【課題】搬送アームに付着しているコンタミを除去する基板処理装置の制御方法を提供する。
【解決手段】基板の搬送を行うための静電チャックを有する搬送アームの洗浄方法であって、前記搬送アームに帯電している異物が付着している場合において、前記搬送アームに前記基板が載置されていない状態で、前記静電チャックの電極の各々に帯電している異物の電荷の極性と同じ極性の電圧を印加する電圧印加工程を有し、前記搬送アームに付着している異物を除去することを特徴とする搬送アームの洗浄方法を提供することにより上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】曲面を有する基板に対して成膜の均一性を向上させるために、マスクや遮蔽板を用いることなく基板の角度を変える方法を用いた技術において、成膜工程ごとに角度変更のための部材（ギヤ等）を交換しなければならず、成膜中に所望の角度に変更したい時に変更することが困難であった。
【解決手段】スパッタリング等の成膜装置で、基板を自転するための第１回転機構、基板の中心線と薄膜形成手段の中心線によりなす角度を変更する角度変更手段、
基板を薄膜形成手段の中心線の回りで公転するための第２回転機構を有し、薄膜形成中に、自公転する基板に対して、膜厚計測手段の計測結果に基づいて角度変更手段を駆動させ、基板の薄膜形成手段に対する角度を変更させながら成膜する構造を有する。 （もっと読む）

【課題】２００〜５００℃の温度範囲で、高速かつ高精度に基板温度を制御可能な基板温度制御を提供する。
【解決手段】本発明の基板ホルダを用いた基板温度制御方法は、
（１）基板のプロセス開始前に、静電チャック３上の基板１０を第１の設定温度まで昇温させる第１の行程と、
（２）基板１０のプロセス開始時に、静電チャック３上の基板１０を第１の設定温度より高い第２の設定温度まで昇温させる第２の行程と、
（３）基板１０のプロセス中に、第２の設定温度まで加熱された基板１０を第１の設定温度まで降温させる第３の行程と、
（４）基板１０のプロセス終了まで、基板１０を第１の設定温度に維持する第４の行程と、
を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】簡便に蒸着を行うことができる蒸着用治具及び蒸着装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかる蒸着用治具は、ウエハ４の非蒸着面を覆うハット２を有する。ハット２には、第１凸部２ａ及び第２凸部２ｂが設けられる。第１凸部２ａは、ウエハ４側におけるハット２の外周部に設けられ、ウエハ４を保持する。第２凸部２ｂは、ウエハ４とは反対側におけるハット２の外周部に設けられる。このように、ハット２の両面に凸部を設けることにより、簡便に蒸着を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】速やかな基板搬送を可能とし、スループットの向上に資するプロセスモジュール、これを含む基板処理装置、およびこれらにおける基板搬送方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるプロセスモジュール１５は、基板Ｗが載置され、載置された当該基板Ｗに対して基板処理が行われる載置部１５Ｓと、外部の基板搬送装置１６に対して基板受け渡しが行われる第１の位置と前記載置部１５Ｓの上方の第２の位置とにそれぞれ独立に位置することができ、それぞれ基板を保持可能な複数の基板保持具１５Ｕ，１５Ｍ，１５Ｄを含む基板搬送機構１５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】大型基板への薄膜製造における条件確認プロセスにおいて、通常の生産時の成膜条件を乱すことなく、簡便な方法で条件確認ができるように、新たな基板保持具を提案し、従来の方法よりコストダウンを図ること。
【解決手段】薄膜を製造するための基板を保持する基板保持具であって、周縁部を規定する枠部２と、周縁部の間を対向側に差し渡す桟部３とを有し、成膜条件を確認するための測定片用基板保持部６と固定爪部７とからなる測定片用基板ホルダ４を、前記桟部および／または前記枠部に前記固定爪部を用いて装着することを特徴とする基板保持具。 （もっと読む）

【課題】真空成膜装置のチャンバ内を真空に保ったままでワークの表裏両面に交互に繰り返し成膜することができるワーク反転ユニットを提案するものである。
【解決手段】真空成膜装置の中で回転するドームに複数のワーク反転ユニット３０が装着される。ドームは減速ギヤ装置とモータとによって回転され、急激な加速と減速とが可能である。ドームの下部位置には成膜物質を飛翔させる成膜物質発生源が配置される。ワークホルダ３２には成膜物質が堆積されるガラス板３１が固定される。ワーク反転ユニット３０は、ワークホルダ３２を回転自在に軸支するとともにワークホルダ３２とギヤ連結されたウエイト４１を備える。ウエイト４１はドームが急激に加速又は減速されたときに自身の慣性力で移動する。ワークホルダ３２は、ウエイト４１の移動によって回転し支持枠３５に形成された２つのストッパによって１８０°異なる姿勢に保持される。 （もっと読む）

【課題】基板に均一性高い加熱処理を行う一方で、高い真空度が得られる真空加熱装置を提供すること。
【解決手段】本発明の真空加熱装置は、気密な処理容器と、この処理容器内に基板を載置するために設けられたアルミニウム合金からなる載置台と、この載置台を支持し、その内部に用力線路部材が大気側から挿入されているステンレス鋼からなる筒状の支持部材と、この支持部材と処理容器との間を気密にするための有機物からなるシール部材と、前記載置台を加熱するための加熱部と、前記処理容器内を真空排気するための真空排気手段と、を備えている。これによって載置台の熱が支持部材を介してシール部材に伝熱し難くなっており、シール部材の昇温が抑えられ、大気側から大気成分がシール部材を通って処理容器内へ侵入することが抑えられる。 （もっと読む）

【課題】冷却効率を高めてスループットを高く維持でき、複数段の被処理体を面間の温度差が生じないように均一に冷却するロードロック装置を提供する。
【解決手段】真空室６と大気室１２との間にゲートバルブを介して連結されると共に真空雰囲気と大気圧雰囲気とを選択的に実現することができるロードロック装置８，１０において、ロードロック用容器３４と、ロードロック用容器内に設けられて複数枚の被処理体を複数段に亘って支持する支持部５２を有する支持手段５０と、大気圧復帰用のガスを冷却ガスとして噴射するために支持部に対応させて設けられたガス噴射孔７４を有するガス導入手段７２と、ロードロック用容器内の雰囲気を真空引きする真空排気系４２とを備える。これにより、冷却効率を高めてスループットを高く維持でき、且つ複数段の被処理体を面間の温度差が生じないように均一に冷却する。 （もっと読む）

【課題】パーティクルの発生を低減するとともに、高精度にマスクの位置を決めるマスク位置合わせ機構及びこのようなマスク位置合わせ機構を備えた真空処理装置を提供する。
【解決手段】マスク位置合わせ機構は、基板搬送の際に上下動可能、且つ４つのテーパピンが形成された基板ホルダ７と、それぞれのテーパピンを挿入可能な溝３７が形成されたマスク３１を有して構成されており、テーパピンは、基板を挟んで対峙して配設された長いテーパピン３５ａと短いテーパピン３５ｂの一対ずつからなり、長いテーパピンと短いテーパピンにそれぞれ形成されているテーパ面は異なる高さに位置している。 （もっと読む）