【課題】粉末状基材に十分に均一に飛散粒子を付着させて、粉末状基材の表面を均一に改質させることを可能とする粉末状基材の表面改質方法を提供すること。
【解決手段】ターゲットの表面にレーザー光を照射して飛散粒子を発生させ、粉末状基材に前記飛散粒子を付着させる粉末状基材の表面改質方法であって、
前記粉末状基材を転動させつつ前記ターゲットの表面にレーザー光を照射し、転動している前記粉末状基材に前記飛散粒子を付着させることを特徴とする粉末状基材の表面改質方法。 （もっと読む）

【課題】貴金属ナノ粒子が高密度で分散しており、貴金属ナノ粒子間の距離が短く、及び／又は、貴金属ナノ粒子の径が小さい貴金属ナノ粒子分散薄膜及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】貴金属を含む貴金属ナノ粒子と、前記貴金属ナノ粒子より電気比抵抗が高い無機材料とを備え、前記貴金属ナノ粒子の面内数密度は、４．０×１０⁴個／μｍ²以上３．０×１０⁶個／μｍ²以下である貴金属ナノ粒子分散薄膜、及び、パルスレーザーアブレーションを用いて基板上に貴金属ナノ粒子と無機材料からなる薄膜を形成するアブレーション工程を備えた貴金属ナノ粒子分散薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ＩｎＰ基板上のＧａＩｎＮＡｓＳｂの表面平滑性が良好で、結晶欠陥密度の低い半導体積層構造の半導体ウエハ、その製造方法および半導体素子を提供する。
【解決手段】 ＩｎＰ基板１をＭＢＥ装置の基板取付部に取り付ける工程と、ＩｎＰ基板上に該ＩｎＰ基板との格子定数差が−０．５％以上＋０．５％以下の範囲のＧａ_１−ｘＩｎ_ｘＮ_ｙＳｂ_zＡｓ_１−ｙ（０．４≦ｘ≦０．８、０＜ｙ≦０．２、０≦ｚ≦０．１）を、パイロメータで測定の基板表面温度４９０℃超え５３０℃以下の状態で膜厚０．５μｍ以上に成長させる工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
真空内で基板上にコーティングを形成するためのアセンブリを提供する。
【解決手段】
本発明は、真空内で基板にコーティングを形成するアセンブリに関する。当該アセンブリによると、カソードとして接続されている１つのターゲット上で少なくとも、電気アーク放電を発生させることによってプラズマが生成される。アーク放電は、アノードとターゲットとの間において、窓を通してターゲット表面に方向づけられている偏向可能な集束レーザビームによって発生させられる。本発明は、真空チャンバの窓領域に形成される望ましくないコーティングを大幅に低減するための技術的解決法を提供することを目的とする。本発明によると、このような構成とすることによって、永久磁石または電磁石が、窓と、少なくとも１つのターゲットとの間において、レーザビームの光軸に対して隣接して、上方、または、下方に配設され、レーザビームは、永久磁石または電磁石によって発生させられる磁界によって誘導される。 （もっと読む）

【課題】硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ｔｉ化合物層あるいは（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層を下部層として形成し、該下部層の上に、ダイナミックオーロラＰＬＤ法により、ＹＳＺ（イットリア安定化ジルコニア）からなる下部中間層、ＣｒとＡｌの酸化物固溶体、Ｃｒ酸化物、Ｃｅ酸化物のいずれかからなる上部中間層、κ−Ａｌ_２Ｏ_３、γ−Ａｌ_２Ｏ_３およびθ−Ａｌ_２Ｏ_３のいずれかからなる上部層を設けることにより、表面被覆切削工具の耐チッピング性及び耐摩耗性を改善する。
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【課題】酸化ガリウム単結晶基板上にＰＬＤ法によって結晶性に優れた窒化ガリウム膜を成長させる酸化ガリウム−窒化ガリウム複合基板の製造方法及び酸化ガリウム−窒化ガリウム複合基板、並びにこの複合基板にIII族の窒化物半導体を成長させた半導体素子を提供する。
【解決手段】面方位が実質的に＜１００＞方向である酸化ガリウム単結晶の（１００)面を研磨して薄型化するラッピング加工と、平滑に研磨するポリッシング加工とを行い、更に化学機械研磨することで、原子レベルで平坦化された結晶表面を備えた酸化ガリウム単結晶基板を得た後、窒素源及びＧａターゲットを用いたパルスレーザ蒸着法により、上記結晶表面に窒化ガリウム膜を成長させて得る。 （もっと読む）

本発明は、一般的な水準において、材料処理の利用に適用されるような放射移送技術に関する。本発明は、放射移送の装置または改良した放射移送の装置を含む放射源の設備に関し、装置はスキャナまたは改良したスキャナを含む。本発明はまた、蒸発および／または蒸散に適する標的材料にも関する。本発明は改良したスキャナに関する。本発明は、本発明による放射源の設備を有する真空蒸発／蒸散の設備にも関する。本発明は、標的材料を被覆および／または製造する際に用いられる標的材料ユニットにも関する。
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【課題】信頼性を向上可能であり、バットジョイント構造を有する半導体光集積素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体レーザの活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体１７ａを第１のエリア１１ｂ上に分子線ビームエピタキシ装置を用いて形成した後に、有機金属気相成長装置４３を用いて第１のアニール４５を行う。電界吸収型変調器の活性層のためのIII−Ｖ化合物半導体５１を第２のエリア１１ｃ上に有機金属気相成長装置４３を用いて形成した後に、有機金属気相成長装置４３を用いて第２のアニール６１を行う。III−Ｖ化合物半導体１７ａは、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含み、III−Ｖ化合物半導体５１は、III族構成元素としてインジウムおよびガリウムを含むと共にＶ族構成元素として窒素およびヒ素を含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＺｎＯ基板上に形成された、ＡｌＮおよびＡｌ組成比の大きなＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮの高品質の結晶層を提供することを目的とする。
【解決手段】ＺｎＯ基板上に成長したＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層（但し、ｘは、０．６≦ｘ≦１．０を満たす数である。）であって、成長面に対する、Ｘ線回折強度の角度依存性の半値全幅ａ_１が、０．００１°≦ａ_１≦０．５°を満足することを特徴とするＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層。 （もっと読む）

【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする、新規なジョセフソン接合及びジョセフソン接合デバイスを提供する。
【解決手段】ジョセフソン接合１は、超伝導体層２と超伝導体層２の中央部２Ｃ上に積層した強磁性層３とを備える。強磁性層３は導電性又は絶縁性の強磁性層とすることができ、絶縁層を介して積層される導電性強磁性層としてもよい。超伝導体層２を高温超伝導体層とすれば、大きなＩ_ｃＲ_Ｎ積を有するジョセフソン接合１とすることができる。このジョセフソン接合１は、各種のジョセフソンデバイスの接合として使用することができる。 （もっと読む）