【課題】シール摺動部材を常用しているエアーシリンダーにおいて、Ｏリングが使用されている。ＤＬＣ膜付ゴムにおける摺動部の摩擦係数μ０．３５を０．０８〜０．１５程度に下げ、ドライ摺動でも使用可能な低摩擦化、長寿命化を具現化する摺動部材を提供する。
【解決手段】１例として挙げたエアーシリンダー１は、ハウジング２の内部にピストン４およびピストンロッド３が一対となりエアー室７にエアー出入口８，９から空気圧が交互に送り込まれる機構になっている。シリンダー１の機能を発揮するため、Ｏリング５およびＯリング６がエアー漏れを防ぐように圧接挿入されている。Ｏリング５，６の摩擦係数を下げるためＤＬＣ膜付ゴムの膜面に電子ビーム照射をすることにより、摩擦係数の低減を実現する。 （もっと読む）

【課題】薄膜間の剥離を防止すると共に、イオンダメージのない薄膜を効率的に製造することができる成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｓに薄膜を形成する第１の成膜処理装置１３及び第２の成膜処理装置１５と、反応室１４１内に供給される水素ガスを触媒体に接触させてラジカルを発生させ、当該ラジカルを基板Ｓに供給して当該基板Ｓの表面処理を行う表面処理装置１４とを備え、表面処理装置１４は、第１の成膜処理装置１３の後であり、かつ第２の成膜処理装置１５の前で基板Ｓの表面処理をするように設置されている。 （もっと読む）

【課題】結晶化時間を短縮化することができる透明導電性フィルムの製造方法を提供すること。
【解決手段】透明なフィルム基材の少なくとも一方の面に、透明導電層を有する透明導電性フィルムの製法方法であって、前記透明はフィルム基材上に、４価金属元素の酸化物の割合が３〜３５重量％以下のインジウム系複合酸化物をスパッタリングにて堆積させる工程（Ａ１）と、酸化インジウムまたは前記４価金属元素の酸化物の割合が０を超え６重量％以下であって、工程（Ａ１）で用いたインジウム系複合酸化物よりも、前記４価金属元素の酸化物の割合が小さいインジウム系複合酸化物をスパッタリングにて堆積させる工程（Ａ２）を順次に施すことを含む、インジウム系複合酸化物の非晶質層を形成する工程（Ａ）、および、前記非晶質層を加熱することにより結晶化させて、インジウム系複合酸化物の結晶質の透明導電層を形成する工程（Ｂ）を有する。 （もっと読む）

【課題】長寿命、かつ高い圧電定数を示す非鉛系デバイスを歩留り良く生産できる圧電薄膜素子、圧電薄膜の製造方法、及び圧電薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】本発明に係る圧電薄膜素子１は、基板１０と、基板１０上に設けられ、一般式（Ｎａ_ｘＫ_ｙＬｉ_ｚ）ＮｂＯ_３（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦０．２、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表されるニオブ酸化物系ペロブスカイト構造を有する圧電薄膜４０とを備え、圧電薄膜４０が、ＣＨ_４、Ｃ_２Ｈ_２、Ｃ_２Ｈ_４、Ｃ_２Ｈ_６、Ｃ_３Ｈ_８、ＣＨ_３ＯＨ、Ｃ_２Ｈ_５ＯＨ、及びＣ_２Ｈ_４Ｏ_２からなる群から選択される有機分子、又は水酸基、アシル基、カルボニル基、アルキニル基、及びカルボキシル基からなる群から選択される基を含む分子、又はＯ−Ｈ結合、Ｃ−Ｏ結合、Ｃ＝Ｏ結合、Ｃ≡Ｃ結合、及びＯ−Ｏ結合からなる群から選択される結合を含む分子を有する。 （もっと読む）

【課題】耐還元性に優れた半導体薄膜及びその製造方法、チャネル層上に酸素透過性膜等のバッファー層を設けなくても安定したＴＦＴ特性が得られる薄膜トランジスタ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】１種以上のアモルファス金属酸化物を含有し、前記金属酸化物の少なくとも一部の金属原子にＯＨ基が結合している半導体薄膜。 （もっと読む）

【課題】平滑面で高密度かつ大きな強度を有し、バンドギャップについて、シリコンのナノ結晶によるワイドギャップと、シリサイドナノ結晶によるナローギャップで、広範の波長に対応可能な、半導体材料を、低コストで形成する。
【解決手段】金属（Ｍ）とシリコン（Ｓｉ）の合金を、熱処理によってシリコンナノ結晶と金属シリサイド化合物ナノ結晶に相分離させ、直径１０ｎｍ以下のシリコンナノ結晶と金属シリサイドのナノ結晶が凝集しているシリコンナノ結晶と金属シリサイドナノ結晶凝集半導体材料を製造する。 （もっと読む）

【課題】高耐摩耗性を損なうことなくＤＬＣ皮膜に導電性を付与する。
【解決手段】銀やＳＵＳ３０４ステンレス鋼等の基体１を用意する。プラズマＣＶＤ法，スパッタリング法，ＰＢＩＩ法等の皮膜形成方法により基体１表面に絶縁性のＤＬＣ皮膜２を形成する。ＤＬＣ皮膜２表面に適当なエネルギー密度のレーザ光を部分的に照射することにより、レーザ光の照射領域にあるＤＬＣ皮膜を変質させて導電性を有するグラファイト領域３を形成する。 （もっと読む）

【課題】安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置を実現する成膜装置を提供することを課題の一とする。また、マザーガラスのような大きな基板を用いて、信頼性の高い半導体装置の大量生産を行うことの出来る成膜装置を提供することを課題の一とする。また、上記成膜装置を用いて安定した電気的特性と高い信頼性を有する半導体装置の作製方法を提供することを課題の一とする。
【解決手段】基板の搬送機構と、搬送機構が送る基板の進行方向に沿って、酸化物半導体を成膜する第１の成膜室と、第１の熱処理を行う第１の加熱室とを有し、基板は、該基板の成膜面と鉛直方向との成す角が１°以上３０°以内に収まるよう保持され、大気に曝すことなく、基板に第１の膜を成膜した後に第１の熱処理を施すことのできる成膜装置を用いて、酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】結晶層の結晶性や均一性を向上させることができるIII族窒化物半導体素子製造用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】成長用下地基板１０上に、クロム層２０を形成する成膜工程と、該クロム層２０を、所定の条件で窒化することによりクロム窒化物層３０とする窒化工程と、該クロム窒化物層３０上に、バッファ層４０を介して、少なくとも１層のIII族窒化物半導体層５０をエピタキシャル成長させる結晶層成長工程とを具えるIII族窒化物半導体素子製造用基板９０の製造方法であって、前記クロム層２０は、スパッタリング法により、スパッタリング粒子飛程領域における成膜速度が７〜65Å/秒の範囲で、厚さが50〜300Åの範囲となるよう成膜され、前記クロム窒化物層３０は、炉内圧力6.666kPa以上66.66kPa以下の、温度1000℃以上のMOCVD成長炉内において、アンモニアガスを含むガス雰囲気中で形成される。 （もっと読む）

【課題】安定した、高い発光効率の赤色発光が得られるＥｕドープＺｎＯ膜形成方法を提供する。
【解決手段】まず、第１工程で、Ｈ₂Ｏガスを導入するスパッタ法で、基板１０１の上に、ＥｕがドープされたＺｎＯからなる薄膜１０２を形成する。次に、第２工程で、薄膜を加熱する。Ｈ₂Ｏガスを用いているので、形成される膜にはＨ原子も導入されるようになる。この結果、主に６２０ｎｍ付近で発光するＥｕを添加したＺｎＯを形成できるようになり、Ｅｕを添加したＺｎＯで、高い発光効率で安定した赤色発光が得られるようになる。 （もっと読む）