【課題】検知感度の高い赤外線検出素子に適した強誘電体薄膜を形成可能な薄膜形成装置およびそれを用いた薄膜形成方法を提供することである。
【解決手段】薄膜形成装置１０００は、真空槽１０と、真空槽内を移動可能なように保持されるターゲット保持台１２と、成膜材料を含むターゲット２０と、このターゲット２０の表面に、高エネルギー放射線を放射するためのＡｒＦエキシマレーザ３０と、エキシマレーザからの放射線をターゲット２０の表面に集光させるための光学系と、基板４０を保持する基板保持台５０と、基板４０に堆積する物質を酸化させるための酸化性ガスを真空槽１０内に導入するための酸化性ガス導入部６０と、基板保持台５０の内部に設けられ基板を真空槽１０内において加熱するためのヒータ７０と、基板保持台５０に保持された基板４０に光線を照射するためのライト８０とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、レーザー蒸着する場合のターゲットの無駄を少なくして成膜コストの低減を図るとともに、成膜領域の熱分布を均等にして安定した膜質の薄膜を成膜することができるレーザー蒸着装置の提供を目的とする。
【解決手段】本発明は、レーザー光をターゲットの表面に照射し、該ターゲットから叩き出され若しくは蒸発した蒸着粒子をヒーターボックス内において巻回部材に支持された長尺基材表面に堆積させるレーザー蒸着装置であって、巻回部材間に複数列に分けて支持される長尺基材の幅方向の設置範囲に対応する幅のターゲットが設置され、該ターゲットの裏面側に該ターゲットよりも幅広のバッキングプレートが設置され、該ターゲットの幅方向両側に耐熱金属製のダミープレートが設置され、ダミープレートのバッキングプレート側に酸化物膜が形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つのターゲットと、上記少なくとも１つのターゲットの向い側に配置された基板と、レーザビームを生成するレーザとを備え、レーザビームを上記ターゲット上に向けて照射して、ターゲット材料のプラズマプルームを生成し上記基板上に堆積するようにしたレーザ堆積装置であって、ベースフレームと、上記ベースフレーム内に配置され少なくとも２つのターゲットホルダーを有する回転可能なターゲットフレームと、上記ベースフレームに取り付けられた少なくとも１つの冷却装置とをさらに備え、上記冷却装置を、上記ターゲットフレームと熱交換接触をさせるように上記ターゲットフレームに対して移動可能としたことを特徴とするレーザ堆積装置に関する。
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【課題】安定した特性を有するヘテロ界面の形成、ひいては高い選択性を持ったＩｎＰエッチストッパー層の形成を実現するエピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシャル成長法によりＩＩＩ−Ｖ族系化合物半導体のヘテロ接合を有する半導体薄膜を形成するエピタキシャル成長方法であって、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層を形成する第１の工程と、ＩＩＩ族元素の分子線と第１のＶ族元素の分子線の照射を停止し、第１のＶ族元素の供給量が第１の工程における供給量の１／１０以下となるまで成長を中断する第２の工程と、少なくとも一種類以上のＩＩＩ族元素の分子線と第２のＶ族元素の分子線とを照射して第１の化合物半導体層上に第１の化合物半導体とは異なる第２の化合物半導体層を形成する第３の工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】一つの試料を作製するだけで、フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定することができるフェライトの特性評価方法を提供する。
【解決手段】透光性を有する単結晶基板上に、薄膜形成法を用いて、成分組成を水平方向に傾斜させて製膜した複数層の組成傾斜フェライト層からなる組成傾斜フェライト薄膜を形成し、該フェライト薄膜の組成傾斜方向に沿い連続して磁気光学効果を測定することにより、該フェライトの組成変化に伴う磁気特性の変化を連続して測定する。 （もっと読む）

【課題】 従来の化合物半導体へテロ接合の製造方法では、微小な信号電流を扱う半導体装置において十分な雑音特性を得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第１の半導体を、第１の基板温度で成長させる。第１の半導体の成長を停止させ、第１の半導体の表面に、Ｖ族元素の原料を供給しながら、基板の温度を、第１の基板温度とは異なる第２の基板温度に変化させる。第１の半導体の上に、第１の半導体とは異なるＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体である第２の半導体を、第２の基板温度で成長させる。基板の温度を第１の基板温度から第２の基板温度に変化させる工程が、基板の温度を測定する工程と、Ｖ族元素の供給量が、測定された前記基板の温度における供給量の目標下限値と目標上限値との間に納まるように、供給量を制御する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】所望の基体上の任意の位置及び形状に、所望の色彩を放つ発光素子を形成する手法を確立する。
【解決手段】固体有機ポリシロキサン１に、波長１９０ｎｍ以上２６６ｎｍ未満のレーザー光２を照射することにより発光改質層を形成し、レーザーアブレーションにより発光改質層を所望の基体７上に薄膜化することにより、所望の基体７上の任意の位置及び形状に、所望の色彩を放つ発光素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶性に優れた酸化物超伝導薄膜を形成可能とするとともに、当該酸化物超伝導薄膜を含んで高い超伝導転移温度を有する超伝導薄膜積層体を形成可能で、製造工程中に有毒元素を含まない酸化物超伝導薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶基板上にＹＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_ｘで構成されるバッファー薄膜を形成する第１の工程と、バッファー薄膜上に連続してＢａ−Ｃａ−Ｃｕ−Ｏ系酸化物超伝導薄膜を形成する第２の工程とを備え、第１の工程は、前記バッファー薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させるバッファー薄膜成長工程を含み、第２の工程は、バッファー薄膜上に酸化物超伝導薄膜をパルスレーザーデポジション法によりエピタキシャル成長させる超伝導薄膜成長工程と、超伝導薄膜成長工程に連続し、基板温度を徐冷させる徐冷工程と、徐冷工程に連続し、基板温度を急冷させる急冷工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】短時間化、低コスト化が可能な一次元ナノ構造体の製造方法、一次元ナノ構造体の製造装置及び電子デバイスの製造方法並びにこの方法によって製造された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】厚さが５００ｎｍ以下のアモルファス酸化バナジウム薄膜を基板上に形成し、酸素、窒素、希ガスの単独又は混合ガスを用い、減圧又は常圧の雰囲気において、室温で薄膜にエネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ²以下のパルスレーザを照射して二酸化バナジウムを母材とし単斜晶型又はルチル型の結晶構造を有する一次元ナノ構造体としてナノワイヤを形成し、基板をエッチング処理して基板にナノワイヤを残存させる。一次元ナノ構造体の製造方法は、二酸化バナジウムの金属−絶縁体相転移を利用した各種の電子デバイスの製造に適用される。 （もっと読む）

【課題】成膜速度を向上させることが可能な薄膜の製造方法および薄膜の製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜の製造方法は、基材上に原料粉末を供給する工程（Ｓ１０）と、原料粉末に対してパルスレーザを照射して原料粉末を昇華させる工程（Ｓ３０）と、昇華した原料粉末を構成する材料を、基材に対向して配置された基板上に堆積させる工程（Ｓ４０）とを備えている。このとき、基材において原料粉末を載置する表面は、原料粉末と同一材料からなっていることが好ましい。 （もっと読む）