【課題】クラスタービーム強度をさらに向上させるとともに、基板上に適切に堆積させて、クラスターを有効に利用できるクラスター成膜装置を提供する。
【解決手段】クラスター成膜装置は、ターゲットＴを蒸発させてクラスターを生成するようにターゲットの蒸発面にレーザを照射するレーザ手段と、生成したクラスターを閉込めるクラスター生成室３１を有するクラスター生成本体１２と、基板Ｓをその成膜面がクラスター生成室内に臨ませられるように保持するホルダ１３とよりなる。 （もっと読む）

【課題】 ターゲットから発生した活性粒子を効率良く前駆体に到達させることができるレーザアブレーション装置を提供する。
【解決手段】 レーザアブレーション装置１では、活性粒子Ａを進入させる粒子進入口１１が設けられた包囲部材８が、チャンバ２内において前駆体Ｐ、支持台６及びヒータ７を包囲している。これにより、ターゲットＴから発生した活性粒子Ａがチャンバ２の内面に付着しても、その粒子が、ヒータ７の熱や、加熱された前駆体Ｐ及び支持台６からの輻射熱によって、再蒸発することが抑制される。さらに、当該熱によってターゲットＴが蒸発することも抑制される。そして、再蒸発によって不活性粒子が発生したとしても、包囲部材８によって遮られて、その不活性粒子が前駆体Ｐに到達し難くなる。 （もっと読む）

【課題】周期的微細構造を有する物質を高純度で生成することができる技術を提供
【解決手段】レーザー光ＬＬ１，ＬＬ２はそれぞれ、固体ターゲット５１，５２の湾曲面５１ａ，５２ａ上に照射される。これにより、アブレーションが発生し、固体ターゲット５１，５２の湾曲面５１ａ，５２ａからプルームプラズマＰＰ１，ＰＰ２が放出される。なお、レーザー光ＬＬ１，ＬＬ２の照射により、プルームプラズマＰＰ１，ＰＰ２内のイオンがプルームプラズマの交差衝突部空間を通過する距離に対して、上記イオンの衝突平均自由工程が数分の１以下となるような密度と温度を持つプルームプラズマが生成される。そして、プルームプラズマＰＰ１とプルームプラズマＰＰ２の衝突により、周期的微細構造を有する物質（例えば、カーボンナノチューブ）が生成される。 （もっと読む）

【課題】ターゲットを有効使用できるとともに、成膜領域の温度の変動を抑え、均一な膜質及び特性の薄膜を安定して成膜することのできる成膜装置および成膜方法の提供。
【解決手段】本発明の成膜装置２０は、レーザ光Ｌによってターゲット３１から叩き出され若しくは蒸発した構成粒子を基材２５上に堆積させ、基材２５上に薄膜を形成する成膜装置２０であって、基材２５に対向するように配されたターゲット３１と、ターゲット３１の外周面を取り囲んで設けられたターゲット保持部材３２と、ターゲット３１にレーザ光Ｌを照射するレーザ光発光手段２８とを少なくとも備え、ターゲット保持部材３２が、熱伝導率４０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以下、融点２０００℃以上の材料より形成されてなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】バルク単結晶ＭｇＯを切り出して原子スケールで平坦な (111) 面を研磨により
得ることは成功していない。また、成膜法でも原子スケールで平坦なＭｇＯ (111) 面は
得られていない。
【解決手段】レーザーアブレーション堆積法によりＭｇＯ焼結体又は単結晶をターゲット
として用いてＭｇＯ薄膜を基板上に堆積する方法において、基板として、単結晶ＮｉＯ(1
11)薄膜層を原子スケールで表面平坦に成膜した単結晶基板を用い、該ＮｉＯ(111)薄膜層
上に「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとして積層状に堆積させてエピタキシャル成長させるこ
とによってＭｇＯ(111)薄膜を原子スケールで表面平坦に成膜することを特徴とする面方
位(111)のＭｇＯ薄膜の作製方法。ＭｇＯ(111)薄膜は、「Ｍｇ−Ｏ」層を１ユニットとし
てエピタキシャル成長する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を含む化合物等の基体に対して極めて平滑な膜を、薄膜から厚膜まで広い膜厚範囲で、マイクロ／ナノ領域に位置選択的に形成可能とした基体への膜形成法を用いた、マイクロ／ナノデバイスの作製のための基盤技術となるデバイス作製法を提供する。
【解決手段】予め改質が施された改質部分２ａを有する基体２上に、マスクを密着配置して、前記改質部分２ａを覆うように、気相中で膜６を位置選択的に形成する工程と、その後、前記改質部分２ａのみを化学エッチングする工程とを備える。これによって、基体２及び膜６からなるマイクロトンネル構造を得る。 （もっと読む）

【課題】タングステンなどの高融点金属を蒸発源として用いることができる物理蒸着装置及びそれを用いた方法を提供する。
【解決手段】内部に蒸発源１５を備え、レーザ光源１６ａからのレーザ光を照射して加熱する加熱部を有し、所定のガス雰囲気下あるいは大気下において加熱部により蒸発源を加熱して蒸発させ、蒸発した原子から微粒子を生成する蒸発チャンバー１０と、内部に蒸発チャンバーから微粒子を含むガスの搬送する経路となる移送管１８に接続されたノズル３５と成膜対象である基板３３を備え、蒸発チャンバーから移送された微粒子をノズルからガス流Ｊに乗せて基板に向けて噴出し、基板に微粒子を物理蒸着させる成膜チャンバー３０とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】 真性に近い単結晶ＧaＮ膜を有し、かつこの膜をｎ形又はｐ形に選択的にドープした半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 次の要素を有する半導体デバイス：基板であって、この基板は、（１００）シリコン、（１１１）シリコン、（０００１）サファイア、（１１−２０）サファイア、（１−１０２）サファイア、（１１１）ヒ化ガリウム、（１００）ヒ化ガリウム、酸化マグネシウム、酸化亜鉛、および炭化シリコンからなる群から選択される物質からなる；約２００Å〜約５００Åの厚さを有する非単結晶バッファ層であって、このバッファ層は前記基板の上に成長した第一の物質を含み、この第一の物質は窒化ガリウムを含む；および前記バッファ層の上に成長した第一の成長層であって、この第一の成長層は窒化ガリウムと第一のドープ物質を含む。 （もっと読む）

【課題】印加される磁場の方向や膜の部位によらずに、量子化磁束の動きが効果的に抑制された酸化物超電導膜の製造方法の提供。
【解決手段】レーザー蒸着法で酸化物超電導膜を製造する方法であって、エネルギー密度が異なる複数種のレーザー光を、ターゲットに同時又は交互に照射することで、基材上に常電導体を含む酸化物超電導膜を形成する工程を有することを特徴とする酸化物超電導膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛薄膜の結晶性（品質）を維持したまま、キャリアを得るための不純物を添加せずにキャリヤ濃度を制御して、室温において飽和磁化と残留磁化が大きな値の強磁性を発現する酸化亜鉛薄膜からなる磁性半導体とその製造方法及び強磁性発現方法を提供する。
【解決手段】磁性半導体の製造方法は、遷移元素を添加した酸化亜鉛の原料ターゲット１９から原料を飛散させて基板２０上に薄膜を成膜する薄膜製造装置１０を用い、原料ターゲット１９と基板２０との間にグリッド電極１８を設置し、グリッド電極１８に電圧を印加し、原料をグリッド電極１８を通過させることで基板２０上に薄膜を作製する。 （もっと読む）