【課題】半導体デバイス用基板、特に表面にＣｕ配線を有する半導体デバイス用基板におけるＣＭＰ工程後の洗浄工程に用いられ、Ｃｕ配線に対する十分な防食性を有し、残渣の発生及び基板表面への残渣の付着を抑制することができる洗浄液を提供する。
【解決手段】以下の成分（Ａ）〜（Ｅ）を含有してなり、かつｐＨが１０以上である半導体デバイス用基板洗浄液。
（Ａ）一般式（１）で表される有機第４級アンモニウム水酸化物
（Ｒ¹）₄Ｎ⁺ＯＨ^- （１）
（但し、Ｒ¹は水酸基、アルコキシ基、又はハロゲンにて置換されていてもよいアルキル基を示し、４個のＲ¹は全て同一でもよく、互いに異なっていてもよい。）
（Ｂ）界面活性剤
（Ｃ）キレート剤
（Ｄ）硫黄原子を有するアミノ酸
（Ｅ）水 （もっと読む）

【課題】
化合物半導体基板の予備洗浄（プレ洗浄）技術の課題であった、洗浄力不足等の課題を解決すると共に、繰り返し使用時の洗浄スタミナ性を向上させた予備洗浄（プレ洗浄）剤組成物を提供することにある。
【解決手段】
炭化水素、グリコールエーテル、ノニオン性界面活性剤、分岐炭素鎖を有するエタノールアミンを含有する洗浄剤組成物により、研磨処理後の半導体基板、特にＧａＡｓ、サファイア、SｉＣのような化合物半導体と呼ばれる基板、に付着したワックス、研磨剤、パーティクル（研削屑等の異物）の汚れの除去に好適に使用しうるプレ洗浄剤組成物を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、高濃度酸などによる過酷な酸洗条件下であっても、鉄鋼に対しては勿論、その他の金属に対しても極めて高い腐食抑制効果を示す酸洗浄用腐食抑制剤組成物、当該組成物を含む金属腐食抑制性酸洗浄液、および当該酸洗浄液を用いる金属の洗浄方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係る金属腐食抑制剤組成物は、ロジンアミン、および、無機リン酸塩または有機ホスホン酸塩の少なくとも１種を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】洗浄成分をより高濃度化することができるため搬送性等に優れ、使用時には、所望の濃度の希釈液体洗剤を容易に得ることができる濃縮液体洗剤を提供すること。
【解決手段】
水で希釈して使用する濃縮液体洗剤であって、第一の相と第二の相とを含み、上記第一の相と上記第二の相とは非相溶性であり、水で所定の倍率に希釈すると、上記第一の相と上記第二の相とは相溶性を示して、均一に分散された一相の液体となることを特徴とする濃縮液体洗剤。 （もっと読む）

【課題】 金属配線を腐食することなく、化学的機械研磨工程で発生した結晶シリコンやアモルファスシリコンシリコン表面に残留した金属残渣や砥粒残渣を除去することができる洗浄剤を提供することを目的とする
【解決手段】 表面に単結晶シリコン、多結晶シリコンもしくはアモルファスシリコンと銅配線を同一面に有する半導体用洗浄剤であって、４級アンモニウムヒドロキシド（Ａ）、オキシエチレン鎖を有する脂肪族アミンのアルキレンオキサイド付加物（Ｂ）および水を必須成分として含み、そのｐＨが１２．５〜１４．０であり、かつ単結晶シリコンの表面に滴下したときの接触角が３０°以下であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】研磨材や研磨屑等の無機粒子に対する洗浄性が向上したガラスハードディスク基板の製造方法の提供。
【解決手段】以下の工程（１）〜（４）を含む、ガラスハードディスク基板の製造方法。（１）ｐＨが１．０〜４．０である研磨液組成物を用いて被研磨ガラス基板を研磨する工程。（２）工程（１）で得られた基板を、ｐＨ１．０〜４．０の酸性洗浄剤組成物Ａに浸漬しながら、洗浄工程（３）に搬送する工程。（３）工程（２）で搬送された基板を、ｐＨ８．０〜１３．０のアルカリ性洗浄剤組成物Ｂを用いて浸漬洗浄する工程。（４）工程（３）で得られた基板を、ｐＨ１．０〜４．０の酸性洗浄剤組成物Ｃを用いてスクラブ洗浄する工程。 （もっと読む）

【課題】化学系洗浄剤と、胞子、細菌、真菌又は酵素との両方を含む固体組成物が必要とされている。
【解決手段】本発明は、ボレート塩及び胞子（細菌又は真菌）、植物性細菌、真菌又は酵素を含む安定な固体クリーニング組成物と、当該組成物を用いる方法とに関する。 （もっと読む）

【課題】真菌類および一般細菌に対して殺菌効果を有すると共に、第四級アンモニウム塩および／またはビグアナイド系殺菌剤に抵抗性を有する微生物に対しても殺菌効果を有し、それ自体に対する薬剤抵抗性菌が発生し難く、かつ、高い洗浄力を有する殺菌洗浄剤組成物を提供すること。
【解決手段】下式の化合物、非イオン界面活性剤およびトリエタノールアミンを含有する殺菌洗浄剤組成物を提供する：


［式中、Ｒ_１は炭素数１〜３の飽和直鎖アルキル基、Ｒ_２は炭素数８〜１２の飽和直鎖アルキル基、Ｘ⁻はハロゲンイオン、Ｙは炭素数８〜１２の飽和直鎖アルキレン基を表す］。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、銅配線を腐食させることなく、配線金属の腐食抑制の目的で添加されている防食剤などの有機残渣、および研磨された銅配線金属の銅の残渣の除去性に優れる銅および銅合金配線半導体用の洗浄剤を提供することを目的とする。
【解決手段】 銅または銅合金配線を形成する半導体製造工程中の化学的機械的研磨工程に続く洗浄工程において使用される洗浄剤であって、ＨＬＢが１５〜３５であって分子内に少なくとも１個の水酸基を有するアミン（Ａ）、ＨＬＢが１０〜３０であって分子内に少なくとも１個の３級アミノ基を有しかつ水酸基を含まないアミン（Ｂ）、および水を必須成分とし、使用時のｐＨが７．５〜１３．０であることを特徴とする銅配線半導体用洗浄剤を用いる。 （もっと読む）

【課題】半導体基板や金属配線の腐食や酸化を起こすことなく、基板表面の微細粒子や金属不純物を除去し得、金属腐食防止剤-Cu皮膜の除去せずに基板表面のカーボン・ディフェクトをも同時に除去し得る処理方法。
【解決手段】ベンゾトリアゾール又はその誘導体含有スラリーで処理された半導体基板を、〔I〕カルボキシル基を少なくとも１個有する有機酸０．０５〜５０重量％、〔II〕ポリホスホン酸類、アリールホスホン酸類、及びこれらのアンモニウム塩又はアルカリ金属塩からなる群より選ばれる少なくとも１種の錯化剤０．０１〜３０重量％、〔III〕炭素数１〜５の飽和脂肪族１価アルコール、炭素数３〜１０のアルコキシアルコール、炭素数２〜１６のグリコール、炭素数３〜２０のグリコールエーテル、炭素数３〜１０のケトン及び炭素数２〜４のニトリルからなる群より選ばれる少なくとも１種の有機溶媒０．０５〜５０重量％を含んでなる洗浄剤。 （もっと読む）