【課題】同一の成膜材料を用いて繰り返し成膜を行った場合でも、各対象物における成膜速度を均一化することのできる成膜装置を提供する。
【解決手段】ターゲット１０１の表面に対向するように配置され、基板１００を設置する基板ホルダ６と、基板１００上の成膜環境を測定可能なセンサ部８とを備え、対象物ホルダ６は、ターゲット１０１に対して移動可能に構成されるとともに、基板ホルダ６の移動量及び移動方向と、センサ部８の移動量及び移動方向とが同一に設定されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】割れや反りを発生させることなく、高密度かつ低抵抗の大型の酸化亜鉛系焼結体を提供する。
【解決手段】Ｄ５０が１μｍ以下、Ｄ９０が１．５μｍ以下である酸化亜鉛粉末と、Ｄ５０が１μｍ以下、Ｄ９０が１μｍ〜１０μｍである酸化ガリウム粉末とを、質量比で（９０〜９９.９）：（０．１〜１０）の割合で混合し、冷間成形し、得られた成形体を、焼結炉内容積１ｍ³当たり１０〜２００Ｌ／分の割合で空気または酸素を導入しながら８００℃まで加熱し、８００℃から焼結温度まで０．３〜３℃／分で昇温し、１２００〜１４００℃の焼結温度に１０〜２０時間保持して焼結させ、主平面の面積が４５０００ｍｍ²以上である場合に、該主平面を面積７５００ｍｍ²ごとに分割したときの焼結体密度のばらつきが±０．０４ｇ／ｃｍ³の範囲内となる高密度かつ低抵抗の焼結体。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＭｇＢ_２を良好な結晶配向性を維持しつつ成膜させることで、臨界電流密度が高く超電導特性の良好な超電導導体を提供することを第一の目的とする。また、本発明は、安定してＭｇＢ_２の結晶配向を制御し、高い超電導特性を有するＭｇＢ_２超電導導体の製造方法を提供することを第二の目的とする。
【解決手段】本発明の超電導導体１０は、金属基材１１と、金属基材１１上に、イオンビームアシスト（ＩＢＡＤ）法により形成された３回対称ＭｇＯ（１１１）層１３と、ＭｇＢ_２層１４とが積層された積層体よりなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金およびスパッタリングターゲット材を提供する。
【解決手段】 ａｔ％で、（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：７０〜９２％（ただし、Ｎｉは０を含む）、Ｔａ：１〜８％、Ｂ：７％超〜２０％を含有し、かつ、Ｃｏ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．９、Ｆｅ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０．１〜０．６５、Ｎｉ／（Ｃｏ＋Ｆｅ＋Ｎｉ）：０〜０．３５、およびＢ／Ｔａ：１〜８を満たすことを特徴とする垂直磁気記録媒体における軟磁性膜層用ＣｏＦｅＮｉ系合金。 （もっと読む）

【課題】生体分子の微量検出に表面プラズモン共鳴が利用されている。この測定には、プリズムに金属膜を成膜した、いわゆるクレッチマン配置を用いている。このプリズムとして、基材上に密着性の良い金属膜を直接設ける製造方法及びその製造方法によって作製される素子を提供する。
【解決手段】基材２０上に遷移金属又はその合金からなる薄膜が形成された素子の製造方法において、成膜前に基材２０の成膜面を、成膜する金属のイオン雰囲気に晒す工程を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】容器内の真空度を短時間で高められる真空成膜装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板を配置可能な空間部１０１ｄを備えた反応容器１０１と、空間部１０１ｄ内に設置された成膜手段と、空間部１０１ｄの内部を減圧状態とする排気手段と、空間部１０１ｄに連通された開口部１０１ｃを覆うように反応容器１０１に取り付けられ、開口部１０１ｃを開閉自在とする扉部８０１と、前記反応容器１０１と扉部８０１との間に、開口部１０１ｃを囲むように配置されたＯリング８０２と、空間部１０１ｄ内で、開口部１０１ｃに沿ってＯリング８０２の近傍に配置され、冷却媒体を流通させる冷却管８１１と、を有する真空成膜装置を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】多層膜ミラーの面内応力分布を簡単な方法で制御する。
【解決手段】成膜室内にスパッタガスを導入し、基板を回転させながらターゲットに対して相対的に走査させて成膜する工程で、基板の走査位置に応じて、スパッタガスに添加する水又は水素ガスの混合比を変化させる。例えば、Ｍｏ／Ｓｉ多層膜の各層を成膜中に、回転する基板上の成膜速度が基板の走査位置によって変化することで膜の内部応力値が変わるため、水又は水素ガスの混合比を変化させると膜の内部応力が変化することを利用して応力分布を均一にする。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比の高いホール内に、被覆性の良好な、コンタクト抵抗の低いバリア層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】タンタルまたはタンタルナイトライド等のライナー材料をホール内にスパッタ堆積する。ロングスロースパッタリング、自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリング、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）再スパッタリング及びコイルスパッタリングを１つのチャンバ内で組み合わせたリアクタ１５０を使う。ロングスローＳＩＰスパッタリングは、ホール被覆を促進する。ＩＣＰ再スパッタリングは、ホール底部のライナー膜の厚さを低減して、第１のメタル層との接触抵抗を低減する。ＩＣＰコイルスパッタリングは、ＩＣＰ再スパッタリングの間、再スパッタリングによる薄膜化は好ましくないホール開口部に隣接しているような領域上に、保護層を堆積する。 （もっと読む）

【課題】種々の金属材料などからなるスパッタリングターゲットにおいて、各種デバイスの高性能化などに伴って益々厳しくなってきているスパッタ膜への要求特性を満足させる。具体的には、スパッタ膜の膜厚分布や膜組成の均一化、各種機能材料として用いられる膜の諸特性の向上および均一化、ダスト発生数の低減などを図る。
【解決手段】Ａｌを主成分とし、全体の酸素量の平均値が３００ｐｐｍ以下であり、各部位の酸素量が全体の平均値に対して±２２％以内の範囲にあるスパッタリングターゲットを製造する方法において、Ａｌを主成分とする粗金属材をＡｒガスによるバブリング処理溶解した後真空溶解して溶解材を得る工程と、溶解材に対して塑性加工を行う工程とを有する、またはＡｌを主成分とする粗金属材を真空溶解して溶解材を得る工程と、溶解材に対して合計加工率が２００％以上となるように径方向、軸方向への熱間加工を繰り返し行う工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の主要な目的は、簡易な溶解鋳造法により製造する漏洩磁束の高いコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材を提供することである。
【解決手段】本発明のコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材は溶解鋳造法によって製造され、コバルト、鉄、及び添加金属からなるものにおいて、このコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材においてコバルトは増加された漏洩磁束（ＰＴＦ）の含有量があり、添加金属は８〜２０ａｔ％であり、この添加金属はタンタラム、ジルコニウム、ニオビウム、ハフニウム、アルミニウム、及びクロミウムの金属の少なくとも１つを含む。 （もっと読む）