【課題】
新規な熱電素子となり得る化合物及び同化合物を含む熱電素子を提供する。
【解決手段】
周期律表１Ａ族金属が充填された、１Ｂ族元素、２Ａ族又は２Ｂ族元素、３Ｂ族元素、４Ｂ族元素、５Ｂ族元素及び６Ｂ族元素のうち周期律表における３種類の族に属する元素よりなり、且つそれら３種類の元素の有する価電子数の和が８となる組み合わせから選ばれた充填４配位結合化合物及び該化合物を含む熱電素子。
特に好適な化合物はＮａ_ＸＺｎ_ＸＩｎ_１−ＸＳｂである。 （もっと読む）

【課題】 各種ポンプ、圧縮機等の軸受、シール又は真空ポンプのベーン、ボールシート等に使用され、鉛含浸カーボン摺動材と同等の摺動特性を有する鉛を含有しない金属含浸カーボン摺動材を提供する。
【解決手段】 カーボン基材に、Ｓｂ７０〜９０重量％及びＣｕ１０〜３０重量％を含む合金を含浸してなる金属含浸カーボン摺動材に関し、特に、カーボン基材が、学振法による黒鉛の格子定数測定法より求めた格子定数Ｃｏ＝０．６５４〜０．６９４ｎｍの範囲であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂフリーはんだを用いて半導体素子搭載基板と放熱板とを接合する半導体装置において、半導体素子搭載基板と放熱板との線膨張係数差に起因する反りを抑制できるようにする。
【解決手段】Ｐｂフリーはんだ４として、固相線温度が２００℃以下となるＳｎ−Ｉｎ系合金、Ｓｎ−Ｂｉ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ系合金、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系合金もしくはＩｎを用いる。これにより、Ｐｂフリーはんだ４を溶融した後の冷却によって放熱板２とＤＢＡ基板１ａ、１ｂとの熱膨張差のバイメタル効果によって反りが発生することを抑制することが可能となる。このため、反り許容範囲を超える反りが発生してしまうことが防止できる。 （もっと読む）

【課題】取り扱い性が良く、容易に製造できると共に、ボイドの発生を抑制することができる線はんだを提供することにある。
【解決手段】融点が３００℃以下の第一金属成分からなるメッキ層２と、前記メッキ層２が表面に形成され、前記第一金属成分に溶融し拡散して３５０℃以上の高融点化合物を生成する第二金属成分からなる線状部材３とを有する線はんだ本体１を所定の応力にて複数縒り合わせたことで、所定の応力が隣接する線はんだ本体１に作用し、メッキ層２の形状を変形させて、隣接する複数の線はんだ本体１間の空隙４を減少させており、接合部形成時に第一金属成分と第二金属成分とが溶融し拡散してなる合金内への空気の入り込みが抑制され、その結果、ボイドの発生を抑制させるようにした。 （もっと読む）

【課題】錫−鉛はんだ合金の代替えとして十分な特性を有する鉛フリーはんだ合金接合を得る。
【解決手段】錫ビスマス合金に少量の金属を添加したはんだ合金と、熱硬化性樹脂とを含有するはんだ合金接合材料であって、はんだ合金は、銅、銀、ニッケル、ゲルマニウム、アンチモン、及びインジウムからなる群から選択される少なくとも１種の金属を２質量％以下、ビスマスを４５または５７質量％、錫を残部として含有する。 （もっと読む）

【課題】 溶射法により電極を形成し、高性能熱電変換モジュールを作製する場合、熱電変換材料（素子）割れの不具合がなく、電極剥離が生じない、高性能熱電変換材料及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 Bi及びSbと、Te及びSeからなる群から選択された構成元素からなる熱電変換材料において、その組織構造が海島構造で、海部は平均粒径５μｍ以下のＣ軸が一方向に揃った結晶粒からなり、島部は細長い結晶粒からなり、長手方向の平均長さが２０〜５０μｍであり、この島部が海部にランダムに分布し、且つこの島部は前記構成元素の少なくとも１種の元素が偏析している構造であることを特徴とする熱電変換材料。及び、焼結原料に、該焼結原料よりTe量が多い粉末原料を混合し、得られた混合物を加熱、加圧することを特徴とする上記の熱電変換材料を製造する方法。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子のダイボンディングや電子部品の組立て等で用いるのに好適で、Ｐｂを含まない新規なＳｎ／Ｓｂ系ろう材を提供する。
【解決手段】 Ｓｂを２０〜６５質量％、Ｔｅを０．０１〜５質量％を含み、残部がＳｎおよび不可避不純物である。さらに、Ａｇ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％を添加してもよい。あるいは、Ｓｂを２０〜６５質量％、Ｔｅを０．０１〜５質量％、Ｐを０．００１〜０．５質量％を含み、残部がＳｎおよび不可避不純物である。さらに、Ａｇ、Ｃｕ、ＦｅおよびＮｉのうちの１種以上を合計で０．０１〜５質量％を添加してもよい。 （もっと読む）

【課題】 比抵抗を増加させずに熱伝導率を低くすることができる熱電材料及びその製造方法並びに熱電モジュールを提供する。
【解決手段】 ＡをＢｉ及びＳｂからなる群から選択された少なくとも１種の元素としたとき、Ａ_２Ｔｅ_ｘＳｅ_３−ｘで表される組成のインゴットを作製し、このインゴットを液体急冷法により、冷却速度を１×１０^３Ｋ／秒以上にして急冷凝固させて、薄片化及び／又は粉末化する。そして、この薄片及び又は粉末を、マイクロ波焼結法又は通電加熱焼結法により、焼結時間をｔ（分）とし、焼結温度をＴ（℃）としたとき、下記数式で表される条件で固化成形し、３ａサイトに位置するＴｅ２の一部及び６ｃサイトに位置するＴｅ１の一部がＳｅに置換された結晶構造をもつ六方晶系の熱電材料を得る。
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【課題】ダストの発生などが抑制された状態で、より早い速度でスパッタ法によりＢｉ₄Ｔｉ₃Ｏ₁₂などのビスマスとチタンとを含む金属酸化物の薄膜形成を可能とするターゲットを提供する。
【解決手段】ターゲット１０１は、ビスマス（Ｂｉ）が金属結合したＢｉ微粒子１０２とチタン（Ｔｉ）が金属結合したＴｉ微粒子１０３とより構成された焼結体である。ターゲット１０１は、例えば、粒径１０〜５０μｍ程度のＢｉ微粒子からなる粉体と粒径１０〜５０μｍ程度のＴｉ微粒子からなる粉体とを、ほぼ「Ｂｉ₄Ｔｉ₃」の組成となるように混合し、これらを所定の容器に充填して所定の形状に成型し、Ｂｉが溶解しない程度の温度（２７０℃以下）と適当な圧力とを加えて焼成することで形成可能である。 （もっと読む）

【課題】 半田付けしたときの強度を保持し、かつ、半田付けするときの融点を低温化できる金属ボールを提供する。
【解決手段】 金属ボール１０は、コアボール１と、反応抑制層２と、めっき層３とを備える。コアボール１は、直径が５０μｍ〜１０００μｍの範囲である銅（Ｃｕ）からなる。反応抑制層２は、ニッケル（Ｎｉ）からなり、０．１〜５μｍの範囲の膜厚を有する。めっき層３は、錫インジウム（Ｓｎ−Ｉｎ合金）からなり、０．１μｍ〜１００μｍの範囲の膜厚を有する。そして、めっき層３は、錫（Ｓｎ）が最内周から最外周へ向かって減少し、インジウム（Ｉｎ）が最内周から最外周へ向かって増加するように電気めっきにより作製される。 （もっと読む）