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国際特許分類[C23C14/58]の内容

国際特許分類[C23C14/58]に分類される特許

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【課題】基板上に粒径均一、分布一様に磁性金属触媒微粒子を高再現性で析出生成させる。
【解決手段】本製造方法は、両性である非磁性金属からなる母材を基板上に形成するステップと、炭素含有ガスに反応するものでアルカリに非可溶の磁性金属を上記母材上に形成するステップと、熱処理により上記母材中に上記磁性金属を凝集させて少なくとも基板と母材との界面に磁性金属触媒微粒子を析出するステップと、アルカリにより上記母材を除去して上記基板上に磁性金属触媒微粒子を露出させるステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】Auを含む表面層をTi基材上に強固かつ均一に形成させることができ、燃料電池用セパレータに要求される耐食性、導電性及び耐久性も確保できる燃料電池用セパレータ材料を提供する。
【解決手段】Ti基材2の表面に、Al、Cr、Fe、Co、Ni、Cu、Mo、Sn及びBiからなる群より選択される少なくとも1種類以上の金属からなる第1成分とAuとを含む表面層6が形成され、表面層における第1成分の含有量が、第1成分の比重(g/cm3)×0.001〜第1成分の比重(g/cm3)×0.01(μg/mm)であり、かつAuの含有量が0.070(μg/mm)以上であり、表面層のどの深さにおいても、金属状態の第1成分の含有量が25質量%以下である燃料電池用セパレータ材料である。 (もっと読む)


【課題】 過酷条件下においても優れた耐食性を発揮するR−Fe−B系焼結磁石の製造方法を提供すること。
【解決手段】 R−Fe−B系焼結磁石の表面に、水素含有量が50ppm以上のAlまたはその合金からなる被膜を蒸着形成した後、蒸着形成されたAlまたはその合金からなる被膜に対してピーニング処理を行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】雨滴の吸引により、電極金属が腐食・劣化することで電極金属表面の疎水性が大きくなり電極金属が雨滴をはじくことで、2電極間に雨滴が入り込みにくくなり少量の降雨ではセンサが反応しにくくなることを防ぐことができる電極用金属化フィルムを提供する。
【解決手段】基材フィルムの少なくとも片面に金属薄膜が積層された金属化フィルムであって、前記金属薄膜表面に親水層が分散して被覆されてなり、任意に選択した1辺10mm×10mm□における前記金属薄膜表面に対する親水層の被覆率が0.1%〜10%であり、かつ、前記親水層が、円相当直径が3.56mm以下で分散して被覆されてなる電極用金属化フィルム。 (もっと読む)


本発明の対象は、30nm以下の物理的厚みの、金属Mの酸化物の少なくとも1つの膜で、その表面の少なくとも一部をコーティングした基板を得るための方法であって、前記酸化物膜が、少なくとも1つの銀膜を含む多層の一部ではなく、前記方法が、金属M、金属Mの窒化物、金属Mの炭化物、及び酸素が化学量論組成未満の金属Mの酸化物から選択される材料の少なくとも1つの中間膜が、スパッタリングによって堆積される工程であって、前記中間膜が、チタン酸化物ベースの膜の上または下に堆積されず、前記中間膜の物理的厚みが30nm以下である、工程;並びに前記中間膜が、酸化雰囲気、特に空気に、直接、接する際に、前記中間膜の表面の少なくとも一部が熱処理を用いて酸化される工程であって、前記熱処理の際の前記基板の温度は150℃を超えない、工程、を含む方法である。 (もっと読む)


【課題】立方晶炭化珪素の単結晶膜を高品位(高品質)に作製することができる、半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも一面に単結晶シリコンを有する基板(シリコン基板1)の一面1a上に、炭素を主に含んでなる炭素層を形成する工程と、炭素層に電磁波を照射して加熱し、炭化珪素を含む炭化緩衝層3を形成する工程と、を含む半導体基板5の製造方法。 (もっと読む)


【課題】極薄で耐摩耗性および耐食性に優れたSiC膜を形成することが出来るSiC膜形成方法の提供。
【解決手段】SiC膜形成方法は、加熱を行わないスパッタ成膜法により被成膜面上にSi膜を形成し(S10)、その後に、該被成膜面上のSi膜を初期欠陥層が露出するまでエッチングする(S20)第1の工程と、第1の工程でエッチングされたSi膜の上に加熱を行わないスパッタ成膜法によりSi粒子を堆積して、該Si膜を所定膜厚のSi膜とする第2の工程(S40)と、所定膜厚のSi膜に炭素イオンを照射して、該Si膜をSiC化する第3の工程(S50)と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 バリア膜形成による配線の抵抗値増大及びボイドの発生を防ぐことができる半導体装置、その製造方法及びその製造方法に用いるスパッタリングターゲットを提供すること。
【解決手段】 Si酸化物を含む絶縁膜1にCuの配線が設けられている半導体装置であって、絶縁膜1に設けられた溝状の開口部1aの内面に形成されたバリア膜4と、開口部1a内であってバリア膜4上に形成されたCuからなる配線本体2と、を備え、バリア膜4が、バリア膜4が、少なくとも絶縁膜1上に形成されたBa酸化物及びSr酸化物の少なくとも一方を含有するCu合金下地層を有し、該Cu合金下地層と絶縁膜1との界面にBaSi酸化物及びSrSi酸化物の少なくとも一方が偏析している。 (もっと読む)


【課題】 金属蒸着基材の金属蒸着層に、耐アルカリ性、耐ボイル性、耐レトルト性を付与することができる保護コート剤を提供することにある。また、金属蒸着基材(a)の金属蒸着層面に金属蒸着層保護コート剤を塗布してなる耐アルカリ性、耐ボイル性、耐レトルト性に優れた積層体を提供する。
【解決手段】 酸変性ポリオレフィン樹脂(A)、アミノ系シランカップリング剤(B)および水性媒体を含有し、(B)の含有量が、(A)100質量部に対して、0.2〜2質量部であることを特徴とする金属蒸着層保護コート剤。 (もっと読む)


【課題】セラミックス被覆材のさらなる高機能化を実現することが可能なセラミックス被覆材の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス被覆鋼の製造方法は、窒化チタンアルミニウム又は窒化クロムの薄膜を鋼基材上に成膜する成膜工程11と、成膜された鋼基材を少なくとも760℃を超える高温、より好ましくは760℃〜1060℃で加熱処理する加熱処理工程と、を有することを特徴とする。また、窒化チタン被覆鋼の製造では、加熱処理工程の加熱処理温度を860℃〜960℃とすることが好ましく、960℃ないし960℃±50℃とすることが特に好ましい。 (もっと読む)


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