形成されたフィルム形態をナノ粒子塊のものから粒子およびドロップレットの無い平滑な薄膜に連続的に調整することが可能なパルスレーザー蒸着（ＰＬＤ）の方法。発明の様々な実施形態を使って合成されることができる材料は、金属、合金、酸化金属および半導体を含むが、それらに限定はされない。様々な実施形態において、超短パルスレーザーアブレーションおよび蒸着の「バースト」モードが提供される。フィルム形態の調整は、各バースト内のパルス数およびパルス間の時間間隔、バースト繰り返しレート、およびレーザーフルエンスのようなバーストモードパラメータを制御することによって達成される。システムは、超短パルスレーザーと、適切なエネルギー密度でターゲット表面上にフォーカスされたレーザーを配送するための光学システムと、その中にターゲットおよび基板が設置され背景ガスとそれらの圧力が適切に調節された真空チェンバーと、を含む。
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【課題】均一な膜を成膜することを目的とする。また、成膜に要する時間を短縮し、生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】一方の面に、光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、第１の基板の材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、第１の基板の他方の面側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、光吸収層と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜する成膜方法において、式（１）または式（２）を満たす条件で成膜する。


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【課題】電子伝導度が低く、全固体型リチウム二次電池の固体電解質に用いた場合に、電池の自己放電を抑制することができるLi₂S‐P₂S₅系固体電解質、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第一のLi₂S‐P₂S₅系固体電解質は、気相法により形成されており、そして、次の式を満足する。式…Li₂S‐P₂S_5-αO_βN_γ（α＝β＋(3γ/2)、但しβ又はγは0を含む）。また、第二のLi₂S‐P₂S₅系固体電解質は、気相法により形成されており、そして、化学量論組成より硫黄を0モル％超10モル％以下の範囲で過剰に含有しており、次の式を満足する。式…Li₂S‐P₂S₅‐S。これら第一及び第二のLi₂S‐P₂S₅系固体電解質は、電子伝導度が1×10^-10S/cm以下である。 （もっと読む）

【課題】所望の領域の材料のみが成膜されることを可能にし、微細パターンの形成を可能にすることを目的とする。また、成膜に要する時間を短縮し、生産性を向上させることを目的とする。
【解決手段】一方の面に、光吸収層と、光吸収層に接して形成された材料層と、を有する第１の基板を用い、第１の基板の材料層が形成された面と、第２の基板の被成膜面とを対向させ、第１の基板の他方の面側から周波数１０ＭＨｚ以上、パルス幅１００ｆｓ以上１０ｎｓ以下のレーザ光を照射し、光吸収層と重なる位置にある材料層の一部を選択的に加熱し、材料層の一部を第２の基板の被成膜面に成膜する。 （もっと読む）

【課題】実質的なクラスター生成効率を高めたクラスター生成装置を提供する。
【解決手段】エネルギー照射を受けてクラスター構成物質を放出する放出源を減圧室内に配置し、該放出されたクラスター構成物質のイオンを冷却ガスとの接触下でクラスター化させてイオンクラスターとし、生成した該イオンクラスターを該減圧室のクラスター出口から室外へ供給するクラスター生成装置において、
上記放出源から上記クラスター出口に至る軸線を取り巻く環状の電極、および
上記イオンクラスターの帯電極性と同じ極性の電位を上記電極に印加する直流電源
を備えたことを特徴とするクラスター生成装置。 （もっと読む）

【課題】材料利用効率よく、または作業効率よく発光層などの有機薄膜を成膜し、発光装置を作製する製造装置を提供する。
【解決手段】ロード室、該ロード室に連結された共通室、および該共通室に連結された複数の処理室と、レーザ光源とを有し、予め処理室で第２の基板に材料層を形成しておき、共通室で第２の基板と第１の基板の位置合わせを行った後、第２の基板にレーザ光の走査を行い、第１の基板に選択的に成膜を行う。本製造装置は、共通室内で第１の基板に選択的な成膜を複数回行う。 （もっと読む）

【課題】平坦で薄いＡｌＮ薄膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ％以上１０ｗｔ％以下含む。該ＡｌＮ薄膜２は、ＩＩＩ族元素、ＩＶ族元素およびＶ族元素から選ばれた１種以上の添加元素を０．００１ｗｔ以上１０ｗｔ％以下含むＡｌＮ焼結体を真空チャンバ内にセットし、基材１を真空チャンバ内にセットした状態で、ＡｌＮ焼結体にレーザを照射することで発生したプラズマを用いて基材１上に形成可能である。 （もっと読む）

【課題】反応容器内で成長結晶が昇華することを効果的に抑制可能であり、また成長結晶の冷却後に該成長結晶にクラック等が生じることをも効果的に抑制可能な化合物半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体単結晶の製造装置１は、原料４にレーザ光を照射することで原料を昇華させることが可能なレーザ光源６と、レーザ光源６から出射されるレーザ光を透過させて容器内部に導入可能なレーザ導入窓５を有し、昇華した原料を再結晶化させる下地基板３を保持可能な反応容器２と、下地基板３を加熱することが可能なヒータ７とを備える。反応容器２内の原料４にレーザ光を照射して加熱することで昇華させ、昇華した原料を下地基板３上で再結晶化させて化合物半導体単結晶を成長させ、その後にレーザ光を利用して化合物半導体単結晶を下地基板３から分離する。 （もっと読む）

【課題】バッキングプレートを用いないでレーザが照射された場合でも、クラックが入り難く、且つ、適用可能な酸化物超電導焼結体の組成範囲が広いレーザ蒸着用ターゲットを提供する。
【解決手段】酸化物超電導焼結体を含むレーザ蒸着用のターゲットであって、当該ターゲット使用面に垂直な向きにおける線熱膨張率の値が、当該ターゲット使用面に平行な向きにおける線熱膨張率の値より１０％以上大きいことを特徴とするレーザ蒸着用ターゲットを提供する。 （もっと読む）

【課題】レーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、その使用限界時間を改善し、安定した成膜を長時間行うことができるレーザー蒸着用酸化物ターゲットの提供。
【解決手段】ターゲットにレーザー光を照射してターゲット表面から酸化物の微粒子を発生させ、該微粒子を基材表面に堆積させ、基材表面に酸化物膜を成膜するレーザ蒸着装置に用いる酸化物ターゲットにおいて、ターゲットの固定プレート上に、Ａｇろう層が接合され、該Ａｇろう層上に酸化物・Ａｇ混合層が接合され、該酸化物・Ａｇ混合層上に酸化物層が接合されてなることを特徴とするレーザー蒸着用酸化物ターゲット。 （もっと読む）