【課題】耐熱温度の低い樹脂材料などに、膜応力が大きい膜材料を成膜するときに、膜クラックの発生が少なく、環境試験寿命を大幅に長くできるスパッタリング方法を提供することを目的としている。
【解決手段】樹脂基板９などに高屈折率膜１５，低屈折率膜１６，高屈折率膜１７，低屈折率膜１８をスパッタする場合に、スパッタの開始前の圧力を１０^−１Ｐａ台の低真空として、膜応力を引張応力とすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐食性および導電性に優れる耐食導電性皮膜を提供する。
【解決手段】本発明の耐食導電性皮膜は、Ｐ、ＴｉおよびＯからなるアモルファス相を少なくとも一部に有してなる。この耐食導電性皮膜が基材表面に形成された耐食導電材は、従来になく優れた耐食性および導電性を発現する。特にＴｉ原子比（Ｔｉ／Ｔｉ＋Ｐ）が０．５〜０．８である場合やＮが導入された場合、その耐食導電性皮膜の耐食性は、導電性を低下させることなく著しく向上する。本発明の耐食導電性皮膜は、腐食環境下で高い導電性が要求される電極等に用いられると好ましい。例えば、本発明の耐食導電性皮膜により表面が被覆された燃料電池用セパレータは、耐食性および導電性に優れて好適である。 （もっと読む）

【課題】ロール・ツー・ロールで搬送される長尺の樹脂フィルムの両面に金属薄膜を成膜する場合に、第１の面の金属薄膜の表面と第２の面の金属薄膜の表面とがくっつくことによる、しわ、膜剥がれ等の不具合を防ぐことができ、両面積層基板の生産効率を低下させることのない金属薄膜積層基板の製造方法を提案する。
【解決手段】長尺のフィルム基板Ｆの両面に金属薄膜を真空成膜により成膜したのち、該金属薄膜の少なくとも一方の金属薄膜の表面に金属酸化物の薄膜を形成し、その後金属薄膜積層基板Ｆをロール状に巻き取ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来に比べ高いＩｃを有する酸化物超電導薄膜線材とその製造方法を提供する。
【解決手段】配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材であって、中間層が、少なくとも、配向金属基板上にＲＦスパッタリング法を用いて形成されたＣｅＯ_２層と、ＣｅＯ_２層上に電子ビーム蒸着法を用いて形成されたＹ_２Ｏ_３層とを有している酸化物超電導薄膜線材。配向金属基板上に、中間層、酸化物超電導層が順に積層されている酸化物超電導薄膜線材の製造方法であって、中間層の形成工程が、少なくとも、配向金属基板上にＲＦスパッタリング法を用いてＣｅＯ_２層を形成するＣｅＯ_２層形成工程と、ＣｅＯ_２層上電子ビーム蒸着法を用いてＹ_２Ｏ_３層を形成するＹ_２Ｏ_３層形成工程とを備えている酸化物超電導薄膜線材の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯ膜に迫る高い導電率の膜を高速成膜することができる。
【解決手段】透明導電膜を成膜するために用いられるＺｎＯ蒸着材において、ＺｎＯを主成分としたペレットからなり、ペレットがＣｅとＡｌの双方の元素を含み、ＣｅがＡｌよりも含有割合が高く、Ｃｅの含有割合が０．１質量％を越え１４．９質量％以下、Ａｌの含有割合が０．１質量％以上１０質量％以下の範囲内であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】省電力化かつ高速での書き込み処理が可能なメモリの多値化に適した半導体装置およびベリファイ処理を提供する。
【解決手段】半導体装置に用いるメモリセルを、酸化物半導体を用いたトランジスタと酸化物半導体以外の材料を用いたトランジスタをそれぞれ有する構成とし、書き込み回路を用いてデータバッファのデータをメモリセルに書き込む前に、予め各々のメモリセルの有するしきい値ばらつきを調べ、データバッファのデータに対して当該しきい値ばらつきを補正したデータが各々のメモリセルに書き込む。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体膜を含むトランジスタの作製工程において、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第１の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成し、該酸化物半導体膜に酸素を導入して少なくとも一部を非晶質化し酸素を過剰に含む非晶質酸化物半導体膜を形成する。該非晶質酸化物半導体膜上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体膜の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体膜（第２の結晶性酸化物半導体膜ともいう）を形成する。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素と、Ｓｎとを含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）

【課題】従来の硬質皮膜であるＴｉＡｌＮや酸化物皮膜よりも耐摩耗性に優れた硬質皮膜を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成される硬質皮膜であって、（Ｔｉ_ａＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．３≦ａ≦０．７、０．３≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２を満たすことを特徴とする硬質皮膜、または、（Ｔｉ_ａＣｒ_ｄＡｌ_ｂＳｉ_ｃ）Ｏ_ｘからなり、０．０５≦ａ≦０．４、０．１≦ｄ≦０．８５、０≦ｂ≦０．７、０≦ｃ≦０．２、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１、０．８≦［ｘ／（２ａ＋１．５ｄ＋１．５ｂ＋２ｃ）］≦１．２満たすことを特徴とする硬質皮膜（ａ，ｄ，ｂ，ｃはＴｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｓｉの原子比を示し、ｘはＯの原子比を示す）。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイなどの表示装置において、保護膜等の形成時に酸化処理層を必要とせずに、薄膜トランジスタの電気特性を安定させることが可能である酸化物半導体層を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも、基板側から順に、酸化物半導体層と、ソース・ドレイン電極と、保護膜とを備えた薄膜トランジスタ構造であって、前記酸化物半導体層は、金属元素全体に占めるＺｎの含有量が５０原子％以上であり、ソース・ドレイン電極および保護膜側に形成される第１酸化物半導体層と、Ｉｎ、Ｇａ、およびＺｎよりなる群から選択される少なくとも１種の元素を含み、基板側に形成される第２酸化物半導体層との積層体であり、かつ、前記第１酸化物半導体層と、前記ソース・ドレイン電極および保護膜とが、直接接触していることを特徴とする薄膜トランジスタ構造。 （もっと読む）