【課題】 簡単な構成により、容易に小型化に対応することが出来るようにした、成膜装置用マルチソース機構を提供する。
【解決手段】 真空チャンバーの開口を密閉するように取り付ける真空フランジ１１と、真空フランジを貫通して外部に延びると共に、外端に回転駆動力を加える駆動軸１２と、駆動軸の内端に回転可能に取り付けたソースステージ機構１３と、ソースステージ機構の周囲方向に沿って分散配置され、その表面に垂直な回転軸の周りに回転可能に支持された複数個のソースヘッド１５と、ソースステージ機構の一方向のみの回転を許すラチェット機構１６と、駆動軸の回転を各ソースヘッドに伝達する伝達部１７と、を備えるように、成膜装置用マルチソース機構１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】 簡単な構成により、容易に小型化に対応することができるようにした、マスキング機構及びそれを備えた成膜装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバーの開口部を密閉して取り付ける真空フランジ１１と、真空フランジ１１に対して回転可能にそして軸方向に移動可能に支持され、その外端に回転運動及び直線運動が加えられる駆動軸１２と、駆動軸１２の内端に取り付けたマスク部１３とを備え、マスク部１３が、駆動軸１２に対して垂直に固定保持された円板状のマスク支持円板１３ａと、マスク支持円板１３ａの外周縁に沿って軸方向内側に延びるように、全体としてほぼ多角柱状に配置された複数個のマスク支持板１３ｂと、各マスク支持板１３ａに取り付けられた所定形状のマスク孔を備えたマスク１３ｃとを含むように、マスキング機構１０を構成する。 （もっと読む）

組織の結合または貫通する厚さの勾配を有しないかまたは最小であることにより特徴付けられるモリブデンスパッタリングターゲットおよび焼結体。微細な、均一な粒度および均一な組織を有するモリブデンスパッタリングターゲットは高い純度であり、性能を改良するためにミクロ合金化できる。スパッタリングターゲットは丸い円板、正方形、長方形、または管状であってもよく、基板に薄膜を形成するために、スパッタすることができる。セグメント形成法を使用することにより、スパッタリングターゲットの大きさは６ｍ×５.５ｍｍまでであってもよい。薄膜を電子部品、例えば薄膜トランジスター、液晶ディスプレー、プラズマディスプレーパネル、有機発光ダイオード、無機発光ダイオードディスプレー、電界発光ディスプレー、太陽電池、センサー、半導体装置および調節可能な仕事関数を有するＣＭＯＳ（相補的金属酸化物半導体）のゲート装置に使用される。
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【課題】 接合に際し、ミクロン未満、例えば数ナノオーダーの厚さの薄い金属間化合物層を生成する。
【解決手段】 固相状態での接合に金属間化合物層の形成を要する異種金属ワークを接合する異種金属の接合装置は、接合すべき異種金属ワークＷ1、Ｗ2が入れられる真空容器11と、真空容器11内の一方のワークＷ2の接合面に金属間化合物層を形成するようにクラスターを照射するクラスター源15と、金属間化合物層を形成したワークＷ2と他方のワークＷ1を加圧および加熱する加圧・加熱手段とを備えている。 （もっと読む）

本発明は、Ａｌ_xＧａ_yＩｎ_1-x-yＡｓ_zＳｂ_1-zを含有し、ここでパラメータx, y, zは、バンドギャップが３５０ｍｅＶよりも小さくなるよう選定されている半導体素子に関する。この場合、半導体素子はメサ形構造を有しており、このメサ形構造の少なくとも１つの側面に、少なくとも部分的にＡｌ_nＧａ_1-nＡｓ_mＳｂ_1-mを含有するパッシベーション層が設けられており、ここでパラメータnは０．４〜１の範囲から選択され、パラメータmは０〜１の範囲から選択される。
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【課題】 レーザーアブレーションを利用した改質方法であるにも拘らず、改質処理されるべき基材を回転させたり平行移動させることなく固定配置した状態で、その表面を均一に改質させることが可能な基材の表面改質装置を提供すること。
【解決手段】 レーザー光３を発生するレーザー光発生装置２と、
表面に照射されたレーザー光３により飛散粒子を発生させるターゲット６と、
飛散粒子の付着により表面が改質される基材７と、
ターゲット６の表面上のレーザー光照射位置Ｐを支点にして、レーザー光３の入射方向Ｌ_１とターゲット６の表面の垂線方向Ｌ_２との間の角度θ_１を変化させるようにターゲット６を揺動させるターゲット揺動手段１０と、
を備えることを特徴とする基材の表面改質装置。 （もっと読む）

【課題】 処理される流体に含まれる分子や粒子等が効率よく透過可能な無機多孔質膜を有する無機多孔質体、及びそのような多孔質体を製造する方法の提供。
【解決手段】 無機多孔質体は、多孔質基材表面に略膜厚方向に配向した複数の孔を有する無機多孔質膜を備える。その孔の平均孔径は好ましくは２〜２００ｎｍにある。この多孔質体を得る方法は、無機質材料を含むターゲット及び多孔質基材を用意する工程と、１〜２００Ｐａの雰囲気圧下にターゲット及び多孔質基材を配置し、周波数が５〜５００Ｈｚの範囲内にあるパルスレーザを該ターゲットに照射して該無機質材料の蒸気を発生させ、多孔質基材の表面上に該蒸気を堆積させて多孔質膜を形成する工程と、を含む。多孔質膜形成工程は、基材温度が１０００℃以下に設定された略一定の温度条件下において行うことが好ましい。パルスレーザの照射回数は２０００００回以下であることが好ましい。 （もっと読む）

【構成】処理チェンバー１内に被処理ミラー７を配置し、該ミラーの表面にはＲＦプラズマ発生管３中のラジカルを照射する高性能レーザー装置に用いられる超低損失ミラーの再生方法。
【効果】プラズマ内の高エネルギー粒子による損傷が少ない状態で、プラズマ中で発生するラジカルを劣化した高性能レーザー用ミラー表面に照射することができるので、ミラー表層に堆積或は注入された原子・分子を除去して、従来不可能であった100ppm程度の超低損失領域においてもミラーの劣化を回復させることが可能となる。 （もっと読む）