【課題】ホールバーによるホール効果測定でホール電圧の磁場依存性から、ｐ型半導体であることが明確に示されるｐ型酸化亜鉛薄膜、同薄膜を再現性良く製造する方法及びその発光素子を提供する。
【解決手段】ｐ型酸化亜鉛半導体薄膜を作製する方法であって、酸化亜鉛のｐ型半導体特性を発現させるために、薄膜中に添加したｐ型ドーパントを活性化する高温アニール工程と、あるいはｐ型ドーパントの活性種を成膜中に照射することでｐ型ドーパントを活性させた状態でドーピングすることと、酸化雰囲気中での低温アニールの工程とを組み合わせることで、ｐ型半導体化を実現することを特徴とする酸化亜鉛のｐ型化の方法と、同方法で実現したｐ型酸化亜鉛薄膜及びその発光素子。
【効果】高信頼性のｐ型酸化亜鉛薄膜、その作製方法及びその青色発光素子を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 ディスプレイ作製の基礎となる赤色、緑色、青色の３原色の発色が可能な、酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜を提供することにある。
【解決手段】 酸化物蛍光材料をターゲット材料としてパルスレーザー堆積法によって、600℃以上800℃以下の温度でエピタキシャル成長により基板上に薄膜が形成し、前記薄膜の形成後、酸素中または大気中で900℃以上1200℃以下の熱処理によって蛍光特性を向上させたことを特徴とする酸化物蛍光体エピタキシャル薄膜である。 （もっと読む）

本発明は、基板（１）の上に、例えばＧａＮ層（５）のような、ＩＩＩ族−窒化物層の堆積または成長を行う方法を提供するものであり、基板（１）は、少なくともＧｅ表面（３）、好適には六方対称を有する。この方法は、基板（１）を４００℃と９４０℃の間の窒化温度に加熱するとともに、基板（１）を窒化ガスの流れに露出させる工程と、続いて、１００℃と９４０℃の間の堆積温度で、Ｇｅ表面（３）の上に、例えばＧａＮ層（５）のようなＩＩＩ族−窒化物を堆積する工程を含む。本発明の具体例にかかる方法では、良好な結晶品質を有するＧａＮ層（５）のようなＩＩＩ族−窒化物が得られる。本発明は、更に、本発明の具体例にかかる方法で形成されたＩＩＩ族−窒化物／基板構造と、少なくとも１つのそのような構造を含む半導体デバイスを提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、固体ターゲット材料の超高速パルスレーザ融除を利用して、選択したサイズのナノ粒子を生成し、これを基板表面上に堆積させるためのワンステップ工程を提供する。
【解決手段】このシステムはパルスレーザ、光学系、及び真空室を含む。パルスレーザは数フェムト秒から数十ピコ秒までの多様なパルス時間を有する。光学系は、ビームを適切な平均エネルギー密度および適切なエネルギー密度分布にてターゲット表面上に集束できるようにレーザビームを成形する。真空室の内部にはターゲットと基板が設置され、バックグラウンドガスとその圧力が適切に調整される。 （もっと読む）

【課題】低エネルギーで金属を含む機能膜をレーザーアブレーション法により製造する方法と、それに用いる組成物の提供。
【解決手段】基板上１０１に、金属元素を含んでなる微粒子１０３と有機分散媒１０４とを含んでなるレーザーアブレーション加工用組成物を塗布して前記組成物の層１０２を形成させ、レーザー光を像様に照射して、照射された部分の前記組成物を除去し、基板上に残留する前記組成物の層を焼成することを含んでなることを特徴とする、レーザーアブレーションによる機能膜の製造法と、それに用いるレーザーアブレーション加工用組成物。 （もっと読む）

【課題】酸化物イオン透過性に優れた電気化学セル用電解質膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】一般式：Ｌａ_１−ＸＳｒ_ＸＧａ_１−ＹＭｇ_ＹＯ_３（式中、Ｘ＝０．０５〜０．３、Ｙ＝０．０２５〜０．３）で表される成分組成を有し、ペロブスカイト型結晶構造を有する酸化物イオン伝導体からなる電気化学セル用電解質膜であって、前記電解質膜は厚さが１〜１０μｍを有し、前記電解質膜は膜面に垂直方向に成長し膜表面まで成長した柱状晶組織を有し、前記膜表面まで成長した柱状晶組織を有する電解質膜のペロブスカイト型結晶構造は１１２方向が膜面に対して垂直方向に配向している結晶構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ターゲットへの熱の伝播を抑止し、かつ、ターゲットホルダからターゲットへの材料の溶出を防止する。
【解決手段】レーザアブレーションを行う際、レーザビームの標的試料となるターゲット１２を保持するターゲット保持部２と、該ターゲット保持部２に連結され、回転移動機構によって回転または直線移動するホルダ支持部３と、を備えたターゲット保持装置１であって、前記ターゲット保持部は２、前記ターゲット１２を収容する凹部２ａと、前記ホルダ支持部を収容する第１の空洞部とを備え、前記ホルダ支持部３は、その内部に形成された第２の空洞部３ａを備え、前記第２の空洞部３ａに冷却媒体４を循環させ、前記ターゲット１２を冷却するための冷却機構を備える。 （もっと読む）

表面の特性を決定する方法は、
特性決定を実行される表面（３）上へ中性原子または分子のビーム（２）を方向づけるステップと、
前記特性決定を実行される表面（３）により前方向へ散乱された前記ビームの前記中性原子または分子を位置感応式に検出するステップとを含み、
前記ビーム（２）の性質は、前記前方向へ散乱される中性原子または分子の少なくとも幾分かが前記特性決定を実行される表面により回折されるようにして選択される。
このような方法を実装するためのデバイスは、このような中性原子または分子のビーム（２）を発生するための手段（１）と、前記特性決定を実行される表面（３）により前方向へ散乱される前記中性原子または分子を検出するための位置感応性の検出器手段（４）とを備える。
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【課題】真空容器内で金属ターゲットにレーザを照射し、該金属ターゲットの照射部から放出された金属原子のクラスターを生成する装置において、生成するクラスターのサイズ分布を狭く制御することを可能とした金属クラスター生成装置を提供する。
【解決手段】真空容器内で金属ターゲットにレーザを照射し、該金属ターゲットのレーザ照射部から放出された金属原子のクラスターを生成する装置において、上記金属ターゲットにパルスレーザを照射するレーザ発生装置、および該放出された金属原子のプルーム形成位置を三次元的に取り囲む多数箇所に各々配置され、該プルーム形成位置に向けて不活性な冷却ガスを、上記パルスレーザの照射パルスと同期させてパルス状に吹き付ける多数のガス導入路を備えたことを特徴とする金属クラスター生成装置。 （もっと読む）

【課題】長期間一定条件でターゲットを蒸散可能にすること。
【解決手段】蒸散室（３）内に設定された蒸散領域（３ａ）に、被膜原料が含まれる被膜原料溶液により構成された液体ターゲット（Ｔ）を供給する液体ターゲット供給装置（６）と、前記蒸散領域（３ａ）に前記被膜原料を蒸散させるレーザー光（Ｌ）を照射するレーザー光源装置（９）と、前記被膜原料を組成に含む被膜が形成される基板（１２）を前記蒸散領域（３ａ）の近傍に支持する基板支持部材（１１ｂ）と、を備えたことを特徴とする被膜生成装置（１）。 （もっと読む）