されたジクロロシラン、トリクロロシラン、およびアンモニアを触媒存在下で反応させることによって合成することができ、ポリスチレン換算重量平均分子量が２０００〜３００００であり、下記化学式（１）で示される。
【化１】


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