【課題】ドライエッチングにより微細加工を行った場合に、エッチング残渣が少なく、後工程における信頼性が高い非鉛の圧電体膜素子の製造方法、圧電体膜素子及び圧電体デバイスを提供する。
【解決手段】圧電体膜素子１の製造方法は、基板２上に、組成式（Ｋ_１−ｘＮａ_ｘ）ＮｂＯ_３で表されるペロブスカイト構造を有する非鉛のアルカリニオブ酸化物系化合物からなる圧電体膜５を形成する工程と、圧電体膜５を、フッ素系反応ガスを含む雰囲気中で低圧プラズマを用いてエッチングを行う工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ヒートシール性を損なうことなく、優れた消臭性能を有する積層体およびそれを用いた包装体を提供する。
【解決手段】少なくともヒートシール層４を含む消臭性能を有する積層体１０である。ヒートシール層４が、メソポーラスシリカからなる消臭剤を０．０１〜５０質量％、好適には０．５〜３５質量％含有する樹脂からなる。メソポーラスシリカは、焼成後、Ｘ線回折パターンの少なくとも一つのピークが１．８ｎｍより大きいｄ間隔を有し、６．７ｋＰａ、２５℃におけるベンゼン吸着容量が１００ｇあたり１５ｇより大きい無機質、多孔質または非層状の結晶相物質であって、かつ、結晶相が下記式、Ｍｎ／ｑ（ＳｉＯ_２）で表わされる関係を満足することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】用途に合わせて要求される電気的特性を備えた酸化物半導体層を用いたトランジスタ、及び該トランジスタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物絶縁膜上に、半導体層、ソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層が順に積層されたトランジスタにおいて、該半導体層としてエネルギーギャップの異なる少なくとも２層の酸化物半導体層を含み、かつ積層された酸化物半導体層の間に混合領域を有する酸化物半導体積層を用いる。 （もっと読む）

【課題】広範な波長領域の光に対する散乱性能を高めた透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を基体上にスパッタリング法によって形成する膜形成工程と、透明導電膜をアニール処理するアニール工程と、透明導電膜をウェットエッチングするエッチング工程と、を備える。アニール工程は、エッチング工程よりも前に行われてもよい。透明導電膜のアニール処理の温度が３００〜６００℃であってもよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物超電導層が超電導状態から常電導状態へと遷移（クエンチ）しようとした場合に、酸化物超電導層の電流を基材に転流させることができ、酸化物超電導層の上方に形成される安定化層の薄膜化が可能な酸化物超電導導体の提供。
【解決手段】本発明の酸化物超電導導体１０は、金属製の基材１と、基材１上に設けられた単層または複数層からなる中間層２と、中間層２上に設けられた酸化物超電導層３と、を備え、中間層２を構成する全ての層２１、２２が、電気伝導性の酸化物よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】優れたガスバリア性（特に、水蒸気バリア性）を有するフィルム及びこのフィルムを用いたデバイスを提供する。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも一方の面にアンカー層２を介して、厚み方向の少なくとも一部の領域において、下記（１）及び／又は（２）の特性を有する酸化アルミニウムの蒸着層３を形成する。（１）酸化アルミニウム（ＡｌｘＯｙ）の組成比（ｙ／ｘ）のピークが２．１〜３．０にある（２）酸化アルミニウムの密度が３．４ｇ／ｃｍ^３以上である （もっと読む）

【課題】表面平坦性に優れ、かつ高濃度の窒素ドーピングを実現できるＺｎＯ系薄膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】主面の法線が結晶軸から傾斜した酸化亜鉛系基板１上に、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜２を形成するにあたって、少なくとも亜鉛と酸素と窒素を原料ガスとして使用し、これらを７５０〜９００℃の温度条件で基板１に接触させて、基板１表面に、窒素をドープした酸化亜鉛系材料からなる結晶を成長させて窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜２を形成する。原料ガスとしての酸素供給量に対する亜鉛供給量は、窒素ドープ酸化亜鉛系薄膜の亜鉛と酸素のモル比（亜鉛／酸素）が１より大きくなるようにされる。原料ガスとしての窒素は、窒素ガスを高周波で励起することによって発生させた窒素ラジカルを含む。 （もっと読む）

【課題】酸素欠陥が少なく、圧電特性に優れた圧電体膜を形成する。
【解決手段】一般式(Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ)ＮｂＯ_３ (０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１)で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなる
圧電体膜であって、前記アルカリニオブ酸化物は、擬立方晶、正方晶、斜方晶、単斜晶、菱面体晶、またはそれらが共存した結晶構造を有しており、前記アルカリニオブ酸化物のＫ原子周囲の結合状態において、Ｋ−Ｏ結合とＫ−Ｍｅｔａｌ結合との合計を１００％としたとき、前記Ｋ−Ｏ結合の割合が４６．５％以上、前記Ｋ−Ｍｅｔａｌ結合の割合が５３．５％以下の圧電体膜である。 （もっと読む）

【課題】圧電薄膜の下に形成された電極が薄い圧電薄膜素子を好適に製造し得る方法を提供する。
【解決手段】第１の電極３上の少なくとも一部の上に犠牲層を形成する。犠牲層の上を含め第１の電極３の上に圧電薄膜４を形成する。圧電薄膜４の上に第２の電極５を形成する。圧電薄膜４の犠牲層の上に位置する部分の少なくとも一部に貫通孔４ａを形成する。このため、圧電薄膜４を確実に除去するために圧電薄膜４の厚さを超えてエッチングを行った場合であっても、圧電薄膜４の下方に位置する犠牲層がエッチングされるにとどまる。よって、犠牲層の下方に位置する第１の電極３がエッチングされることを防止することができる。その後、犠牲層を除去する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と該酸化物半導体膜と接する下地となる膜との界面の電子状態が良好なトランジスタ。
【解決手段】下地となる膜は酸化物半導体膜と同様の原子配列を有し、下地となる膜と酸化物半導体膜とが接している面において、面内の下地膜の最隣接原子間距離と酸化物半導体の格子定数の差を、下地となる膜の同面内における最隣接原子間距離で除した値は０．１５以下、好ましくは０．１２以下、さらに好ましくは０．１０以下、さらに好ましくは０．０８以下とする。例えば、立方晶系の結晶構造を有し（１１１）面に配向する安定化ジルコニアを含む下地となる膜上に酸化物半導体膜を成膜することで、下地となる膜の直上においても結晶化度の高い結晶領域を有する酸化物半導体膜が得られる。 （もっと読む）