本発明は、新規なスルホペルオキシカルボン酸化合物、該化合物の製造と使用の方法に関連する。本発明のスルホペルオキシカルボン酸化合物は貯蔵安定性を有し、水溶性で、低臭〜無臭である。さらに、本発明の化合物は非石油系再生油から抽出され得る。本発明の化合物は殺菌剤、及び漂白剤として使用され得る。本発明の化合物はまた、カップリング剤としての使用にも適している。
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本発明の目的は、ホスホネート含有液体洗剤または清浄剤が有益なタンパク質分解活性を示し、さらに改善された貯蔵安定性を有するようにすることである。該目的は、配列番号１に示されるアミノ酸配列と少なくとも８０％同一であって、配列番号１の９９位に、アミノ酸グルタミン酸（Ｅ）またはアスパラギン酸（Ｄ）、あるいはアミノ酸アスパラギン（Ｎ）またはグルタミン（Ｑ）、あるいはアミノ酸アラニン（Ａ）またはグリシン（Ｇ）またはセリン（Ｓ）を含有するアミノ酸配列を含むプロテアーゼを用いることによって達成される。 （もっと読む）

【課題】酸化セリウム等の研磨材に由来する微粒子汚れに対する洗浄性に優れる洗浄剤組成物、およびガラス製ハードディスク基板の洗浄方法を提供する。
【解決手段】酸化セリウムを含む研磨材で研磨したガラス製ハードディスク基板の洗浄に用いる洗浄剤組成物において、（Ａ）成分：ホスホン酸系キレート剤を１〜５０質量％、（Ｂ）成分：ヒドロキシカルボン酸および／またはその塩を１〜２０質量％含有し、かつ、前記（Ａ）成分と（Ｂ）成分の質量比が、（Ａ）成分／（Ｂ）成分＝５０／５０〜９０／１０であり、界面活性剤の含有量が１質量％未満であり、純水で２質量％に希釈した希釈液の２５℃におけるｐＨが５．０以下であることを特徴とする洗浄剤組成物。 （もっと読む）

制御雰囲気鑞付けアルミニウム熱交換器を含む自動車冷却系の急速洗浄および保護のための方法および処理システムを開示する。該方法および処理システムは、任意にコンディショニング（不動態化）段階を含みうる。該処理システムは３つの異なる部分からなりうる。それは、（１）洗浄剤または洗浄液、（２）コンディショナーまたはコンディショナー溶液、および（３）相溶性ＣＡＢアルミニウム保護熱媒液である。
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【課題】湿潤、浸透効果に優れて太陽電池用基板上に存在する汚染物質に対する洗浄効果に優れるとともに、後工程のテクスチャリングに悪影響を及ぼさず、太陽電池の製造収率を向上させる洗浄液組成物を提供する。
【解決手段】本発明は太陽電池用洗浄液組成物であって、有機アルカリ化合物、水溶性グリコールエーテル化合物、過炭酸塩、有機リン酸またはその塩、及び水を含むことを特徴とする洗浄液組成物に関する。 （もっと読む）

本発明は、発泡を増加することなく、食品汚物を除去するための、塩素化アルカリ清浄剤および方法を提供する。特に有利な点は、食品汚物の除去の際に、メタンスルホン酸を加え、その結果発泡が増加することが無いという点である。 （もっと読む）

【課題】選択ビタミンＢ類、すなわち、ピリドキシンおよびその塩類、ならびにチアミンおよびその塩類を使用する改良された眼科用溶液に関し、溶液をより効果的に防腐処理をし、コンタクトレンズ上にカチオン性防腐剤が沈着するのを一定程度減少させること。
【解決手段】０．００１〜１０重量％の、チアミン(B1)、リボフラビン(B2)、ナイアシン(B3)、デクスパンテノール、パントテン酸(B5)、およびピリドキシン(B6)からなる群から選択される防腐剤増強剤、ならびに少なくとも０．０００１重量％のカチオン性防腐剤を含むコンタクトレンズ用溶液であって、前記溶液が０．２モルパーセント以下の塩化物濃度を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、被研磨基板を、シリカ微粒子を含有する研磨液組成物で研磨した後、水で濯いで得られる被洗浄基板に対して好適に用いられ、洗浄性および耐泡立ち性が優れ、短時間の洗浄でも高度に清浄化されたＨＤ用基板を得ることを可能とするＨＤ用基板用の洗浄剤組成物、およびそれを用いた清浄度の高いＨＤ用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のＨＤ用基板用の洗浄剤組成物は、特定のアクリル酸系共重合化合物および／又はその塩（成分(Ａ)）と、ポリアミン（成分（Ｂ））と、水（成分(Ｃ)）と、を含有し、実質的に非イオン性界面活性剤を含有せず、前記成分(Ｃ)以外の成分の重量の総和における前記成分（Ｂ）の含有量は３０〜９５重量％であり、前記成分(Ａ)と前記成分(Ｂ)の重量比｛成分(Ａ)/成分(Ｂ)｝が０．０４〜０．８である、Ｎｉ−Ｐ含有層を有するハードディスク用基板用洗浄剤組成物。 （もっと読む）

マイクロエレクトロニクスデバイスまたはナノエレクトロニクスデバイスを洗浄するための洗浄組成物であって、組成物中の唯一の酸および唯一のフッ化物化合物としてのＨＦと、スルホンおよびセレノンからなる群から選択された少なくとも１種の第一の溶媒と、金属イオン錯化または結合部位を有する、ポリヒドロキシルアルキルアルコールまたはポリヒドロキシルアリールアルコールの少なくとも１種の共溶媒と、水と、任意選択で少なくとも１種のホスホン酸腐食防止剤化合物とを含み、アミン、塩基、およびその他の塩を含まない洗浄組成物。 （もっと読む）

本発明は、ストリッピング組成物と、注入フォトレジストを洗浄する方法でのそのようなストリッピング／洗浄組成物の使用とに関し、この組成物は、シリコン、チタン、窒化チタン、タンタル、およびタングステンに適合可能なものである。半導体デバイスの表面から高ドーズ量イオン注入フォトレジストを除去するための組成物であって、６５℃を超える引火点を有する少なくとも１種の溶媒、ニトロニウムイオンを提供する少なくとも１種の成分、および少なくとも１種のホスホン酸腐食防止剤化合物を有する組成物と、半導体デバイスの表面から高ドーズ量イオン注入フォトレジストを除去するための、そのような組成物の使用が提供される。 （もっと読む）