【課題】成膜速度が高められるとともに、品質が充分に確保される炭素膜の形成方法、炭素膜被覆部材及びＣＭＰパッドコンディショナーを提供する。
【解決手段】ＣＶＤ法を用い、基材１の表面１Ａに炭素膜２を成膜する炭素膜の形成方法であって、前記表面１Ａに、前記基材１と同種の粒子３を分散させる工程と、ＣＶＤ法により、前記表面１Ａと前記粒子３の外周面とにより形成された段部４に種粒子５を捕捉させるとともに、前記種粒子５を核にして炭素膜２を成長させる工程と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 被処理物が陰極とされる構成のプラズマＣＶＤ装置において、プラズマを安定化させると共に、従来よりも成膜レートを向上させる。
【解決手段】 本発明に係るプラズマＣＶＤ装置１０によれば、接地電位に接続された真空槽１２の内壁が陽極とされ、被処理物１６が陰極とされ、これら両者間にパルス電力Ｅｐが供給されることで、当該両者間にプラズマが発生する。そして、このプラズマを用いたＣＶＤ法によって、被処理物１６の表面にＤＬＣ膜が生成される。ただし、ＤＬＣ膜が陽極としての真空槽１２の内壁に付着することで、当該真空槽１２の内壁の陽極としての機能が低下することが懸念される。この真空槽１２の内壁に代わって、アノード電極４０が陽極として機能することで、プラズマが安定化される。また、真空槽１２内に磁界Ｅが印加されることで、プラズマ密度が増大し、ＤＬＣ膜の成膜レートが向上する。 （もっと読む）

本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアを中に導入することができる少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバと、プラズマ発生モジュールと、少なくとも１つのガス供給部と、少なくとも１つのガス排出部とを備える基板処理装置に関する。さらに、本発明は、少なくとも１つの基板を担持した少なくとも１つの基板キャリアが少なくとも１つの排気可能なプロセス・チャンバに導入され、プロセス・チャンバ内で、プラズマ・プロセスにおいてプラズマ発生モジュールによってガスまたはガス混合物中でプラズマが発生され、基板のコーティング、エッチング、表面改質、および／または洗浄が行われる基板処理方法に関する。本発明の目的は、十分に表面テクスチャ加工された基板でさえ高いスループットおよび高品質で等方性エッチングすることができる、上記の一般的なタイプの基板処理装置および基板処理方法を提供することである。この目的は、まず、上記の一般的なタイプの基板処理装置であって、気相エッチング・モジュールがプロセス・チャンバ内に組み込まれた基板処理装置によって実現される。さらに、この目的は、上記の一般的なタイプの基板処理方法であって、プロセス・チャンバ内で、少なくとも１つの基板の気相エッチングが、プラズマ・プロセスの前に、および／またはプラズマ・プロセスの後に、および／またはプラズマ・プロセスと交互に行われる基板処理方法によって実現される。
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【課題】 ガラス基板等の基板全体を処理温度まで迅速に加熱することができる基板の熱処理装置を提供する。
【解決手段】 熱処理炉２の炉口６からプロセスチューブ４内に搬入・搬出されるボート７に保持されたガラス基板Ｗの中央部と、プロセスチューブ４の外側に配置されたヒータ５による輻射熱を断熱する遮熱板１３ａとの間に、輻射熱を吸収する吸熱フィン１４を配置する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも結晶品質の優れたIII族窒化物結晶およびその形成方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物結晶の形成方法が、所定の基材の上に全III族元素におけるＡｌの割合が８０モル％以上である第１のIII族窒化物からなる下地層２をエピタキシャル形成する下地層形成工程と、下地層２を基材ともども下地層２の形成温度よりも高くかつ１２５０℃以上の加熱温度で加熱する熱処理により下地層２の表面形状を変換する表面形状変換工程と、表面形状変換工程を経た下地層２の上に第２のIII族窒化物からなる結晶層４をエピタキシャル形成する結晶層形成工程と、を備える。このような界面構造のもとでは、成長下地層２に元から存在する転位、あるいは界面で新たに発生した転位ｄが内部を貫通し、島状結晶２Ｉの側面２Ｓにまで達していたとしても、空隙５の存在ために該転位ｄはその場所が終端ｔとなり、結晶層４へは伝搬しない。 （もっと読む）

【課題】被処理物の表面の接着性を向上することができる表面処理方法を提供する。
【解決手段】大気圧近傍の圧力下で対向する電極間に発生させた放電プラズマに被処理物を曝す工程と、ケイ素を骨格に持ち水により加水分解されるケイ素化合物の蒸気と水蒸気とを４０℃以上の温度で３０分以上接触させる工程と、放電プラズマに曝された後の被処理物を接触後の蒸気に曝す工程とを含む表面処理方法である。 （もっと読む）

【課題】選択性及び基板面内の膜厚均一性を保ちながら十分厚いエピタキシャル膜を成長
させることができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】
表面に少なくともシリコン露出面とシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜の露出面とを備える基板を処理室内に搬入する工程と、
前記処理室内の前記基板を所定の温度に加熱した状態で前記処理室内に、少なくともシリコンを含む第１の処理ガスとエッチング系の第２の処理ガスとを共に供給する第１のガス供給工程と、
前記処理室内に、前記第２の処理ガスよりエッチング力の強いエッチング系の第３の処
理ガスを供給する第２のガス供給工程と、
を少なくとも含み、前記第１のガス供給工程と前記第２のガス供給工程とを少なくとも１回以上実施し、前記基板表面のシリコン露出面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる。 （もっと読む）

【課題】従来技術と比較して改善された全体的平坦度を有するエピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法を提供する。
【解決手段】エピタキシコーティングされたシリコンウェーハの製造法において、少なくとも前面が研磨された複数のシリコンウェーハを用意し、かつ引き続き、用意したシリコンウェーハのそれぞれ１つをエピタキシリアクタ中のサセプタに載置し、第一の工程では水素雰囲気下でのみ前処理し、かつ第二の工程では水素雰囲気に１．５〜５ｓｌｍの流量でエッチング剤を添加して前処理し、その際、水素流量は双方の工程において１〜１００ｓｌｍであり、引き続きその研磨された前面上でエピタキシコーティングし、かつエピタキシリアクタから取り出すという手法により個々にそれぞれエピタキシリアクタ中でコーティングすることを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】格子欠陥をより低減した半導体装置を提供する。
【解決手段】基板法線方向から見て閉じた形状の窪み１０４が表面に設けられた基板１０２と、少なくとも窪み１０４の内面１０５、１０６、１０７からの結晶成長によって基板１０２の表面上に形成された半導体層１０３とを備えた半導体装置である。半導体層１０３は、基板１０２に設けられた窪み１０４の内部に位置する３枚の側面１０５、１０６および１０７からの結晶成長によって形成されているため、基板１０２の主面の法線方向とは異なる方向に半導体層１０３が結晶成長して欠陥が１カ所に集合するようになり、その結果、３枚の側面１０５、１０６および１０７の上部にある半導体層１０３の欠陥密度を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】潤滑油を使わない、いわゆる無潤滑摺動のみならず、極圧剤を含まない潤滑油中での摺動においても、従来の硬質炭素膜を凌ぐ優れた摺動特性や高耐久性を有する硬質炭素膜とその形成方法を提供する。
【解決手段】Ｘ線散乱スペクトルにおいてグラファイト結晶ピークを持つ炭素層を膜内に有する硬質炭素膜。結晶径が１５〜１００ｎｍであるグラファイト結晶が含有され、重量密度ｄ（ｇ／ｃｍ^３）が１．８１≦ｄ＜２．００であり、炭素原子対密度が式１を満足する硬質炭素膜。
（５．０１×ｄ）×１０^２２＜Ｐ＜（９．６０×ｄ−３．９０）×１０^２２・・式１
但し、Ｐ：第１近接近傍における炭素原子対密度（ｐａｉｒｓ／ｃｍ^３）
ｄ：重量密度（ｇ／ｃｍ^３） （もっと読む）