【課題】空気接触面に付着した金属、金属合金、金属化合物、又は金属間化合物層から成る耐傷性を有する保護層を提供する。
【解決手段】この保護層の厚さは、通常、１〜３ｎｍであり、酸化後、光学吸収を持つ。この層は、始めに主に未酸化又は未窒化状態で付着される。該金属、金属合金、金属化合物、又は金属間化合物層は、空気に曝された後、数日以内に完全に酸化する。この層を酸素又は窒素等の反応性ガスを含むプラズマ、放電、又はイオンビームに曝す場合は、この保護層の厚さは、２〜５ｎｍであってもよい。 （もっと読む）

【課題】絶縁層上に結晶性の良好な半導体層を形成することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁層４１上に厚さ４ｎｍ〜１μｍの非晶質の半導体層４３を形成する工程と、この半導体層４３に対して、波長が３５０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内のエネルギービームを照射することにより、半導体層４３を結晶化させる工程とを含んで、半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】ＩＧＢＴ等においては、ドリフト領域やフィールドストップ領域における少数キャリアのライフタイムを制御して、スイッチング特性を改善するため、ウエハへの電子線照射が行われている。この電子線照射によって、デバイスの閾値電圧がシフトするため、電子線照射後に水素アニールを施すことにより、閾値電圧の回復を図っている。しかし、ボンディングダメージ等を低減するため、デバイス表面のモリブデン系バリアメタルをＴｉＷ系バリアメタルに変更すると、水素アニールによる閾値電圧の回復率が低下する問題が発生した。
【解決手段】本願発明はシリコン系半導体ウエハのデバイス主面側にパワー系絶縁ゲート型トランジスタの主要部を形成する半導体装置の製造方法において、デバイス主面上にＴｉＷ系のバリアメタルをスパッタリングにより形成するに際して、ＴｉＷターゲットのチタン濃度を、８重量％以下で、且つ、２重量％以上とするものである。 （もっと読む）

【課題】基材への接着を促進するような中間層を使用しないで硬質被覆層をかみそり刃先基材に被覆する方法を提供する。
【解決手段】金属でドープ塗装されたグラファイトを有するターゲットをスパッタリングすることにより、金属ドープされたダイヤモンド状炭素からなる被覆層１６をかみそり刃の研がれた刃先ならびにその近接部の基材１２に直接蒸着形成し、次いでポリ四フッ化エチレンからなる外側層１８を前記金属でドープ塗装されたダイヤモンド状炭素の被覆層上へ被覆形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性酸化物の量産性を高めこと、また、そのような絶縁性酸化物を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与すること、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】亜鉛のように４００〜７００℃で加熱した際にガリウムよりも揮発しやすい材料を酸化ガリウムに添加したターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング、パルスＤＣスパッタリング等の大きな基板に適用できる量産性の高いスパッタリング方法で成膜し、これを４００〜７００℃で加熱することにより、添加された材料を膜の表面近傍に偏析させる。膜のその他の部分は添加された材料の濃度が低下し、十分な絶縁性を呈するため、半導体装置のゲート絶縁物等に利用できる。 （もっと読む）

【課題】透明性が高く各層間で優れた密着性を持たすことができ、且つ、大気中でも短時間で透明導電層の結晶化を実現する。
【解決手段】透明基板層１１の片面に少なくとも透明導電層１３，１４，１５を形成する工程と、前記透明基板層に透明樹脂フィルムを貼り合わせた状態で加熱する工程とからなり、前記透明基板層は少なくとも金属酸化化合物層１３、酸化ケイ素層１４、及び酸化インジウム・スズ層１５が順に積層されてなり、前記加熱処理は大気中で行われる処理。 （もっと読む）

【課題】短時間で透明導電層を結晶化させること、及び、基板の熱収縮処理を行い、導電層のパターニング、貼り合せの前に、後工程で加えられる熱による寸法変化を抑制することで、複数の透明導電性フィルムのパターン位置合わせ精度を向上させる透明導電性積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板の片面に少なくとも透明導電層を形成する工程と、前記透明基板上に形成された透明導電層を加熱処理する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】真空中において長尺な基材フィルムを長手方向に搬送しつつ、基材フィルムへの無機膜の成膜、無機膜を保護するための保護フィルムの積層、積層体の巻取りを行う機能性フィルムの製造において、無機膜と保護フィルムとの間に存在する気泡に起因する無機膜の損傷を防止することを目的とする。
【解決手段】保護フィルムの積層に先立ち、無機膜の加熱処理を行うことにより、前記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】他の部材に接着させて使用され、高いガスバリア性を有する蒸着フィルムを製造する方法を提供する。
【解決手段】フィルム状の基材１の上に、印刷層５、蒸着層２、接着層３がこの順で形成され、他の部材と接着させて使用される蒸着フィルム４の製造方法であって、基材搬送手段によって、あらかじめ、印刷層５が形成された基材１を真空蒸着装置２１に導入しつつ、真空蒸着装置２１において、導入された基材１に対し蒸着層２を蒸着し、さらに基材搬送手段によって真空蒸着装置２１から搬出された蒸着層２が蒸着された基材１の当該蒸着層２の上に接着層形成手段によって接着剤を塗布して接着層３を形成し、真空蒸着装置２１に導入される基材１には、印刷層５と蒸着層２との間にアンカーコート層６が形成され、アンカーコート層６は、印刷層５におけるインキ粒子の凹凸を平滑化する厚さを有する。 （もっと読む）

【課題】 強誘電体膜の上に、ＳｒＲｕＯ_３膜を形成し、その上に酸化イリジウム等の電極を従来の方法で形成した強誘電体キャパシタでは、目標とする大きさのＱｓｗを得ることが困難である。
【解決手段】 基板の上に、下部電極膜を形成する。下部電極膜の上に、強誘電体膜を形成する。強誘電体膜の上に、ペロブスカイト構造を持つ導電性酸化物からなるアモルファスの中間膜を形成する。中間膜の上に、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第１の上部電極膜を形成する。第１の上部電極膜を形成した後、酸化性ガスを含む中で第１の熱処理を行うことにより、中間膜を結晶化させる。第１の熱処理の後、第１の上部電極膜の上に、第１の上部電極膜を形成するときの成長温度よりも低温で、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｏｓからなる群より選択された少なくとも１つの金属の酸化物からなる第２の上部電極膜を形成する。 （もっと読む）