【課題】アーキングの発生回数を抑制しつつも、基板への異物の付着を抑制することが可能な薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜の製造方法では、ターゲット９４と向かい合う上面に第１の極性を有する第１の磁石５１と、上面に第２の極性を有し、第１の磁石５１の周囲に配置される第２の磁石５２と、を含む磁石ユニット５を配置し、ターゲット９４の使用量の増加に応じて、磁石ユニット５の外縁５２ａとターゲット９４の外縁９４ａとのＹ方向の最近接距離を減少させる。 （もっと読む）

【課題】ＩＣのシールド用メッキ膜を製造する設備及びＩＣの金属シールド膜層を提供する。
【解決手段】ベース３１は、チャンバー３１１を有している。ワーク支持具３２は、チャンバー３１１に内設されており、かつ複数の回転軸と回転自在に接続され、各回転軸は、少なくとも一つのジグを有し、そのジグでは、少なくとも一つのＩＣを取付ける。各中周波マグネトロンターゲット３３及び各多重アークイオンターゲット３４は、それぞれチャンバー３１１に内設され、中周波マグネトロンターゲット３３及び多重アークイオンターゲット３４が、金属材料をＩＣ上にスパッターリングを行うように用いられることによって、ＩＣの表面に少なくとも一つの金属シールド膜層が形成される。 （もっと読む）

【課題】低圧下で高密度のプラズマを生成可能なＥＣＲプラズマ生成装置、および表面の凹凸が小さい薄膜を形成可能なマグネトロンスパッタ成膜装置を提供する。
【解決手段】ＥＣＲプラズマ生成装置４は、マイクロ波を伝送する矩形導波管４１と、該マイクロ波が通過するスロットを有するスロットアンテナ４２と、スロットを覆うように配置され、プラズマ生成領域側の表面はスロットから入射する該マイクロ波の入射方向に平行である誘電体部４３と、誘電体部４３の裏面に配置される支持板４４と、支持板４４の裏面に配置される永久磁石４５と、を備え、ＥＣＲプラズマＰ１を生成する。マグネトロンスパッタ成膜装置１は、ＥＣＲプラズマ生成装置４を備え、基材２０とターゲット３０との間にＥＣＲプラズマＰ１を照射しながら、マグネトロンプラズマＰ２による成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】 一つの低圧チャンバー内で、基材の表面の改質と該表面への成膜とを連続して行うことができるプラズマ改質成膜装置を提供する。
【解決手段】 プラズマ改質成膜装置１は、チャンバー１０と、基材Ｆを搬送する搬送手段２０、２００、２０１と、基材Ｆの表面を改質するＥＣＲプラズマ生成装置３と、基材Ｆの該表面に薄膜を形成する成膜装置６と、を備える。ＥＣＲプラズマ生成装置３は、マイクロ波を伝送する矩形導波管３１と、該マイクロ波が通過するスロット３２０を有するスロットアンテナ３２と、スロット３２０を覆うように配置され、プラズマ生成領域側の表面３３０はスロット３２０から入射する該マイクロ波の入射方向に平行である誘電体部３３と、誘電体部３３の裏面に配置される支持板３４と、支持板３４の裏面に配置される永久磁石３５と、を備え、ＥＣＲプラズマＰ１を生成する。 （もっと読む）

【課題】成膜速度の面内均一性を確保しながら、成膜速度を高め、ターゲットの使用効率を向上したマグネトロンスパッタ装置を提供する。
【解決手段】ターゲット３１の背面側に設けられたマグネット配列体５は、両端が互に異極である棒状マグネットが網の目状に配置されると共に、網の目の交点にて、棒状マグネットの端面に囲まれる領域には透磁性のコア部材を設けるように構成されている。棒状マグネットの両端の極からの磁束がコア部材を通して出ていくため、隣接する棒状マグネット同士の磁束の反発が抑えられて磁束線の歪みが抑制され、水平磁場が広い範囲で形成される。このため、高密度のプラズマが広範囲に均一に形成され、成膜速度の面内均一性を確保しながら、速い成膜速度が得られる。また、ターゲット３１のエロージョンの面内均一性が良好であり、エロージョンが均一性を持って進行するため、ターゲット３１の使用効率が高くなる。 （もっと読む）

【課題】ターゲットに対して相対的に移動可能なマグネットを備えたマグネトロンスパッタリング装置において、放電電圧を安定させることができる技術を提供する。
【解決手段】本発明のマグネトロンスパッタリング装置１は、ターゲット８に対して相対的に移動可能で電磁石を有するマグネット１２を備える。ターゲット８に放電用の電圧を印加し、かつ、当該放電電圧の値をフィードバックしてＰＩＤ制御部１０に出力する放電用電源９と、マグネット１２の電磁石に対する通電量を制御する電磁石制御用電源１１とを有する。ＰＩＤ制御部１０は、放電用電源９から入力された放電電圧の値と目標とする放電電圧の値に基づいてマグネット１２の電磁石に対する通電量をＰＩＤ制御するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットの均一な浸食によりスパッタリングターゲットの使用効率を向上させてスパッタリングターゲットの交換周期を延長させ、製造コストを節減することができるスパッタリング方法を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置を用いたスパッタリング方法に関し、スパッタリングターゲット１０の一方から他方への全体スキャン区間を設定し、マグネット２０を前記スキャン区間に沿って正方向と逆方向に連続的に多数回往復運動させて前記スパッタリングターゲットをスキャンするパッタリング方法であって、前記全体スキャン区間をn個の部分に分割し、スパッタリングターゲットが均一に浸食されるようにn個に分割された前記全体スキャン区間を部分的にマグネットが移動するようにすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】成膜装置において、成膜中に基板へのイオン照射を十分に行うと共に、良好なイオン化率を得る。
【解決手段】本発明の成膜装置１は、内側に配備された内極磁石９と、この内極磁石９の外側に配備され且つ内極磁石９より磁力線密度が大きな外極磁石１０とで形成された非平衡磁場形成手段６と、非平衡磁場形成手段６の前面に配備されたターゲット５とからなるスパッタリング蒸発源４を２基有し、２基のスパッタリング蒸発源４を１組として１０ｋＨｚ以上の周波数で極性が切り替わる交流電流を流すことにより、両スパッタリング蒸発源４の間に放電を起こして成膜を行う交流電源８が設けられている。 （もっと読む）

【課題】より均等にターゲットをスパッタでき、磁場分布補正を行う磁性板の配置も容易となるなど、極めて実用性に優れた磁界発生装置の提供。
【解決手段】磁気回路を有するマグネトロンスパッタリング装置用の磁界発生装置において、磁気回路は、内側永久磁石２、内側永久磁石２を取り囲むように設ける外側永久磁石３、及び、内側永久磁石２に隣接する第一の補助永久磁石４と、外側永久磁石３に隣接する第二の補助永久磁石５と、第一の補助永久磁石４と第二の補助永久磁石５との間に設けられ、磁気回路の磁束密度の垂直成分がゼロ点を３回交差するゼロ点交差領域若しくは磁束密度の垂直成分がゼロ点でフラットとなるゼロ周辺領域が形成されるように磁化方向が設定される第三の補助永久磁石６とから成る補助永久磁石を有する磁界発生装置。 （もっと読む）