【課題】セラミック被膜を形成する基材である炭素繊維強化炭素複合材が積層体である場合など剥離強度を十分に確保できない場合であっても、セラミック被膜との熱膨張差により生じる基材内部の層間剥離を防止する。
【解決手段】炭素繊維強化炭素複合材である基材１５と、基材１５の表面に被覆されたセラミック被膜１７とからなるセラミック複合部材１００であって、基材１５の表面には複数の孔１９を形成し、孔１９の内部表面１９ａをセラミック被膜１７によって覆う。セラミック被膜１７に覆われた後の孔１９の開口部の幅Ｗは、セラミック被膜１７の被膜厚さｔの２倍以下であることが好ましい。基材１５は炭素繊維層と炭素マトリクス層を複数積層して構成し、孔１９は少なくとも最表層の炭素繊維層を貫通することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】超硬合金の表面に非晶質炭素膜を被覆してなり、基材の表面を特定の凹凸面とすることで密着性を向上させた新規の被覆超硬合金部材を提供する。
【解決手段】被覆超硬合金部材は、炭化タングステンを含む硬質相１２および鉄族金属を含む結合相１１からなる超硬合金からなる基材１０と、基材１０の表面に被覆された非晶質炭素膜２と、を備える。非晶質炭素膜２が被覆された基材１０の表面は、硬質相１２が消失してなる凹部１２⁻をもつ凹凸面１０ｆであり、ＷＣの平均粒径をＸ［μｍ］、凹部の最大深さをＹ［μｍ］、凹凸面における前記結合相の面積率をＺ［％］としたとき、Ｘ、ＹおよびＺの値を所定の範囲内とすることで、アンカー効果により基材１０の表面と非晶質炭素膜２との密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】キャリアに保持された基板に対して反応性プラズマ処理又はイオン照射処理を行う際に処理ムラが生じることを防止したインライン式成膜装置を提供する。
【解決手段】キャリア２５は、基板を内側に配置する孔部２９が設けられたホルダ２８と、ホルダ２８の孔部２９の周囲に弾性変形可能に取り付けられた複数の支持部材３０とを備え、複数の支持部材３０に基板の外周部を当接させながら、これら支持部材３０の内側に嵌め込まれた基板を着脱自在に保持することが可能であり、キャリア２５に保持された基板に対して反応性プラズマ処理又はイオン照射処理を行うチャンバ内には、基板に対応した位置に開口部３２ａを有するリング部材３２が、キャリア２５に保持された基板の少なくとも一方又は両方の面に対向して配置されており、なお且つ、リング部材３２にマイナス電位が印加されると共に、ホルダ２８が接地される。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛透明導電酸化物層上に低屈折率のカーボン膜を形成することで、光線透過率は向上するが、水分や空気に対する耐久性は向上しない。また、有機珪素化合物層を酸化亜鉛透明導電酸化物層上に直接形成しようとしても、大面積では均一に形成することが困難であったが，それを解決する透明導電膜の製造方法を提供する。
【解決手段】透明基板１上に透明導電酸化物層２／カーボン層３のさらにその上に、有機珪素化合物層４を形成することで、水分や空気に対する耐久性の向上が可能となり、さらに大面積にした場合も均一に作製することができる。 （もっと読む）

【課題】単結晶ダイヤモンド基板の表面損傷を除去するために有効な新規な方法および表面損傷が除去された単結晶タイヤモンドを基板としたCVD法による単結晶ダイヤモンドの製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶ダイヤモンドにイオン注入を行って表面近傍に非ダイヤモンド層を形成し、該非ダイヤモンド層をグラファイト化させた後、エッチングして表面層を除去する。この様にして得られた単結晶ダイヤモンドは、表面粗さを増加させることなく、切断、研磨などによって生じた表面損傷部がほぼ完全に除去され、また、表面と交差する転位もほとんど存在しないものとなるので、処理された単結晶ダイヤモンドを基板として、CVD法によってダイヤモンドを成長させることによって、転位の伝播や新たな転位の発生を著しく抑制することができ、形成される単結晶ダイヤモンドの結晶性を著しく改善することができる。 （もっと読む）

【課題】カソードと被成膜基板との間の距離を長くすることにより、被成膜基板に緻密で高硬度な薄膜を成膜できるプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】本発明に係るプラズマＣＶＤ装置は、チャンバー２内に配置されたカソード電極３と、カソード電極３の周囲を囲むように設けられたアノード電極４と、カソード電極３及びアノード電極４に対向するように配置される被成膜基板１を保持する保持部と、フロート電位とされるプラズマウォール８と、カソード電極３に接続された交流電源５と、アノード電極４に接続された直流電源７と、被成膜基板１に電気的に接続された直流電源１２と、を具備し、円筒形状のプラズマウォール８の内径が１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下であり、カソード電極３と被成膜基板１との間の距離が２００ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

炭素系抵抗率スイッチング可能な材料を含むメモリデバイス、およびこのようなメモリデバイスを形成する方法が提供される。この方法は、炭化水素化合物およびキャリアガスを含むプロセスガスをプロセスチャンバに導入するステップと、プロセスチャンバ内でプロセスガスのプラズマを発生させて基板の上に炭素系抵抗率スイッチング可能な材料の層を堆積させるステップと、を含む。多くのさらなる態様が提供される。
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【課題】ＳＰ２結合とＳＰ３結合との比率を制御することが可能であり、構造が異なる炭素質膜の形成が容易な成膜装置を実現できるようにする。
【解決手段】成膜装置は、成膜室１１と、成膜室１１内に設けられた第１の電極２１と第２の電極２２とを有するプラズマ発生部と、成膜室１１の中に設けられ、成膜室１１内を運動する中性粒子が感ずる電子エネルギー分布関数を変化させるエネルギー分布関数可変部とを備えている。エネルギー分布関数可変部は、第１の電極２１と第２の電極２２との間に配置され、グリッド電極２３と、成膜室１１内においてグリッド電極２３を移動させる移動機構３０とを有している。 （もっと読む）

【課題】炭素原子を含む材料として二酸化炭素を用い、プラズマＣＶＤ法によりＤＬＣ膜の形成を可能とする炭素膜形成方法を提供すること。
【解決手段】課題を解決する炭素膜形成方法は、プラズマＣＶＤ法により基材上に炭素膜を形成する方法であって、水素及び二酸化炭素を含むガスをパルス放電によりプラズマ化して基材上に炭素膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 カーボン保護膜作製チャンバーでの処理時間を短縮するとともにそのチャンバー内でのパーティクルの発生を防止し、生産性の向上を図る。
【解決手段】 一列に且つ無終端となるよう連結された複数のチャンバーを備えた磁気記録ディスク用成膜装置に、少なくとも３つのカーボン保護膜作製チャンバー６１，６２，６３を設ける。キャリア９０の数を全チャンバーの数より１だけ少なくし、３つのカーボン保護膜作製チャンバーのうちのいずれか一つが常に空き状態となるように、キャリアの移動を制御する。内部にキャリアが位置する２つのカーボン保護膜作製チャンバーでは、それぞれカーボン保護膜を作製する。同時に空き状態のカーボン保護膜作製チャンバーでは、アッシングによる内部クリーニングを行なう。 （もっと読む）