【課題】レーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、その使用限界時間を改善し、安定した成膜を長時間行うことができるレーザー蒸着用酸化物ターゲットの提供。
【解決手段】ターゲットにレーザー光を照射してターゲット表面から酸化物の微粒子を発生させ、該微粒子を基材表面に堆積させ、基材表面に酸化物膜を成膜するレーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、ターゲットの固定プレート上に、Ａｇろう層が接合され、該Ａｇろう層上に酸化物・Ａｇ混合層が接合され、該酸化物・Ａｇ混合層上に酸化物層が接合されてなることを特徴とするレーザー蒸着用酸化物ターゲット。 （もっと読む）

【課題】薄膜の作製を長時間にわたって連続的に行なう必要がある場合でも、薄膜を均一かつ効率的に形成することが可能な薄膜の製造方法、薄膜の製造装置およびこれにより製造された薄膜を提供する。
【解決手段】薄膜の製造方法は、レーザ光が入射窓３１を通してターゲット８１に照射される工程と、レーザ光が照射されたターゲット８１からターゲット粒子８９が飛散する工程と、ターゲット粒子８９が基板８２上に堆積することにより、基板８２上に薄膜８３が形成される工程とを備えている。そして、レーザ光が照射される工程では、入射窓３１からターゲット８１に向かうレーザ光の行路９１において、ターゲット８１から入射窓３１に向かう向きとは異なる向きである矢印９２の向きに気体が流される。 （もっと読む）

【課題】 サファイアＣ面基板上に成長するＧａＮ系III族窒化物薄膜の極性を（０００１）に制御することにより、従来よりも光学的、電気的特性に優れた薄膜を提供すること。
【解決手段】 サファイアＣ面基板上に、窒素源として窒素プラズマを、またIII族源としてＧａを主成分とする金属を用いて分子線エピタキシーによりＧａＮ系III族窒化物薄膜をエピタキシャル成長させるに際し、金属Ｇａとして、その強度（フラックス）が１×１０¹³コ／ｃｍ²ｓ〜１×１０¹⁵コ／ｃｍ²ｓであるものを用い、該ＧａＮ系III族窒化物薄膜の成長初期に金属Ｉｎを、照射する金属Ｇａの強度より１〜２桁低い強度で、照射することにより、成長する膜の極性を（０００１）に制御する。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、良質な量子ドット結晶が得られない。
【解決手段】半導体微小突起構造体５１の製造方法においては、微小突起２１を形成し、その後加熱によって微小突起２１を構成する材料を気化させて微小突起２１を除去することにより穿孔４１を形成している。そのため、穿孔４１内の微小突起２１などによる残留物が低減できる。そのため、穿孔４１が形成された位置、すなわち微小突起２１を形成した所望の位置に高品質な半導体微小突起構造体５１を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ半導体を光吸収層とする変換効率の高い太陽電池、及び、その製造方法を提供すること。
【解決手段】p型光吸収層の光入射側に、前記光吸収層よりも禁制帯幅の大きいn型半導体が積層したヘテロ接合型のpn接合の形成により、前記光吸収層は禁制帯中に局在準位または中間バンドをもつ太陽電池構造とする。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を損なうことなく、平滑性に優れた薄膜を形成する成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】固体物質を有するターゲット２に、第１のレーザ光源４からレーザ光６を照射して、ターゲット２の固体物質を飛散させる工程と、飛散された固体物質に第２のレーザ光源５からレーザ光７を照射する工程とを有し、飛散された飛散物質を基板３に付着させて成膜する。 （もっと読む）

【課題】現在使用されているタービン要素を回復する方法の欠点を克服する。
【解決手段】本発明は、要素の本体を形成する基材と、基材に接着した保護コーティングとから構成されたタービン要素を回復する方法に関する。方法は、保護コーティングと基材との間の接着不良を有するゾーンを特定するためのタービン要素の制御と、保護コーティングと基材との間の接着不良の除去とを備える。接着不良は、保護コーティングと下にある基材との局所的な溶融を引き起こし、レーザビームの停止後に保護コーティングと基材との間の上記ゾーンの高さにおける適切な接着を可能とするために、接着不良を有する各ゾーン上に向けられたレーザビームを用いて除去される。 （もっと読む）

本発明は、（i）単結晶の基板を提供するステップと、（ii）上記基板上に、単結晶の酸化物の層をエピタキシャル成長するステップと、（iii）（ａ）単結晶の酸化物層の表面から不純物を除去するステップと、（ｂ）遅いエピタキシャル成長によって、半導体のサブ層を蒸着するステップと、を有するステップを用いて、サブ層を形成するステップと、（ｉｖ）そのように形成されたサブ層上に、エピタキシャル成長によって、単結晶の半導体層を形成するステップと、を備える固体の半導体構造を製造する方法に関する。本発明は、また、そのように得られた固体の半導体ヘテロ構造に関する。 （もっと読む）

【課題】高速ミーリング切削加工において、硬質被覆層がすぐれた耐チッピング性と耐摩耗性を発揮する表面被覆切削工具およびその製造方法を提供する。
【解決手段】工具基体表面に、Ｔｉ化合物層あるいは（Ｔｉ，Ａｌ）Ｎ層からなる下部層を形成し、その上に、ダイナミックオーロラＰＬＤ法により、（００１）面配向のＹＳＺからなる密着層を形成し、さらに、該密着層上に、（０００１）面配向の（Ｃｒ，Ａｌ）_２Ｏ_３あるいはＣｒ_２Ｏ_３からなる上部層を形成した表面被覆切削工具。
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【課題】量子ドット等に利用しうる微細なエピタキシャル層を成長させるのに適した基板表面を実現できるＺｎＴｅ系化合物半導体基板の表面処理方法、および該基板を用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＺｎＴｅ系化合物半導体の表面処理において、ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に、少なくとも、Ｚｎ分子線、および１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら１５０℃から３００℃の温度範囲でアニールする第１の表面処理工程（工程Ｂ）を少なくとも有するようにした。さらに、前記第１の表面処理工程の前に、前記ＺｎＴｅ系化合物半導体基板に１×１０^−６Ｔｏｒｒ以上１×１０^−４Ｔｏｒｒ以下の原子状水素を照射しながら８０℃から１５０℃の温度範囲でアニールする第２の表面処理工程（工程Ａ）を有するようにした。 （もっと読む）